IGBT功率模塊是指采用IC驅(qū)動(dòng)，利用的封裝技術(shù)將IGBT與驅(qū)動(dòng)電路、控制電路和保護(hù)電路高度集成在一起的模塊。其類別從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM。IGBT功率模塊的驅(qū)動(dòng)電路元件較少，在短路故障時(shí)只要結(jié)溫不超過(guò)安全工作范圍，驅(qū)動(dòng)電路仍可以繼續(xù)安全工作。IGBT在大電流時(shí)具有退飽和特性，可以在一定程度上保護(hù)器件過(guò)流，其它的電力電子開(kāi)關(guān)器件則都不具備這種特性?？傊琁GBT功率模塊具有驅(qū)動(dòng)簡(jiǎn)單、過(guò)壓過(guò)流保護(hù)實(shí)現(xiàn)容易、開(kāi)關(guān)頻率高以及不需要緩沖電路等特性，非常適合應(yīng)用在中壓驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域。常見(jiàn)的IGBT功率模塊的額定電壓等級(jí)有600V、1200V、170...

反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)，Id與Ugs呈線性關(guān)系。高柵源電壓受大漏極電流限制，其佳值一般取為15V左右。動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性又稱開(kāi)關(guān)特性，IGBT的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分：一是開(kāi)關(guān)速度，主要指標(biāo)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間；另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。IGBT的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B...

igbt功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（igbt）構(gòu)成的功率模塊。由于igbt模塊為mosfet結(jié)構(gòu)，igbt的柵極通過(guò)一層氧化膜與發(fā)射極實(shí)現(xiàn)電隔離，具有出色的器件性能。廣泛應(yīng)用于伺服電機(jī)，變頻器，變頻家電等領(lǐng)域。目錄1特點(diǎn)2應(yīng)用3注意事項(xiàng)4發(fā)展趨勢(shì)IGBT功率模塊特點(diǎn)編輯igbt功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開(kāi)關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率mosfet的優(yōu)點(diǎn)于一體化。又因先進(jìn)的加工技術(shù)使它通態(tài)飽和電壓低，開(kāi)關(guān)頻率高（可達(dá)20khz），這兩點(diǎn)非常顯著的特性，近西門子公司又推出低飽和壓降（）的np...

少數(shù)載流子）對(duì)N-區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-區(qū)的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。當(dāng)柵射極間不加信號(hào)或加反向電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP型晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。由此可知，IGBT的驅(qū)動(dòng)原理與MOSFET基本相同。①當(dāng)UCE為負(fù)時(shí)：J3結(jié)處于反偏狀態(tài)，器件呈反向阻斷狀態(tài)。②當(dāng)uCE為正時(shí)：UCUTH，絕緣門極下形成N溝道，由于載流子的相互作用，在N-區(qū)產(chǎn)生電導(dǎo)調(diào)制，使器件正向?qū)ā?)導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是JGBT增加了P+基片和一個(gè)N+緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒(méi)有增加這個(gè)部分)，其中一個(gè)MOSF...

2013年6月15日我又在電腦上設(shè)計(jì)了幾張圖紙，希望能夠運(yùn)用到實(shí)戰(zhàn)中。讓房子變成我想象中的樣子。2013年6月20日我和老公把花園的門給定好了，看起來(lái)就很有安全感的樣子。2013年7月15日2020-03-30求大神,我家的電磁爐換過(guò)開(kāi)關(guān)還是不能用速度…電磁爐又被稱為電磁灶，1957年臺(tái)家用電磁爐誕生于德國(guó)。電磁爐的原理是電磁感應(yīng)現(xiàn)象，即利用交變電流通過(guò)線圈產(chǎn)生方向不斷改變的交變磁場(chǎng)，處于交變磁場(chǎng)中的導(dǎo)體的內(nèi)部將會(huì)出現(xiàn)渦旋電流(原因可參考法拉第電磁感應(yīng)定律)，這是渦旋電場(chǎng)推動(dòng)導(dǎo)體中載流子（鍋里的是電子而絕非鐵原子）運(yùn)動(dòng)所致；渦旋電流的焦耳熱效應(yīng)使導(dǎo)體升溫，從而實(shí)現(xiàn)加熱。2020-03-30美的...

