深圳市盟科電子科技有限公司座落于深圳市寶安區(qū)，成立于2010年，占地面積10000余平方米，是一家專業(yè)的半導(dǎo)體研發(fā)制造商。我司專注于半導(dǎo)體元器件的研發(fā)、生產(chǎn)、加工和銷售。作為國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)，憑借多年的經(jīng)驗(yàn)和發(fā)展，現(xiàn)已達(dá)年產(chǎn)50億只生產(chǎn)規(guī)模。我司主營(yíng)場(chǎng)效應(yīng)管，...

三極管是流控型器件，MOS管是壓控型器件，可控硅不單單是流控型器件，稍微復(fù)雜一點(diǎn)。分別介紹。三極管的控制方式三極管是常用的電子元器件，可以用作開(kāi)關(guān)，也可以用作信號(hào)放大。三極管分為NPN型和PNP型，當(dāng)三極管的PN結(jié)正向偏置之后，三極管導(dǎo)通。對(duì)于NPN三...

場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀儀器主要用以功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子電子元件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。耐壓測(cè)試儀方法特性：是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國(guó)內(nèi)、國(guó)際的安全基準(zhǔn)而設(shè)計(jì)，是交流安全通用測(cè)...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為N溝道型和P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管也被稱為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MetalOxideSemiconductorFieldEffectTransistor,MOSFET)。它一般有耗盡型和增強(qiáng)型兩種。增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)管可分為N溝道型和P溝道型。對(duì)于N溝道的場(chǎng)效應(yīng)管其源...

MOS場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試方式(1)．打算工作測(cè)量之前，先把人體對(duì)地短路后，才能摸觸MOSFET的管腳。在手腕上接一條導(dǎo)線與大地連接，使人體與大地維持等電位。再把管腳分離，然后拆掉導(dǎo)線。(2)．判斷電極將萬(wàn)用表?yè)苡赗×100檔，首先確定柵極。若某腳與其它腳的...

讓氮?dú)獍押噶吓c空氣隔絕開(kāi)來(lái)，這樣就大為減少浮渣的產(chǎn)生。目前較好的方法是在氮?dú)獗Ｗo(hù)下使用含磷的焊料，可將浮渣率控制在**低的程度，焊接缺陷**少。在SMT工藝中回流焊工序，焊膏在使用中也會(huì)不斷氧化，其中的金屬含量越來(lái)越低，或者其中的助焊劑變少，也會(huì)造成虛...

盟科SOT-23-6L SOP-8這兩個(gè)封裝主要做一些N+P 雙N 雙P的產(chǎn)品。很多型號(hào)參數(shù)可以跟AO萬(wàn)代pin對(duì)pin。主要用于電機(jī)控制，LED背板，同步整流。MK6801 MK6800 MK6804 MK6404 MK9926 MK4606等**型號(hào)長(zhǎng)期穩(wěn)...

目視可檢查出較為嚴(yán)重的氧化，對(duì)于氧化后的電子元器件，或棄之不用，或去氧化處理合格后再用。一般處理氧化層采用外力擦、刮；微酸清洗；涂抹助焊劑，然后搪錫使用。（表面貼裝元器件因其封裝體積小，氧化一般不易處理，通常退回廠家換貨或報(bào)廢處理）元器件是否氧化除目檢...

MOS場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管雙極性三極管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場(chǎng)合下不能滿足人們的要求，經(jīng)過(guò)不斷的探索和實(shí)踐，人們研制出一種仍具有PN結(jié)，但工作機(jī)理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場(chǎng)效應(yīng)管(FET)。場(chǎng)效應(yīng)三極管用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流，故此命名...

低壓MOS場(chǎng)效應(yīng)管MK31015P采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，以提供低柵電荷的優(yōu)良RDS(ON)。它可以用于各種各樣的應(yīng)用。一般特征：VDS=-30V,ID=-50A,RDS(ON)<20mΩ@10VRdson高密度電池設(shè)計(jì)充分表征雪崩電壓和電流穩(wěn)定性好...

表示柵源極間PN結(jié)處于正偏時(shí)柵極電流的方向。P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管除偏置電壓的極性和載流子的類型與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管不同外，其工作原理完全相同。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作為金屬鋁柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，簡(jiǎn)稱MOS管。...

1、MOS三個(gè)極怎么識(shí)別判斷2、寄生二極管我們看到D極和S極之間存在著一個(gè)二極管，這個(gè)二極管叫寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來(lái)的呢?翻開(kāi)大學(xué)里的模擬電路書(shū)里面并沒(méi)有寄生二極管的介紹。在網(wǎng)上查了一番資料才知道，它是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極...

