二極管的分類：一、按半導(dǎo)體材料分類，二極管按其使用的材料可分為鍺（Ge）二極管、硅（Si）二極管、砷化鎵（GaAs）二極管、磷化鎵（GaP）二極管等。二、按封裝形式分類，二極管按其封裝形式可分為塑料二極管、玻璃二極管、金屬二極管、片狀二極管、無(wú)引線圓柱形二極管...

SOA失效的預(yù)防措施：1：確保在較差條件下，MOSFET的所有功率限制條件均在SOA限制線以內(nèi)。2：將OCP功能一定要做精確細(xì)致。在進(jìn)行OCP點(diǎn)設(shè)計(jì)時(shí)，一般可能會(huì)取1.1-1.5倍電流余量的工程師居多，然后就根據(jù)IC的保護(hù)電壓比如0.7V開(kāi)始調(diào)試RSENSE電...

對(duì)于開(kāi)關(guān)頻率小于100kHz的信號(hào)一般?。?00～500）kHz載波頻率較好，變壓器選用較高磁導(dǎo)如5K、7K等高頻環(huán)形磁芯，其原邊磁化電感小于約1毫亨左右為好。這種驅(qū)動(dòng)電路只適合于信號(hào)頻率小于100kHz的場(chǎng)合，因信號(hào)頻率相對(duì)載波頻率太高的話，相對(duì)延時(shí)太多，且...

對(duì)于PNP型三極管，分析方法類似，不同的地方就是電流方向跟NPN的剛好相反，因此發(fā)射極上面那個(gè)箭頭方向也反了過(guò)來(lái)。電阻R1基極偏置用,電阻R2有限流作用,也是三極管集電極的負(fù)載電阻。發(fā)光二極管D指示作用,三極管T開(kāi)關(guān)作用,電池E供電。三極管可以看成是2個(gè)PN結(jié)...

二極管的誕生得益于半導(dǎo)體技術(shù)，從原理上講它涉及到微觀電子學(xué)，所以它的底層原理是比較復(fù)雜的，但我們實(shí)際運(yùn)用時(shí)主要在于根據(jù)我們電路的特點(diǎn)選擇合適的二極管型號(hào)，所以底層原理這里沒(méi)有說(shuō)明，之后在實(shí)際電子設(shè)計(jì)中再將進(jìn)一步了解。你是否還記得，很多時(shí)候你媽媽興沖沖的走到你面...

二極管反向區(qū)也分兩個(gè)區(qū)域：當(dāng)VBR＜V＜0時(shí)，反向電流很小，且基本不隨反向電壓的變化而變化，此時(shí)的反向電流也稱反向飽和電流IS。當(dāng)V≥VBR時(shí)，反向電流急劇增加，VBR稱為反向擊穿電壓。在反向區(qū)，硅二極管和鍺二極管的特性有所不同。硅二極管的反向擊穿特性比較硬、...

對(duì)比：場(chǎng)效應(yīng)管與三極管的各自應(yīng)用特點(diǎn)：1.場(chǎng)效應(yīng)管的源極s、柵極g、漏極d分別對(duì)應(yīng)于三極管的發(fā)射極e、基極b、集電極c，它們的作用相似。2.場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制電流器件，由vGS控制iD，其放大系數(shù)gm一般較小，因此場(chǎng)效應(yīng)管的放大能力較差；三極管是電流控制電流器...

Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate，如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅，由電子組成的電流從...

PIN二極管，PIN二極管英文名稱為Pin diode，是一種在光通信中普遍使用的光電二極管。它是在P區(qū)和N區(qū)之間夾一層本征半導(dǎo)體（或低濃度雜質(zhì)的半導(dǎo)體）構(gòu)造出來(lái)的一種晶體二極管。PIN中的I是"本征"意義的英文略語(yǔ)。當(dāng)其工作頻率超過(guò)100MHz時(shí)，由于少數(shù)載...

穩(wěn)壓二極管和普通二極管電性能區(qū)別，穩(wěn)壓二極管和普通二極管在電性能方面也存在明顯差異。穩(wěn)壓二極管的電性能主要表現(xiàn)在穩(wěn)定的工作電壓、穩(wěn)定的反向阻斷電壓和低動(dòng)態(tài)電阻等方面。這使得穩(wěn)壓二極管在需要高精度控制電壓的電路中表現(xiàn)出色，如通信設(shè)備、電源設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備等。...

