讓氮氣把焊料與空氣隔絕開來，這樣就大為減少浮渣的產(chǎn)生。目前較好的方法是在氮氣保護下使用含磷的焊料，可將浮渣率控制在**低的程度，焊接缺陷**少。在SMT工藝中回流焊工序，焊膏在使用中也會不斷氧化，其中的金屬含量越來越低，或者其中的助焊劑變少，也會造成虛焊。合理選用回流溫度曲線，可降低虛焊的產(chǎn)生。焊料與PCB金屬層，焊料與元件腳金屬層之間的匹配不當，也會造成虛焊。有鉛焊料與無鉛焊端混用時，如果采用有鉛焊料的溫度曲線，有鉛焊料先熔，而無鉛焊端不能完全熔化，使元件一側(cè)的界面不能生成良好的金屬間合金層，因此有鉛焊料與無鉛焊端混用時焊接質(zhì)量**差。在這種情況下，可提高焊接溫度，一般提高到230～...

場效應(yīng)管測試儀儀器主要用以功率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗、參數(shù)的配對及其它電子電子元件的耐壓測試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測試儀和P溝導(dǎo)型測試儀兩種。耐壓測試儀方法特性：是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國內(nèi)、國際的安全基準而設(shè)計，是交流安全通用測試儀器，合適家電及低壓電器的安全測試。測試電壓和漏電流使用4位LED數(shù)碼管顯示，測試時間使用2位LED數(shù)碼管顯示。漏電流值由粗調(diào)和細調(diào)旋鈕調(diào)節(jié)。漏電流超差時自動切斷測試電壓，并發(fā)出聲光報警信號。有外控端子。臣式機箱、塑料面框、外形新穎美觀。主要技術(shù)參數(shù)：測試電壓：AC0～5KV。測試電壓誤差：低于3％。測試電壓波形：50Hz市電正弦波。輸...

則該三極管是PNP型半導(dǎo)體三極管.8、現(xiàn)在常見的三極管大部分是塑封的，如何準確判斷三極管的三只引腳哪個是b、c、e？三極管的b極很容易測出來，但怎么斷定哪個是c哪個是e？a;這里推薦三種方法：第一種方法：對于有測三極管hFE插孔的指針表，先測出b極后，將三極管隨意插到插孔中去（當然b極是可以插準確的），測一下hFE值，b;然后再將管子倒過來再測一遍，測得hFE值比較大的一次，各管腳插入的位置是正確的。第二種方法：對無hFE測量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法：對NPN管，先測出b極（管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測出，是吧？），將表置于R×1kΩ檔，將紅表...

目視可檢查出較為嚴重的氧化，對于氧化后的電子元器件，或棄之不用，或去氧化處理合格后再用。一般處理氧化層采用外力擦、刮；微酸清洗；涂抹助焊劑，然后搪錫使用。（表面貼裝元器件因其封裝體積小，氧化一般不易處理，通常退回廠家換貨或報廢處理）元器件是否氧化除目檢以外，還有較為復(fù)雜詳細的可焊性試驗檢測標準，條件不具備的，可用手工、波峰焊或回流焊方法，對元器件進行批次抽樣試焊。電子元器件儲存條件及儲存期見下表：元器件可焊面的污染在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，元器件要經(jīng)過來料接收清點、存儲、發(fā)料、成型和插件（THT工藝）、SMC和SMD的上下料、貼裝和手工補焊等工序或操作，難免會產(chǎn)生灰塵、油污及汗?jié)n的污染，造成電...

書上說，MOS管的主要作用是放大。不過實際在智能硬件產(chǎn)品開發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開發(fā)中，幾乎沒有用到放大用的MOS管，絕大部分是用來做開關(guān)的。偶爾有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的?？梢院敛豢鋸埖闹v，只要不是做IC設(shè)計的，幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來的MOS放大電路，性能不可能有專業(yè)芯片公司做的好的。MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法：用作開關(guān)的時候，不管是N-MOS還是P-MOS，記住一句話即可：VGS有電壓差，MOS管就導(dǎo)通。VGS沒有電壓差，MOS管就關(guān)閉。MOS管常見的主要用途有以下幾種負極開關(guān)（N-MOS）：設(shè)備控制LED燈控制電路馬達控制電路N-MOS廣泛應(yīng)用...