變頻器中的igbt開(kāi)關(guān)頻率指的是什么？ IGBT為逆變單元，按開(kāi)關(guān)頻率分有低頻（T:8-15KHZ），中頻(E:1-10KHZ)、高頻(S:20-30KHZ)，就是其載波頻率一般在5khz-30khz阻擋igbt在正向阻斷時(shí)耗盡層的擴(kuò)展。 igbt作為能源變換與傳輸?shù)钠骷?，設(shè)置有緩沖層，主要作用是阻擋igbt在正向阻斷時(shí)耗盡層的擴(kuò)展，在提高開(kāi)關(guān)速度的同時(shí)保持了較低的通態(tài)壓降。igbt主要在交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。IGBT是能源變換與傳輸?shù)钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)則乎業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電...

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于...

當(dāng)散熱風(fēng)扇損壞中散熱片散熱不良時(shí)將導(dǎo)致IGBT模塊發(fā)熱，而發(fā)生故障。因此對(duì)散熱風(fēng)扇應(yīng)定期進(jìn)行檢查，一般在散熱片上靠近IGBT模塊的地方安裝有溫度感應(yīng)器，當(dāng)溫度過(guò)高時(shí)將報(bào)警或停止IGBT模塊工作。三、IGBT驅(qū)動(dòng)電路IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來(lái)控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷。IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開(kāi)關(guān)電...

使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。檢測(cè)IGBT好壞簡(jiǎn)便方法1、判斷極性首先將萬(wàn)用表?yè)茉赗&TImes;1KΩ擋，用萬(wàn)用表測(cè)量時(shí)，若某一極與其它兩極阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后該極與其它兩極的阻值仍為無(wú)窮大，則判斷此極為柵極（G）。其余兩極再用萬(wàn)用表測(cè)量，若測(cè)得阻值為無(wú)窮大，調(diào)換表筆后測(cè)量阻值較小。在測(cè)量阻值較小...

也可以用模塊中的2個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊，即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相橋模塊，6in1模塊三相橋（3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊，用于直接構(gòu)成三相橋電路，也可以將模塊中的3個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領(lǐng)域是變頻器和三相UPS、三相逆變器，不同的應(yīng)用對(duì)IGBT的要求有所不同，故制造商習(xí)慣上會(huì)推出以實(shí)際應(yīng)用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊，如3-Phaseinvertermodule（三相逆變器模塊）等。，CBI模塊，7i...

尾流）的降低，完全取決于關(guān)斷時(shí)電荷的密度，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓?fù)?，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問(wèn)題：功耗升高；交叉導(dǎo)通問(wèn)題，特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上，問(wèn)題更加明顯。鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC和VCE密切相關(guān)的空穴移動(dòng)性有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)所達(dá)到的溫度，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計(jì)上的電流的不理想效應(yīng)是可行的。阻斷與閂鎖當(dāng)集電極被施加一個(gè)反向電壓時(shí)，J1就會(huì)受到反向偏壓控制，耗盡層則會(huì)向N-區(qū)擴(kuò)展。因過(guò)多地降低這個(gè)層面的厚度，將無(wú)法取得一個(gè)有效的阻斷能力，所以，這個(gè)機(jī)制十分重要。另一方面，...

上）特斯拉IGBT市場(chǎng)商機(jī)三大廠商旗艦產(chǎn)品逐個(gè)看深圳比亞迪微電子近期更名并設(shè)立新公司，要發(fā)威了？簡(jiǎn)介特性應(yīng)用相關(guān)內(nèi)容igbt簡(jiǎn)介IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交...

igbt簡(jiǎn)介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。IGBT模塊IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與...

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于...

怎樣檢測(cè)變頻器逆變模塊？（2）判斷IGBT極性及好壞的方法判斷IGBT極性：選擇指針萬(wàn)用表R×100Ω或R×1KΩ檔分別測(cè)量IGBT的任兩個(gè)極之間的正反向電阻，其中一極與其他兩極之間的正反向電阻均為無(wú)窮大，則判定該極為IGBT的柵極（G）。測(cè)量另外兩極的正反向電阻，在正向電阻時(shí)，紅表筆接的為IGBT的集電極（C），黑表筆接的為IGBT的發(fā)射極（E）。判斷IGBT好壞：選擇指針萬(wàn)用表的R×10KΩ檔。黑表筆接集電極（C），紅表筆接發(fā)射極（E），用手同時(shí)觸擊一下集電極（C）和控制極（G）。若萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)并站住，再用手同時(shí)觸擊一下發(fā)射極（E）和控制極（G），萬(wàn)用表指針回零，則該IGBT為好的，否則...

