納米硅指的是直徑小于5納米（10億（1G）分之一米）的晶體硅顆粒。納米硅粉具有純度高，粒徑小，分布均勻等特點(diǎn)。比表面積大，高表面活性，松裝密度低，該產(chǎn)品具有無毒，無味，活性好。納米硅粉是新一代光電半導(dǎo)體材料，具有較寬的間隙能半導(dǎo)體，也是高功率光源材料。納米硅粉主要用途：可與有機(jī)物反應(yīng)，作為有機(jī)硅高分子材料的原料金屬硅通過提純制取多晶硅。金屬表面處理。替代納米碳粉或石墨，作為鋰電池負(fù)極材料，大幅度提高鋰電池容量納米硅半導(dǎo)體發(fā)光材料21世紀(jì)是高度信息化的時(shí)代，微電子信息處理的速度迅速發(fā)展，但逐步趨向極限。要有所突破，實(shí)現(xiàn)光電集成是必由之路。在硅片上實(shí)現(xiàn)光電集成從工藝和材料上看是理想的方...

刮柔性抗裂層和攤鋪磨石砂漿層時(shí)，注意不得碰壞水、電管路及其它設(shè)備。（2）運(yùn)輸材料時(shí)注意保護(hù)好門框。（3）打磨設(shè)備應(yīng)設(shè)罩板，防止研磨時(shí)濺污墻面及設(shè)施等，重要部位及設(shè)備應(yīng)加覆蓋。補(bǔ)漿（使用磨石粉劑、乳液補(bǔ)漿）1.按工藝確定的配比，配置磨石地坪補(bǔ)漿料，根據(jù)磨石地坪層表面的情況撒補(bǔ)漿液；2.控制好補(bǔ)漿施工時(shí)間，配料必須嚴(yán)格按配比要求進(jìn)行配制，確保面層光潔、密實(shí)；3.養(yǎng)護(hù)補(bǔ)漿施工完成后應(yīng)封閉養(yǎng)護(hù)，防止相關(guān)其它專業(yè)人員在地面未完全固化時(shí)進(jìn)入地面養(yǎng)護(hù)區(qū)域，避免污染，影響到完工后的地面觀感效果。質(zhì)量控制（1）研磨后嚴(yán)格按照要求對(duì)地面進(jìn)行清洗然后吸干；（2）補(bǔ)漿前嚴(yán)格控制吸塵效果，確保表面潔凈無灰塵...

納米硅指的是直徑小于5納米（10億（1G）分之一米）的晶體硅顆粒。納米硅粉具有純度高，粒徑小，分布均勻等特點(diǎn)。比表面積大，高表面活性，松裝密度低，該產(chǎn)品具有無毒，無味，活性好。納米硅粉是新一代光電半導(dǎo)體材料，具有較寬的間隙能半導(dǎo)體，也是高功率光源材料。納米硅粉主要用途：可與有機(jī)物反應(yīng)，作為有機(jī)硅高分子材料的原料金屬硅通過提純制取多晶硅。金屬表面處理。替代納米碳粉或石墨，作為鋰電池負(fù)極材料，大幅度提高鋰電池容量納米硅半導(dǎo)體發(fā)光材料21世紀(jì)是高度信息化的時(shí)代，微電子信息處理的速度迅速發(fā)展，但逐步趨向極限。要有所突破，實(shí)現(xiàn)光電集成是必由之路。在硅片上實(shí)現(xiàn)光電集成從工藝和材料上看是理想的方...

氧化亞硅碳復(fù)合材料是以氧化亞硅材料為核，這里的氧化亞硅一般是采用化學(xué)氣相沉積法將2～10nm的硅顆粒均勻分布在SiO2的基質(zhì)中。其單體容量一般為1300～1700mA·h/g。由于硅材料顆粒更小、分散更加均勻且材料結(jié)構(gòu)更加致密穩(wěn)定，該材料膨脹較低，擁有非常好的長(zhǎng)循環(huán)穩(wěn)定性。但是由于SiO2首周與鋰發(fā)生不可逆反應(yīng)，該材料的首效一般較低，且成本較高，一定程度上限制了其在全電池中的使用。硅納米線指的是通過特殊的工藝，制備出嚴(yán)格控制長(zhǎng)徑比的圓柱狀納米硅顆粒，再在顆粒表面包覆碳層。這種結(jié)構(gòu)的材料比容量和首效都較高，但是需要配合成熟的預(yù)理化技術(shù)才能滿足SEI膜對(duì)鋰的不斷消耗以確保長(zhǎng)循環(huán)穩(wěn)定性，...