另一部分虛焊焊點往往在一年甚至更長的時間才出現(xiàn)開路的現(xiàn)象，使產(chǎn)品停止工作，造成損失。虛焊有其隱蔽性、故障出現(xiàn)的偶然性以及系統(tǒng)崩潰損失的重大性，不可忽視。研究虛焊的成因，降低其危害，是我國從電子制造大國向電子制造強國發(fā)展必須重視的重要課題。導(dǎo)致虛焊的原因大致分為幾個方面：1）元器件因素；2）基板（通常為PCB）因素；3）助焊劑、焊料因素；四、工藝參數(shù)及其他因素。下面進行詳細分析。1元器件因素引起的虛焊及其預(yù)防元器件可焊部分的金屬鍍層厚度不夠、氧化、污染、變形都可造成虛焊的結(jié)果?？珊覆糠值慕饘馘儗雍穸炔粔蛲ǔＴ骷珊该驽冇幸欢ê穸鹊?、銀白色的、均勻的易焊錫層，如果鍍層太薄或者鍍層不均勻，...

2N7002和2N7002K是一款帶ESD防靜電保護的場效應(yīng)管，封裝形式為SOT-23，深圳市盟科電子科技有限公司從2010年成立至今一直專注場效應(yīng)管的研發(fā)、生產(chǎn)和應(yīng)用。主要生產(chǎn)場效應(yīng)管，三極管，二極管，可控硅，LDO等。質(zhì)量可靠，且提供全程的售前售后服務(wù)。這款2N7002產(chǎn)品是N溝道增強型帶靜電保護MOS，ESD可達2000V，其電壓BVDSS是大于60V，電流ID可達300mA，阻抗Rdon在VGS@10V檔位下典型值為1歐姆，開啟電壓VGS(th)典型值在2-4V。本款產(chǎn)品包裝為3000PCS，標準絲印為7002和02K，也可以支持ODM定制，交期大多在15天就可以產(chǎn)出。主要用于...

三極管是電流控制型器件－通過基極電流或是發(fā)射極電流去控制集電極電流；又由于其多子和少子都可導(dǎo)電稱為雙極型元件）NPN型三極管共發(fā)射極的特性曲線三極管各區(qū)的工作條件：1．放大區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏：2．飽和區(qū)：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏；3．截止區(qū)：發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。11、半導(dǎo)體三極管的好壞檢測a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位b;測量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的正向電阻值:紅表筆接基極,黑表筆接發(fā)射極,所測得阻值為發(fā)射極正向電阻值,若將黑表筆接集電極(紅表筆不動),所測得阻值便是集電極的正向電阻值,正向電阻值愈小愈好.c;測量PNP型半導(dǎo)體三極管的發(fā)射極和集電極的反...

MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應(yīng)管可分為N溝道型和P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因為在P型半導(dǎo)體端為...

目視可檢查出較為嚴重的氧化，對于氧化后的電子元器件，或棄之不用，或去氧化處理合格后再用。一般處理氧化層采用外力擦、刮；微酸清洗；涂抹助焊劑，然后搪錫使用。（表面貼裝元器件因其封裝體積小，氧化一般不易處理，通常退回廠家換貨或報廢處理）元器件是否氧化除目檢以外，還有較為復(fù)雜詳細的可焊性試驗檢測標準，條件不具備的，可用手工、波峰焊或回流焊方法，對元器件進行批次抽樣試焊。電子元器件儲存條件及儲存期見下表：元器件可焊面的污染在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，元器件要經(jīng)過來料接收清點、存儲、發(fā)料、成型和插件（THT工藝）、SMC和SMD的上下料、貼裝和手工補焊等工序或操作，難免會產(chǎn)生灰塵、油污及汗?jié)n的污染，造成電...

MOS場效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)。它一般有耗盡型和增強型兩種。增強型MOS場效應(yīng)管可分為N溝道型和P溝道型。對于N溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極接在N型半導(dǎo)體上，同樣對于P溝道的場效應(yīng)管其源極和漏極則接在P型半導(dǎo)體上。場效應(yīng)管的輸出電流是由輸入的電壓（或稱電場）控制，可以認為輸入電流極小或沒有輸入電流，這使得該器件有很高的輸入阻抗，同時這也是我們稱之為場效應(yīng)管的原因。在二極管加上正向電壓（P端接正極，N端接負極）時，二極管導(dǎo)通，其PN結(jié)有電流通過。這是因為在P型半導(dǎo)體端為...