富士IGBT智能模塊的應(yīng)用電路設(shè)計(jì)富士的IGBT-IPM模塊有很多不同的系列每一系列的主電源電壓范圍各有不同，在設(shè)計(jì)時(shí)一定要考慮其應(yīng)用的電壓范圍。600V系列主電源電壓和制動(dòng)動(dòng)作電壓都應(yīng)該在400V以下，1200v系列則要在800V以下。開(kāi)關(guān)時(shí)的大浪涌電壓為：600V系列應(yīng)在500V以下，1200V系列應(yīng)該在1000V以下。根據(jù)上述各值的范圍，使用時(shí)應(yīng)使浪涌電壓限定在規(guī)定值以內(nèi)，且應(yīng)在靠近P、N端子處安裝緩沖器（如果一個(gè)整流電路上接有多個(gè)IGBT模塊，還需要在P、N主端子間加浪涌吸收器）。雖然在模塊內(nèi)部已對(duì)外部的電壓噪聲采取了相應(yīng)的措施，但是由于噪聲的種類和強(qiáng)度不同，加之也不可能完全避免誤動(dòng)作...

墓他3組上橋臂的控制信號(hào)輸入電路與圖2相同，但3組15V直流電源應(yīng)分別供電，而下橋臂的4組則共用一個(gè)15V直流電源。圖2控制信號(hào)輸入電路(2)緩沖電路緩沖電路（阻容吸收電路）主要用于抑制模塊內(nèi)部的IGBT單元的過(guò)電壓和du/出或者過(guò)電流和di/dt，同時(shí)減小IGBT的開(kāi)關(guān)損耗。由于緩沖電路所需的電阻、電容的功率、體積都較大，所以在IGBT模塊內(nèi)部并沒(méi)有專門集成該部分電路，因此，在實(shí)際的系統(tǒng)中一定要設(shè)計(jì)緩沖電路，通過(guò)緩沖電路的電容可把過(guò)電壓的電磁能量變成靜電能量?jī)?chǔ)存起來(lái)。緩沖電路的電阻可防止電容與電感產(chǎn)生諧振。如果沒(méi)有緩沖電路，器件在開(kāi)通時(shí)電流會(huì)迅速上升，di/dt也很大，關(guān)斷時(shí)du/dt很大，...

富士IGBT智能模塊的應(yīng)用電路設(shè)計(jì)富士的IGBT-IPM模塊有很多不同的系列每一系列的主電源電壓范圍各有不同，在設(shè)計(jì)時(shí)一定要考慮其應(yīng)用的電壓范圍。600V系列主電源電壓和制動(dòng)動(dòng)作電壓都應(yīng)該在400V以下，1200v系列則要在800V以下。開(kāi)關(guān)時(shí)的大浪涌電壓為：600V系列應(yīng)在500V以下，1200V系列應(yīng)該在1000V以下。根據(jù)上述各值的范圍，使用時(shí)應(yīng)使浪涌電壓限定在規(guī)定值以內(nèi)，且應(yīng)在靠近P、N端子處安裝緩沖器（如果一個(gè)整流電路上接有多個(gè)IGBT模塊，還需要在P、N主端子間加浪涌吸收器）。雖然在模塊內(nèi)部已對(duì)外部的電壓噪聲采取了相應(yīng)的措施，但是由于噪聲的種類和強(qiáng)度不同，加之也不可能完全避免誤動(dòng)作...

也可以用模塊中的2個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大2倍的半橋模塊，即將分別將G1和G3、G2和G4、E1和E3、E2和E4、E1C2和E3短接。4.三相橋模塊，6in1模塊三相橋（3-Phasebridge模塊的內(nèi)部等效電流如圖5所示。圖5三相橋模塊的內(nèi)部等效電路三相橋模塊也稱為6in1模塊，用于直接構(gòu)成三相橋電路，也可以將模塊中的3個(gè)半橋電路并聯(lián)構(gòu)成電流規(guī)格大3倍的半橋模塊。三相橋常用的領(lǐng)域是變頻器和三相UPS、三相逆變器，不同的應(yīng)用對(duì)IGBT的要求有所不同，故制造商習(xí)慣上會(huì)推出以實(shí)際應(yīng)用為產(chǎn)品名稱的三相橋模塊，如3-Phaseinvertermodule（三相逆變器模塊）等。，CBI模塊，7i...

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGB...