納米硅百分之七十八是以水性聚氨酯作為基料，添加了納米級(jí)的無機(jī)硅類礦物材料，納米無機(jī)硅礦物材料是直徑小于5納米的晶體硅顆粒，納米硅粉具有純度高、粒徑小、分布均勻、無毒、無味、防火、活性好等特點(diǎn)。納米硅八個(gè)特點(diǎn)1.綠色環(huán)保：她是以水代替有機(jī)溶劑作為分散介質(zhì)，加工過程無需有機(jī)溶劑，因此對(duì)環(huán)境無污染，對(duì)操作人員健康無危害。2.具有抗潮功能：她是以水做溶劑，透濕透氣性要遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于同類產(chǎn)品，水性材料本身的滲透力就強(qiáng)，添加了納米材料后和水的結(jié)合，有著滲透力及密封性能。：用水作為分散介質(zhì)，又添加了納米級(jí)的無機(jī)硅類礦物材料，成型后的地面可達(dá)到A1級(jí)防火標(biāo)準(zhǔn)。4.防火性能：納米無機(jī)硅材料是直徑小于5納米...

在規(guī)模儲(chǔ)能領(lǐng)域，納米硅碳負(fù)極材料也將擁有較大的應(yīng)用前景。隨著我國工業(yè)化、信息化水平的持續(xù)提升，電力系統(tǒng)呈現(xiàn)發(fā)電裝機(jī)容量和電網(wǎng)輸配電容量不斷提高、現(xiàn)代電力系統(tǒng)的峰谷負(fù)荷差加大、可再生能源并網(wǎng)量增加、電力系統(tǒng)復(fù)雜程度提升、用戶端對(duì)電能質(zhì)量要求提高等特點(diǎn)。作為優(yōu)良備用電源的儲(chǔ)能電站，正逐步成為構(gòu)筑現(xiàn)代電力系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)之一。鋰離子電池作為目前應(yīng)用的儲(chǔ)能電池，相比電動(dòng)車領(lǐng)域，儲(chǔ)能電站領(lǐng)域?qū)︿囯x子電池能量密度的要求更高，而采用納米硅碳負(fù)極材料對(duì)滿足這種需求提出了可能的解決方案。根據(jù)高工鋰電統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)，我國儲(chǔ)能型鋰離子電池市場(chǎng)應(yīng)用終端占比由2010年的，總體呈增長(zhǎng)趨勢(shì)。預(yù)計(jì)未來儲(chǔ)能型鋰電池將成為...

納米硅百分之七十八是以水性聚氨酯作為基料，添加了納米級(jí)的無機(jī)硅類礦物材料，納米無機(jī)硅礦物材料是直徑小于5納米的晶體硅顆粒，納米硅粉具有純度高、粒徑小、分布均勻、無毒、無味、防火、活性好等特點(diǎn)。納米硅八個(gè)特點(diǎn)1.綠色環(huán)保：她是以水代替有機(jī)溶劑作為分散介質(zhì)，加工過程無需有機(jī)溶劑，因此對(duì)環(huán)境無污染，對(duì)操作人員健康無危害。2.具有抗潮功能：她是以水做溶劑，透濕透氣性要遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于同類產(chǎn)品，水性材料本身的滲透力就強(qiáng)，添加了納米材料后和水的結(jié)合，有著滲透力及密封性能。：用水作為分散介質(zhì)，又添加了納米級(jí)的無機(jī)硅類礦物材料，成型后的地面可達(dá)到A1級(jí)防火標(biāo)準(zhǔn)。4.防火性能：納米無機(jī)硅材料是直徑小于5納米...

在中試放大方面，項(xiàng)目組于2014年6月與江西紫宸科技有限公司正式開展合作，并搭建了硅碳負(fù)極材料的中試生產(chǎn)線，開始進(jìn)行公斤級(jí)的小批量生產(chǎn)。到2015底，已經(jīng)可以生產(chǎn)批次穩(wěn)定性較高的噸級(jí)碳包覆納米硅材料。到2016年底，已經(jīng)可以提供百公斤級(jí)的碳包覆氧化亞硅材料；目前，該中試線已經(jīng)可以提供不同類型與規(guī)格的納米硅碳負(fù)極材料，并且有很多新型工藝以及當(dāng)前工藝的改進(jìn)路線正在積極研發(fā)和試驗(yàn)中。同時(shí)，該中試線的規(guī)模也在不斷擴(kuò)大，預(yù)計(jì)到2017年底將實(shí)現(xiàn)不同種類的納米硅碳負(fù)極材料噸級(jí)至百噸級(jí)生產(chǎn)。另外，項(xiàng)目組擁有多項(xiàng)納米硅碳負(fù)極材料在國內(nèi)的早期核心專利，具有一定的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)納米硅磨石地坪供應(yīng)商家。江蘇進(jìn)口納米硅磨石...