則該三極管是PNP型半導(dǎo)體三極管.8、現(xiàn)在常見的三極管大部分是塑封的，如何準確判斷三極管的三只引腳哪個是b、c、e？三極管的b極很容易測出來，但怎么斷定哪個是c哪個是e？a;這里推薦三種方法：第一種方法：對于有測三極管hFE插孔的指針表，先測出b極后，將三極管隨意插到插孔中去（當然b極是可以插準確的），測一下hFE值，b;然后再將管子倒過來再測一遍，測得hFE值比較大的一次，各管腳插入的位置是正確的。第二種方法：對無hFE測量插孔的表，或管子太大不方便插入插孔的,可以用這種方法：對NPN管，先測出b極（管子是NPN還是PNP以及其b腳都很容易測出，是吧？），將表置于R×1kΩ檔，將紅表...

表示柵源極間PN結(jié)處于正偏時柵極電流的方向。P溝道結(jié)型場效應(yīng)管除偏置電壓的極性和載流子的類型與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管不同外，其工作原理完全相同。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作為金屬鋁柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，簡稱MOS管。它有N溝道和P溝道兩類，而每一類又分增強型和耗盡型兩種。所謂增強型就是UGS=0時，漏源之間沒有導(dǎo)電溝道，即使在漏源之間加上一定范圍內(nèi)的電壓，也沒有漏極電流；反之，在UGS=0時，漏源之間存在有導(dǎo)電溝道的稱為耗盡型。N溝道增強型MOS管是一塊雜質(zhì)濃度較低的P型硅片作為襯底B，在其中擴散兩個N+區(qū)作為電極，分別稱為源極S和漏極D。半導(dǎo)體表面...

讓氮氣把焊料與空氣隔絕開來，這樣就大為減少浮渣的產(chǎn)生。目前較好的方法是在氮氣保護下使用含磷的焊料，可將浮渣率控制在**低的程度，焊接缺陷**少。在SMT工藝中回流焊工序，焊膏在使用中也會不斷氧化，其中的金屬含量越來越低，或者其中的助焊劑變少，也會造成虛焊。合理選用回流溫度曲線，可降低虛焊的產(chǎn)生。焊料與PCB金屬層，焊料與元件腳金屬層之間的匹配不當，也會造成虛焊。有鉛焊料與無鉛焊端混用時，如果采用有鉛焊料的溫度曲線，有鉛焊料先熔，而無鉛焊端不能完全熔化，使元件一側(cè)的界面不能生成良好的金屬間合金層，因此有鉛焊料與無鉛焊端混用時焊接質(zhì)量**差。在這種情況下，可提高焊接溫度，一般提高到230～...

晶閘管又稱可控硅，其與場效應(yīng)管一樣，皆為半導(dǎo)體器件，它們的外形封裝也基本一樣，但它們在電路中的用途卻不一樣。晶閘管可分為單向晶閘管和雙向晶閘管兩種。它們在電子電路中可以作為電子開關(guān)使用，用來控制負載的通斷；可以用來調(diào)節(jié)交流電壓，從而實現(xiàn)調(diào)光、調(diào)速、調(diào)溫。另外，單向晶閘管還可以用于整流。晶閘管在日常中用的很廣，像家里用的聲控燈，一般采用BT169、MCR100-6這類小功率單向晶閘管作為電子開關(guān)驅(qū)動燈泡工作。在白熾燈泡無級調(diào)光或電風扇無級調(diào)速電路中，常用BT136這類大功率的雙向晶閘管來實現(xiàn)調(diào)光或調(diào)速。雙向晶閘管的電路符號。MOS場效應(yīng)管的電路符號。場效應(yīng)管屬于單極型半導(dǎo)體器件，其可以分...