進(jìn)行逆變器設(shè)計(jì)時(shí)，IGBT模塊的開(kāi)關(guān)損耗評(píng)估是很重要的一個(gè)環(huán)節(jié)。而常見(jiàn)的損耗評(píng)估方法都是采用數(shù)據(jù)手冊(cè)中IGBT或者Diode的開(kāi)關(guān)損耗的典型值，這種方法缺乏一定的準(zhǔn)確性。本文介紹了一種采用逆變器系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)板和母排對(duì)IGBT模塊進(jìn)行損耗測(cè)試和評(píng)估的方法，通過(guò)簡(jiǎn)單的操作即可得到更精確的損耗評(píng)估。一般數(shù)據(jù)手冊(cè)中，都會(huì)給出特定條件下，IGBT及Diode開(kāi)關(guān)損耗的典型值。一般來(lái)講這個(gè)值在實(shí)際設(shè)計(jì)中并不能直接拿來(lái)用。在英飛凌模塊數(shù)據(jù)手冊(cè)中，我們可以看到，開(kāi)關(guān)損耗典型值前面，有相當(dāng)多的限制條件，這些條件描述了典型值測(cè)試平臺(tái)。而實(shí)際設(shè)計(jì)的系統(tǒng)是不可能和規(guī)格書(shū)測(cè)試平臺(tái)一模一樣的。兩者之間的差異，主要體現(xiàn)在如下...

所以包裝時(shí)將g極和e極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料，將它短接。裝配時(shí)切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進(jìn)行長(zhǎng)久性連接。b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式。c、裝卸時(shí)應(yīng)采用接地工作臺(tái)，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。d、儀器測(cè)量時(shí)，將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無(wú)電源時(shí)進(jìn)行安裝。f,焊接g極時(shí)，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵合適。當(dāng)手工焊接時(shí)，溫度2601c15c.時(shí)間（10士1）秒，松香焊劑。波峰焊接時(shí)，pcb板要預(yù)熱80c-]05c,在245℃時(shí)浸入焊接3-4IGBT功率模塊發(fā)展趨勢(shì)編輯igbt發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標(biāo)的，特別是發(fā)...

IGBT與MOSFET的開(kāi)關(guān)速度比較因功率MOSFET具有開(kāi)關(guān)速度快，峰值電流大，容易驅(qū)動(dòng)，安全工作區(qū)寬，dV/dt耐量高等優(yōu)點(diǎn)，在小功率電子設(shè)備中得到了廣泛應(yīng)用。但是由于導(dǎo)通特性受和額定電壓的影響很大，而且工作電壓較高時(shí)，MOSFET固有的反向二極管導(dǎo)致通態(tài)電阻增加，因此在大功率電子設(shè)備中的應(yīng)用受至限制。IGBT是少子器件，它不但具有非常好的導(dǎo)通特性，而且也具有功率MOSFET的許多特性，如容易驅(qū)動(dòng)，安全工作區(qū)寬，峰值電流大，堅(jiān)固耐用等，一般來(lái)講，IGBT的開(kāi)關(guān)速度低于功率MOSET，但是IR公司新系列IGBT的開(kāi)關(guān)特性非常接近功率MOSFET，而且導(dǎo)通特性也不受工作電壓的影響。由于IGBT...

igbt的特性igbt的伏安特性是指以柵源電壓Ugs為參變量時(shí)，漏極電流與柵極電壓之間的關(guān)系曲線。輸出漏極電流比受柵源電壓Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它與GTR的輸出特性相似．也可分為飽和區(qū)1、放大區(qū)2和擊穿特性3部分。在截止?fàn)顟B(tài)棚廳下的IGBT，正向電壓由J2結(jié)承擔(dān)，反向電壓由J1結(jié)鏈扒隱承擔(dān)。如果無(wú)N+緩沖區(qū)，則正反向阻斷電壓可以做到同樣水平，加入N+緩沖區(qū)后，反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。各代的IGBT芯片都有自己適合工作的開(kāi)關(guān)頻率，不能亂選型，IGBT頻率與型號(hào)的后綴相關(guān)。青海MACMIC宏微IGBT模塊品質(zhì)優(yōu)異IGBT模塊反向關(guān)斷電壓只能達(dá)...

igbt絕緣柵雙極型晶體管。igbt是能源變換與傳輸?shù)钠骷追Q電力電子裝置的“CPU”，作為國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、電動(dòng)汽車與新能源裝備等領(lǐng)域應(yīng)用極廣。igbt模塊是由igbt（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應(yīng)用于變頻器、UPS不此大間斷電源等設(shè)備上。igbt模塊具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)；當(dāng)前市場(chǎng)上銷售的多為此類模塊化產(chǎn)品，一般所說(shuō)的igbt也指IGBT模塊；隨著節(jié)能環(huán)保等理念的推進(jìn)，此類產(chǎn)品在市場(chǎng)上將越來(lái)越多見(jiàn)。IHV,IHM,PrimePACK封裝(俗稱“黑...