在高電壓或大電流的情況下,如果手頭沒(méi)有承受高電壓或整定大電濾的整流元件,可以把二極管串聯(lián)或并聯(lián)起來(lái)使用，二極管并聯(lián)的情況:兩只二極管并聯(lián)、每只分擔(dān)電路總電流的一半口三只二極管并聯(lián),每只分擔(dān)電路總電流的三分之一?？傊?有幾只二極管并聯(lián),"流經(jīng)每只二極管的電流就等...

MOS管參數(shù)：功率MOSFET的一定較大額定值：注①：漏源較大電壓VDSS，可視為反向施加在體二極管兩端的電壓值，故只有一個(gè)方向。注②：柵源較大電壓VGSS，即施加在柵極電極與源極電極之間的電壓，由于柵極與P型半導(dǎo)體襯底中加了SiO2絕緣層，只要電壓一定值超過(guò)...

三極管，全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管，晶體三極管，是一種電流控制電流的半導(dǎo)體器件。下面一起來(lái)了解一下三極管的作用是什么。三極管的作用是什么？1、擴(kuò)流。在某些情況下，可擴(kuò)大電流限值或電容容量等。比如：將小功率可控硅與大功率三級(jí)管相結(jié)合，可以得到大功率可...

值得注意的是，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，穩(wěn)壓二極管和普通二極管也在不斷升級(jí)和優(yōu)化。新型的穩(wěn)壓二極管具有更高的精度和更低的功耗，能夠滿足更高要求的電路應(yīng)用；而新型普通二極管則具有更快的響應(yīng)速度和更高的可靠性，能夠更好地適應(yīng)復(fù)雜的電路環(huán)境?？傊?，穩(wěn)壓二極管和普通二極...

靜電放電（ESD）二極管，靜電放電的英文全稱為Electro-Static Discharge，簡(jiǎn)稱ESD，ESD二極管是一種具有兩個(gè)電極的半導(dǎo)體器件，當(dāng)加在兩極間的電壓達(dá)到一定值時(shí)，在其間產(chǎn)生電場(chǎng)使電子移動(dòng)而形成電流。當(dāng)ESD二極管的兩只引腳之間加有交變電壓...

三極管的原理，三極管可以看做一個(gè)小閥門控制大閥門的元件，基極和發(fā)射極原理為一個(gè)二極管，當(dāng)給基極一個(gè)電壓，基極和發(fā)射極就會(huì)導(dǎo)通，基極也就有了電流，這個(gè)時(shí)候集電極和發(fā)射極也會(huì)導(dǎo)通，當(dāng)基極電壓越大集電極流向發(fā)射極的電流也會(huì)越大，也就是閥門打開(kāi)的越大，微弱的基極電流和...

Zener二極管：Zener二極管是一種具有特殊穩(wěn)壓特性的二極管，可以在一定范圍內(nèi)穩(wěn)定地維持電壓輸出，普遍應(yīng)用于電源穩(wěn)壓器、電路保護(hù)器等領(lǐng)域。總之，二極管在電子領(lǐng)域中應(yīng)用非常普遍，不同類型的二極管在不同的電路中都有不同的作用和功能。肖特基二極管： 基本原理是在...

三極管的種類：1）低頻小功率三極管，特征頻率在3MHz以下，功率小于1W，一般作為小信號(hào)放大用；2）高頻小功率三極管，特征頻率大于3MHz，功率小于1W，主要用于高頻振蕩、放大電路；3）低頻大功率三極管，特征頻率小于3MHz，功率大于1W，低頻大功率三極管品種...

半導(dǎo)體二極管的參數(shù)介紹如下：1、反向電流IR：指管子末擊穿時(shí)的反向電流， 其值愈小，則管子的單向?qū)щ娦杂谩Ｓ捎跍囟仍黾?，反向電流?huì)急劇增加，所以在使用二極管時(shí)要注意溫度的影響。2、正向壓降VD：在規(guī)定的正向電流下，二極管的正向電壓降。小電流硅二極管的正向壓降...

三極管其作用是把微弱信號(hào)放大成輻值較大的電信號(hào)，也用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。晶體三極管，是半導(dǎo)體基本元器件之一，具有電流放大作用，是電子電路的主要元件。接下來(lái)小編為大家介紹三極管的作用及三極管工作原理。三極管的作用：電流放大，三極管的作用之一就是電流放大，這也是其較基本...