盟科SOT-23-6L SOP-8這兩個封裝主要做一些N+P 雙N 雙P的產(chǎn)品。很多型號參數(shù)可以跟AO萬代pin對pin。主要用于電機控制，LED背板，同步整流。MK6801 MK6800 MK6804 MK6404 MK9926 MK4606等**型號長期穩(wěn)定供貨。具體規(guī)格可聯(lián)系我們索取資料和樣品。盟科的這類產(chǎn)品因成本優(yōu)勢，質(zhì)量保證，很多客戶選擇去替代進口料。原材料選擇上，本司一直本著質(zhì)量為主。各流程管控，盟科的場效應(yīng)管市場認可度很高，這也致使我們不斷努力，不斷改進，為客戶提供更為質(zhì)量的產(chǎn)品，更為***的服務(wù)。成為客戶認可的供應(yīng)商。工廠在深圳松崗，設(shè)備大多使用行業(yè)認可的品牌，管理和工程團隊也...

就叫此極為公共極。注：交流信號從基極輸入，集電極輸出，那發(fā)射極就叫公共極。交流信號從基極輸入，發(fā)射極輸出，那集電極就叫公共極。交流信號從發(fā)射極輸入，集電極輸出，那基極就叫公共極。7、用萬用表判斷半導(dǎo)體三極管的極性和類型(用指針式萬用表).a;先選量程：R﹡100或R﹡1K檔位.b;判別半導(dǎo)體三極管基極：用萬用表黑表筆固定三極管的某一個電極，紅表筆分別接半導(dǎo)體三極管另外兩各電極，觀察指針偏轉(zhuǎn)，若兩次的測量阻值都大或是都小，則改腳所接就是基極（兩次阻值都小的為NPN型管，兩次阻值都大的為PNP型管），若兩次測量阻值一大一小，則用黑筆重新固定半導(dǎo)體三極管一個引腳極繼續(xù)測量，直到找到基極。c;...

MOS場效應(yīng)管的測試方式(1)．打算工作測量之前，先把人體對地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連接，使人體與大地維持等電位。再把管腳分離，然后拆掉導(dǎo)線。(2)．判斷電極將萬用表撥于R×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的電阻都是無限大，驗證此腳就是柵極G。交換表筆重測量，S-D之間的電阻值應(yīng)為幾百歐至幾千歐，其中阻值較小的那一次，黑表筆接的為D極，紅表筆接的是S極。日本生產(chǎn)的3SK系列產(chǎn)品，S極與管殼接通，據(jù)此很容易確定S極。(3)．檢驗放大能力(跨導(dǎo))將G極懸空，黑表筆接D極，紅表筆接S極，然后用指頭觸摸G極，表針理應(yīng)較大的偏轉(zhuǎn)。雙柵MOS場效應(yīng)管有兩...

MOS電容的詳細介紹首先考察一個更簡單的器件——MOS電容——能更好的理解MOS管。這個器件有兩個電極，一個是金屬，另一個是外在硅，他們之間由一薄層二氧化硅分隔開。金屬極就是GATE，而半導(dǎo)體端就是backgate或者body。他們之間的絕緣氧化層稱為柵介質(zhì)（gatedielectric）。這個MOS電容的電特性能通過把backgate接地，gate接不同的電壓來說明。MOS電容的GATE電位是0V。金屬GATE和半導(dǎo)體BACKGATE在WORKFUNCTION上的差異在電介質(zhì)上產(chǎn)生了一個小電場。在器件中，這個電場使金屬極帶輕微的正電位，P型硅負電位。這個電場把硅中底層的電子吸引到表面...

目視可檢查出較為嚴重的氧化，對于氧化后的電子元器件，或棄之不用，或去氧化處理合格后再用。一般處理氧化層采用外力擦、刮；微酸清洗；涂抹助焊劑，然后搪錫使用。（表面貼裝元器件因其封裝體積小，氧化一般不易處理，通常退回廠家換貨或報廢處理）元器件是否氧化除目檢以外，還有較為復(fù)雜詳細的可焊性試驗檢測標準，條件不具備的，可用手工、波峰焊或回流焊方法，對元器件進行批次抽樣試焊。電子元器件儲存條件及儲存期見下表：元器件可焊面的污染在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，元器件要經(jīng)過來料接收清點、存儲、發(fā)料、成型和插件（THT工藝）、SMC和SMD的上下料、貼裝和手工補焊等工序或操作，難免會產(chǎn)生灰塵、油污及汗?jié)n的污染，造成電...