攤鋪磨石地坪面層：將磨石地坪按規(guī)定的加水配比,用攪料器將其充分?jǐn)嚢杌旌虾螅俚谷敫鞣N級(jí)配骨料充分?jǐn)嚢?；拌制好的磨石地坪?yīng)及時(shí)攤鋪在柔性抗裂墊層上面，攤鋪厚度10-15毫米，并用針式消泡滾筒充分消泡；磨石地坪攤鋪完成后固化。磨石地坪研磨1.研磨機(jī)應(yīng)左右搖擺，根據(jù)表面的打磨情況均勻控制研磨機(jī)磨行速度，不得任意停留或改變磨行速度，以免造成局部凹陷、不平整以及漏磨等現(xiàn)象；應(yīng)配合2m靠尺對(duì)打磨的地面進(jìn)行平整度檢測(cè)，將偏高部位磨至平整度達(dá)標(biāo)為準(zhǔn)，磨出骨料紋理；3.試磨：一般根據(jù)氣溫情況確定養(yǎng)護(hù)天數(shù)，8小時(shí)即可開始機(jī)磨，過早開磨石粒易松動(dòng)；過遲造成磨光困難。所以需進(jìn)行試磨，以面層不掉石粒為準(zhǔn)。 ...

納米硅指的是直徑小于5納米（10億（1G）分之一米）的晶體硅顆粒。納米硅粉具有純度高，粒徑小，分布均勻等特點(diǎn)。比表面積大，高表面活性，松裝密度低，該產(chǎn)品具有無毒，無味，活性好。納米硅粉是新一代光電半導(dǎo)體材料，具有較寬的間隙能半導(dǎo)體，也是高功率光源材料。納米硅粉主要用途：可與有機(jī)物反應(yīng)，作為有機(jī)硅高分子材料的原料金屬硅通過提純制取多晶硅。金屬表面處理。替代納米碳粉或石墨，作為鋰電池負(fù)極材料，大幅度提高鋰電池容量納米硅半導(dǎo)體發(fā)光材料21世紀(jì)是高度信息化的時(shí)代，微電子信息處理的速度迅速發(fā)展，但逐步趨向極限。要有所突破，實(shí)現(xiàn)光電集成是必由之路。在硅片上實(shí)現(xiàn)光電集成從工藝和材料上看是理想的方...

納米硅指的是直徑小于5納米（10億（1G）分之一米）的晶體硅顆粒。納米硅粉具有純度高，粒徑小，分布均勻等特點(diǎn)。比表面積大，高表面活性，松裝密度低，該產(chǎn)品具有無毒，無味，活性好。納米硅粉是新一代光電半導(dǎo)體材料，具有較寬的間隙能半導(dǎo)體，也是高功率光源材料價(jià)值點(diǎn):納米純硅粉：純度99.9%，平均粒度有50-100nm、100-150nm、150-200nm、200-250nm幾種規(guī)格.應(yīng)用領(lǐng)域:可與有機(jī)物反應(yīng)，作為有機(jī)硅高分子材料的原料金屬硅通過提純制取多晶硅金屬表面處理替代納米碳粉或石墨，作為鋰電池負(fù)極材料，大幅度提高鋰電池容量納米硅磨石地坪供應(yīng)商。本地納米硅磨石地坪設(shè)備工程 總而言之，...

納米硅具有粒度細(xì)、活性高、比表面積大、脫嵌鋰不粉化等性能優(yōu)勢(shì)，已廣泛應(yīng)用于微電子、半導(dǎo)體及鋰電池負(fù)極材料等領(lǐng)域。目前，用于制備納米硅粉的常見方法有機(jī)械研磨法、等離子蒸發(fā)冷凝法以及化學(xué)氣相沉積法。其中，機(jī)械研磨法由于設(shè)備工藝簡(jiǎn)單、成本低和易于批量生產(chǎn)而受到眾多技術(shù)開發(fā)者的青睞。3.然而，機(jī)械研磨法雖然能低成本高效率制得納米硅，但該工藝方法存在以下技術(shù)難點(diǎn)：1)納米硅比表面積大，極易發(fā)生團(tuán)聚；2)制備過程中，由于表面的高反應(yīng)活性，易于氧化和被腐蝕；3)使用大量的分散劑造成材料性能降低。針對(duì)上述納米硅機(jī)械研磨法中存在的問題，大量工藝改善方法被提出來，如專利文獻(xiàn)cna中公開的納米硅制備方法...

納米硅材料一般認(rèn)為，當(dāng)硅材料的尺寸在1nm至數(shù)十納米時(shí)，可以被稱為“納米硅”材料，包括硅納米顆粒(SiQuantumDots)、硅納米線(SiNanowire)、硅納米管(SiNanotube)和硅納米帶(SiNanobelt)等。納米硅是當(dāng)前國際上硅材料研究的一個(gè)熱點(diǎn)，由于其優(yōu)異的光電特性、無毒性，以及和現(xiàn)有硅集成電路工藝良好的兼容性，未來納米硅可以應(yīng)用在集成電路、生物成像、鋰離子電池、太陽能光伏、發(fā)光器件、探測(cè)器等領(lǐng)域。不同結(jié)構(gòu)的硅納米材料，其制備方法、性質(zhì)和應(yīng)用都不相同。(1)硅納米顆粒:又稱硅量子點(diǎn)。硅納米顆粒是主要的納米硅結(jié)構(gòu)之一，它有兩種存在形式，一種是存在的硅納米顆粒...