3、任何指針式萬(wàn)用表皆可用于檢測(cè)IGBT注意判斷IGBT好壞時(shí)，一定要將萬(wàn)用表?yè)茉赗&TImes;10KΩ擋，因R&TImes;1KΩ擋以下各檔萬(wàn)用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測(cè)好壞時(shí)不能使IGBT導(dǎo)通，而無(wú)法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測(cè)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的好壞。逆變器IGBT模塊檢測(cè)：將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔，測(cè)試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性，來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除，使用二極管測(cè)試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為比較大；將表...

B）車載空調(diào)控制系統(tǒng)小功率直流/交流(DC/AC)逆變，使用電流較小的IGBT和FRD；C）充電樁智能充電樁中IGBT模塊被作為開(kāi)關(guān)元件使用；2）智能電網(wǎng)IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：1、從發(fā)電端來(lái)看，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。2、從輸電端來(lái)看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。3、從變電端來(lái)看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關(guān)鍵器件。4、從用電端來(lái)看，家用白電、微波爐、LED照明驅(qū)動(dòng)等都對(duì)IGBT有大量的需求。3）軌道交通IGBT器件已成為軌道交通車輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力...

對(duì)于IGBT模塊我們還需判斷在有觸發(fā)電壓的情況下能否導(dǎo)通和關(guān)斷。逆變器IGBT模塊檢測(cè):將數(shù)字萬(wàn)用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性,來(lái)判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負(fù)載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除,使用二極管測(cè)試檔，紅表筆接P(集電極c1)，黑表筆依次測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為；將表筆反過(guò)來(lái)，黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接P，紅表筆測(cè)U、V、W，萬(wàn)用表顯示數(shù)值為。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差...

IGBT在關(guān)斷時(shí)不需要負(fù)柵壓來(lái)減少關(guān)斷時(shí)間，但關(guān)斷時(shí)間隨柵極和發(fā)射極并聯(lián)電阻的增加而增加。IGBT的開(kāi)啟電壓約3～4V，和MOSFET相當(dāng)。IGBT導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降比MOSFET低而和GTR接近，飽和壓降隨柵極電壓的增加而降低。查看詳情igbt應(yīng)用作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。在工業(yè)應(yīng)用方面，如交通控制、功率變換、工業(yè)電機(jī)、不間斷電源、風(fēng)電與太陽(yáng)能設(shè)備，以及用于自動(dòng)控制的變頻器。在消費(fèi)電子方面，IGBT用于家用電器、相機(jī)和手機(jī)。查看詳情igbt相關(guān)內(nèi)容全部技術(shù)資訊資料帖子電子說(shuō)選型新|熱igbt技術(shù)查看更多>...

反向關(guān)斷電壓只能達(dá)到幾十伏水平，因此限制了IGBT的某些應(yīng)用范圍。IGBT的轉(zhuǎn)移特性是指輸出漏極電流Id與柵源電壓Ugs之間的關(guān)系曲線。它與MOSFET的轉(zhuǎn)移特性相同，當(dāng)柵源電壓小于開(kāi)啟電壓Ugs(th)時(shí)，IGBT處于關(guān)斷狀態(tài)。在IGBT導(dǎo)通后的大部分漏極電流范圍內(nèi)，Id與Ugs呈線性關(guān)系。高柵源電壓受大漏極電流限制，其佳值一般取為15V左右。動(dòng)態(tài)特性動(dòng)態(tài)特性又稱開(kāi)關(guān)特性，IGBT的開(kāi)關(guān)特性分為兩大部分：一是開(kāi)關(guān)速度，主要指標(biāo)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中各部分時(shí)間；另一個(gè)是開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損耗。IGBT的開(kāi)關(guān)特性是指漏極電流與漏源電壓之間的關(guān)系。IGBT處于導(dǎo)通態(tài)時(shí)，由于它的PNP晶體管為寬基區(qū)晶體管，所以其B...