我司主營場效應(yīng)管，二極管，三極管，穩(wěn)壓電路，晶閘管，可控硅等半導(dǎo)體元器件，超過8種封裝如：SOT-23，SOT-23-3L，SOT-23-5L，SOT-23-6L，TO-252，TO-251，SOT-89，SOT-223等。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動通信，計算機，電源，節(jié)能燈，玩具，儀器儀表，家用電器，工業(yè)自動化設(shè)備等領(lǐng)域，且可承接OEM / ODM定制。我司獲得多項國家實用新型專利和軟件著作權(quán)，為響應(yīng)世界環(huán)保機構(gòu)的倡導(dǎo)，保護全球日益嚴重的生態(tài)環(huán)境，從瑞士，日本，俄羅斯，等地采購質(zhì)量的原材料和先進的生產(chǎn)設(shè)備，嚴格控制原材料的來源、生產(chǎn)過程等各個環(huán)節(jié)，先后通過了歐盟REACH-SVHC 211項環(huán)保檢測...

書上說，MOS管的主要作用是放大。不過實際在智能硬件產(chǎn)品開發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開發(fā)中，幾乎沒有用到放大用的MOS管，絕大部分是用來做開關(guān)的。偶爾有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的?？梢院敛豢鋸埖闹v，只要不是做IC設(shè)計的，幾乎用不到MOS管的放大功能。自己搭出來的MOS放大電路，性能不可能有專業(yè)芯片公司做的好的。MOS管在常用的數(shù)字電路板上的用法：用作開關(guān)的時候，不管是N-MOS還是P-MOS，記住一句話即可：VGS有電壓差，MOS管就導(dǎo)通。VGS沒有電壓差，MOS管就關(guān)閉。MOS管常見的主要用途有以下幾種負極開關(guān)（N-MOS）：設(shè)備控制LED燈控制電路馬達控制電路N-MOS廣泛應(yīng)用...

盟科電子中低壓MOS管很有優(yōu)勢，選型上電壓從20V-100V，電流從2A-50A等。用于消費類市場，如MK2301 MK2302 MK3400 MK3401這些為耐壓20V 30V的MOS管，成本低，用作開關(guān)，調(diào)檔。小風扇，電動玩具，按摩器，安防市場等。外觀選型上，小體積的有SOT-23、SOT-23-3L、SOT-23-6L，大體積的有TO-252。本司晶圓大多選用進口芯片，十幾年的封裝經(jīng)驗使得我們的產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，依靠我們的MES制造執(zhí)行系統(tǒng)，讓我們的制程更加可控。公司產(chǎn)品可以完美匹配AO萬代，SI威世，LRC樂山無線電，長晶科技等，歡迎客戶索要樣品測試，我們將竭誠為您服務(wù)。絕緣柵場效應(yīng)管（...

當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現(xiàn)了。MOS電容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反轉(zhuǎn)（VBG=3V），（C）積累（VBG=-3V）。正是當MOS電容的GATE相對于backgate是負電壓時的情況。電場反轉(zhuǎn)，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處于accumulation狀態(tài)了。MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設(shè)sou...

表示柵源極間PN結(jié)處于正偏時柵極電流的方向。P溝道結(jié)型場效應(yīng)管除偏置電壓的極性和載流子的類型與N溝道結(jié)型場效應(yīng)管不同外，其工作原理完全相同。絕緣柵型場效應(yīng)管（MOS管）中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作為金屬鋁柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，簡稱MOS管。它有N溝道和P溝道兩類，而每一類又分增強型和耗盡型兩種。所謂增強型就是UGS=0時，漏源之間沒有導(dǎo)電溝道，即使在漏源之間加上一定范圍內(nèi)的電壓，也沒有漏極電流；反之，在UGS=0時，漏源之間存在有導(dǎo)電溝道的稱為耗盡型。N溝道增強型MOS管是一塊雜質(zhì)濃度較低的P型硅片作為襯底B，在其中擴散兩個N+區(qū)作為電極，分別稱為源極S和漏極D。半導(dǎo)體表面...