開(kāi)關(guān)作用原理，下面說(shuō)說(shuō)三極管的飽和情況.像上面那樣的圖,因?yàn)槭艿诫娮?Rc的限制(Rc是固定值,那么較大電流為U/Rc,其中U為電源電壓),集電極電流是不能無(wú)限增加下去的.當(dāng)基極電流的增大,不能使集電極電流繼續(xù)增大 時(shí),三極管就進(jìn)入了飽和狀態(tài).一般判斷三極管是...

場(chǎng)效應(yīng)管主要參數(shù)：1、漏源擊穿電壓。漏源擊穿電壓BUDS是指柵源電壓UGS一定時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能接受的較大漏源電壓。這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于BUDS。2、較大耗散功率。較大耗散功率PDSM也是—項(xiàng)極限參數(shù)，是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞...

場(chǎng)效應(yīng)管注意事項(xiàng)：（1）為了安全使用場(chǎng)效應(yīng)管，在線路的設(shè)計(jì)中不能超過(guò)管的耗散功率，較大漏源電壓、較大柵源電壓和較大電流等參數(shù)的極限值。（2）各類型場(chǎng)效應(yīng)管在使用時(shí)，都要嚴(yán)格按要求的偏置接入電路中，要遵守場(chǎng)效應(yīng)管偏置的極性。如結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵源漏之間是PN結(jié)，N溝...

MOSFET應(yīng)用案例解析：開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用從定義上而言，這種應(yīng)用需要MOSFET定期導(dǎo)通和關(guān)斷。同時(shí)，有數(shù)十種拓?fù)淇捎糜陂_(kāi)關(guān)電源，這里考慮一個(gè)簡(jiǎn)單的例子。DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依靠?jī)蓚€(gè)MOSFET來(lái)執(zhí)行開(kāi)關(guān)功能(下圖)，這些開(kāi)關(guān)交替在電感里存儲(chǔ)能量，...

場(chǎng)效應(yīng)管由源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）三個(gè)主要部分組成。在JFET中，柵極和通道之間通過(guò)PN結(jié)隔離；而在MOSFET中，柵極和通道之間由一層絕緣材料（通常是二氧化硅）隔離。當(dāng)在柵極施加適當(dāng)?shù)碾妷簳r(shí)，會(huì)在柵極下方的半導(dǎo)體中形成一個(gè)導(dǎo)...

開(kāi)關(guān)三極管，在開(kāi)關(guān)電路中，用來(lái)控制電路的開(kāi)啟和關(guān)閉，由加在開(kāi)關(guān)管基極上 脈沖信號(hào)來(lái)控制“短路”和“開(kāi)通”，是一個(gè)無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān)。具有壽命長(zhǎng)、安全可靠、沒(méi)有機(jī)械磨損、開(kāi)關(guān)速度快、體積小等特點(diǎn)。開(kāi)關(guān)三極管可以用很小的電流，控制打電流的通斷，有較普遍的應(yīng)用。小功率開(kāi)...

場(chǎng)效應(yīng)管是一種電壓控制器件，其工作原理是通過(guò)改變柵極（Gate）與源極（Source）之間的電壓來(lái)控制漏極（Drain）與源極之間的電流。與傳統(tǒng)的雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET只利用單一類型的載流子（電子或空穴）進(jìn)行導(dǎo)電，因此也被稱為單極型晶體管。分類：結(jié)...

印度人賈格迪什·錢德拉·博斯在1894年成為了頭一個(gè)使用晶體檢測(cè)無(wú)線電波的科學(xué)家。他也在厘米和毫米級(jí)別對(duì)微波進(jìn)行了研究 [10] [11] 。1903年，格林里夫·惠特勒·皮卡德（ Greenleaf Whittier Pickard ）發(fā)明了硅晶檢波器，并在...

三極管的起源，1947年12月23日，巴丁博士、布萊頓博士和肖克萊博士發(fā)現(xiàn)，在他們發(fā)明的器件中通過(guò)的一部分微量電流，竟然可以控制另一部分流過(guò)的大得多的電流，因而產(chǎn)生了放大效應(yīng)，這個(gè)器件就叫晶體管。三極管的發(fā)展沿革，在晶體管電子流出端的襯底外，沉積一層對(duì)應(yīng)材料，...

三極管的作用：模擬。用三極管夠成的電路還可以模擬其它元器件。大功率可變電阻價(jià)貴難覓，用圖9(g)電路可作模擬品，調(diào)節(jié)510電阻的阻值，即可調(diào)節(jié)三極管C、E兩極之間的阻抗，此阻抗變化即可代替可變電阻使用。圖9(h)為用三極管模擬的穩(wěn)壓管。其穩(wěn)壓原理是：當(dāng)加到A、...