納米硅百分之七十八是以水性聚氨酯作為基料，添加了納米級(jí)的無機(jī)硅類礦物材料，納米無機(jī)硅礦物材料是直徑小于5納米的晶體硅顆粒，納米硅粉具有純度高、粒徑小、分布均勻、無毒、無味、防火、活性好等特點(diǎn)?？箟耗湍?、延展性強(qiáng)：混凝土在C30的基礎(chǔ)上，能有效承載20噸以上重型車。把他涂刷在任何軟質(zhì)材體上，彎曲360度無任何涂面損傷。6.附著力強(qiáng)：納米硅粉具有純度高、粒徑小、分布均勻、活性好等特點(diǎn)，可以和水泥、木材、金屬、樹膠地材等多種材質(zhì)完美結(jié)合，成型后不起皮、不脫落、超耐磨。7.施工周期：水作分散劑，使得材料體系粘度與樹脂分子量無關(guān)，且比固含量相同的溶劑型材料溶液粘度低，易于多種材質(zhì)完美結(jié)合，成...

納米硅硅納米線:硅納米線可以作為納電子器件的結(jié)構(gòu)單元，也可以用于制作太陽電池、化學(xué)和生物傳感器等器件。硅納米線可以利用物理蒸發(fā)、物理濺射、物理刻蝕、化學(xué)氣相沉積、化學(xué)腐蝕(化學(xué)刻蝕)和溶液法等多種技術(shù)制備，其中化學(xué)氣相沉積和化學(xué)腐蝕是主要采用的技術(shù)方法。利用CVD制備硅納米線時(shí)，一般利用SiH4和SiCl4,等硅源氣體在高溫下分解，然后在置有Fe/Co/Ni/Au等金屬催化劑的硅片上形成;通過控制SiH4等硅源氣體的濃度和流量、反應(yīng)溫度、反應(yīng)時(shí)間和金屬催化劑的顆粒大小等因素，可以控制硅納米線的直徑和長(zhǎng)度，其生長(zhǎng)機(jī)理是氣一固一液(VSL)生長(zhǎng)模型?；瘜W(xué)腐蝕(刻蝕)則是將硅片放置在含有...

硅納米管:納米硅管也可以作為納電子器件的結(jié)構(gòu)單元，其載流子遷移率遠(yuǎn)高于硅納米線。與硅納米線相比，硅納米管具有更大的比表面積。同時(shí)載流子還具有彈道輸運(yùn)特性，因此在微電子器件、鋰離子負(fù)極材料等領(lǐng)域具有很大的應(yīng)用潛力。由于硅屬于金剛石結(jié)構(gòu)，與碳的層狀結(jié)構(gòu)不同，很難形成管狀結(jié)構(gòu)，因此硅納米管的制備相對(duì)比較困難，通常需要借助于模板(Template)技術(shù)。常用的模板技術(shù)有兩種，一種是利用具有納米孔洞的Al2O3,模板，通過SiH4的熱分解，借助局域化的Au等金屬催化劑，在模板孔洞內(nèi)壁沉積硅材料，去除模板制備成納米硅管；另一種是利用Zn0等納米線作為“軟模板"，在制備Zn0納米線后，通過化學(xué)合...

納米硅磨石地坪：通過改變富硅量、退火條件等，控制氧化硅中硅納米晶的尺寸及密度。文獻(xiàn)認(rèn)為出現(xiàn)硅納米晶的臨界溫度是1000oC，而我們通過試驗(yàn)確定出現(xiàn)納米晶的臨界退火溫度為900oC。經(jīng)900oC退火富硅量約為30%富硅氧化硅的高分辨電鏡象?？梢郧宄杓{米晶。(2)觀察到Au/（Ge/SiO2）超晶格/p-Si結(jié)構(gòu)的電致發(fā)光。四周期Ge/SiO2超晶格的高分辨電鏡圖。其中亮線為SiO2，厚度為，Ge層厚為。(3)在硅襯底上用磁控濺射技術(shù)生長(zhǎng)了納米SiO2/Si/SiO2雙勢(shì)壘(NDB)單勢(shì)阱三明治結(jié)構(gòu),實(shí)現(xiàn)Au/NDB/p-Si結(jié)構(gòu)的可見電致發(fā)光。發(fā)現(xiàn)電致發(fā)光的峰位、強(qiáng)度隨納米硅層厚度...