1、MOS三個極怎么識別判斷2、寄生二極管我們看到D極和S極之間存在著一個二極管，這個二極管叫寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來的呢?翻開大學里的模擬電路書里面并沒有寄生二極管的介紹。在網(wǎng)上查了一番資料才知道，它是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極從硅片底部引出，就會有這個寄生二極管。小功率MOS管例如集成芯片中的MOS管是平面結(jié)構(gòu)，漏極引出方向是從硅片的上面也就是與源極等同一方向，沒有這個二極管。模擬電路書里講得就是小功率MOS管的結(jié)構(gòu)，所以沒有這個二極管。但D極和襯底之間都存在寄生二極管，如果是單個晶體管，襯底當然接S極，因此自然在DS之間有二極管。如果在IC里面，N—MOS襯...

MOS場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管雙極性三極管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場合下不能滿足人們的要求，經(jīng)過不斷的探索和實踐，人們研制出一種仍具有PN結(jié)，但工作機理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場效應(yīng)管(FET)。場效應(yīng)三極管用電場效應(yīng)來控制電流，故此命名，它的特點是輸入阻抗高、噪音低、熱穩(wěn)定性好且抗幅射能力強，在工藝上便于集成，因此得到很廣的應(yīng)用。根據(jù)結(jié)構(gòu)和原理的不同，場效應(yīng)三極管可分為以下兩大類。①結(jié)型場效應(yīng)三極管(JFET)。②絕緣柵型場效應(yīng)三極管(MOS管)結(jié)型場效應(yīng)管。（JFET）以N溝道結(jié)型場效應(yīng)管為例，以一塊N型(多子為電子)半導(dǎo)體作基片，在它的兩側(cè)各光刻出一塊區(qū)域，進行高濃...

低壓MOS場效應(yīng)管MK31015P采用先進的溝槽技術(shù)和設(shè)計，以提供低柵電荷的優(yōu)良RDS(ON)。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。一般特征：VDS=-30V,ID=-50A,RDS(ON)<20mΩ@10VRdson高密度電池設(shè)計充分表征雪崩電壓和電流穩(wěn)定性好，均勻性好，EAS高優(yōu)異的散熱包裝應(yīng)用程序：負荷開關(guān)電池保護比較大額定值(TC=25℃，除非另有說明)：漏源電壓：-30v柵源電壓：±20v漏電流連續(xù)：-50a漏電流連續(xù)(TC=100℃)：脈沖漏電流：-150a比較大功耗,工作結(jié)和儲存溫度范圍：-55~150℃：盟科電子產(chǎn)品場效應(yīng)管主要適用于：開關(guān)電源、報警器、控制器、安定器、電表、電動...

當GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時，不會形成channel。當電壓差超過閾值電壓時，channel就出現(xiàn)了。MOS電容：（A）未偏置（VBG=0V），（B）反轉(zhuǎn)（VBG=3V），（C）積累（VBG=-3V）。正是當MOS電容的GATE相對于backgate是負電壓時的情況。電場反轉(zhuǎn)，往表面吸引空穴排斥電子。硅表層看上去更重的摻雜了，這個器件被認為是處于accumulation狀態(tài)了。MOS電容的特性能被用來形成MOS管。Gate，電介質(zhì)和backgate保持原樣。在GATE的兩邊是兩個額外的選擇性摻雜的區(qū)域。其中一個稱為source，另一個稱為drain。假設(shè)sou...

以上的MOS開關(guān)實現(xiàn)的是信號切換(高低電平的切換)，那么MOS在電路中要實現(xiàn)開關(guān)作用應(yīng)該滿足什么條件呢?還有前面提過MOS管接入電路哪個極接輸入哪個極接輸出(提示：寄生二極管是關(guān)鍵)?我們先看MOS管做開關(guān)時在電路的接法。想一想為什么是這樣接呢?反過來接行不行?那是不行的。就拿NMOS管來說S極做輸入D極做輸出，由于寄生二極管直接導(dǎo)通，因此S極電壓可以無條件到D極，MOS管就失去了開關(guān)的作用，同理PMOS管反過來接同樣失去了開關(guān)作用。接下來談?wù)凪OS管的開關(guān)條件，我們可以這么記，不論是P溝道還是N溝道，G極電壓都是與S極電壓做比較：N溝道：UG>US時導(dǎo)通。(簡單認為)UG=US時截止...