MOS場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管雙極性三極管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場(chǎng)合下不能滿足人們的要求，經(jīng)過(guò)不斷的探索和實(shí)踐，人們研制出一種仍具有PN結(jié)，但工作機(jī)理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場(chǎng)效應(yīng)管(FET)。場(chǎng)效應(yīng)三極管用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流，故此命名...

TO-252封裝線主要做一些功率mos管，三極管和穩(wěn)壓干，LDO。功率MOS從電壓20V 30V 40V 60V 100V 到650V，電流從10A 20A 30A 40A 到100A。深圳市盟科電子科技有限公司型號(hào)MK30N06參數(shù)穩(wěn)定，溝槽工藝，電壓達(dá)60...

2).取出的MOS器件不能在塑料板上滑動(dòng)，應(yīng)用金屬盤(pán)來(lái)盛放待用器件。(3).焊接用的電烙鐵須要不錯(cuò)接地。(4).在焊接前應(yīng)把電路板的電源線與地線短接，再M(fèi)OS器件焊接完成后在分離。(5).MOS器件各引腳的焊接依次是漏極、源極、柵極。拆機(jī)時(shí)依次相反。(...

按材質(zhì)分可分成結(jié)型管和絕緣柵型管，絕緣柵型又分成耗盡型和增強(qiáng)型，一般主板上大都是絕緣柵型管簡(jiǎn)稱ＭＯＳ管，并且大都使用增強(qiáng)型的Ｎ溝道，其次是增強(qiáng)型的Ｐ溝道，結(jié)型管和耗盡型管幾乎不須。五主板上用的場(chǎng)效應(yīng)管的屬性：1、工作條件：Ｄ極要有供電，Ｇ極要有控制電壓...

場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀儀器主要用以功率場(chǎng)效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對(duì)及其它電子電子元件的耐壓測(cè)試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測(cè)試儀和P溝導(dǎo)型測(cè)試儀兩種。耐壓測(cè)試儀方法特性：是按照IEC、ISO、BS、UL、JIS等國(guó)內(nèi)、國(guó)際的安全基準(zhǔn)而設(shè)計(jì)，是交流安全通用測(cè)...

2)交流參數(shù)低頻跨導(dǎo)gm它是描述柵、源電壓對(duì)漏極電流的控制效用。極間電容場(chǎng)效應(yīng)管三個(gè)電極之間的電容，它的值越小表示管子的性能越好。(3)極限參數(shù)漏、源擊穿電壓當(dāng)漏極電流急遽上升時(shí)，產(chǎn)生雪崩擊穿時(shí)的UDS。柵極擊穿電壓結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，柵、源極之間...

盟科電子中低壓MOS管很有優(yōu)勢(shì)，選型上電壓從20V-100V，電流從2A-50A等。用于消費(fèi)類市場(chǎng)，如MK2301 MK2302 MK3400 MK3401這些為耐壓20V 30V的MOS管，成本低，用作開(kāi)關(guān)，調(diào)檔。小風(fēng)扇，電動(dòng)玩具，按摩器，安防市場(chǎng)等。外觀選...

場(chǎng)效應(yīng)管是只要一種載流子參與導(dǎo)電，用輸入電壓控制輸出電流的半導(dǎo)體器件。有N溝道器件和P溝道器件。有結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)三極管JFET(JunctionFieldEffectTransister)和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)三極管FET之分。FET也稱金屬-氧化物-半導(dǎo)體三極...

通常拆封后烘烤方式來(lái)去除板內(nèi)濕氣，烘烤條件為110～120℃，1h。(**長(zhǎng)時(shí)間不要超過(guò)h)。化金板真空包裝前后之存放條件:溫度<30℃，相對(duì)濕度<60%.真空包裝后有效保存時(shí)間半年。儲(chǔ)存時(shí)間超過(guò)六個(gè)月時(shí)，為了避免板材儲(chǔ)藏濕氣造成爆板,通常拆封后用烘烤...

MOS場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體三極管雙極性三極管是電流控制器件，其輸入電阻不夠高，在許多場(chǎng)合下不能滿足人們的要求，經(jīng)過(guò)不斷的探索和實(shí)踐，人們研制出一種仍具有PN結(jié)，但工作機(jī)理全然不同的新型半導(dǎo)體器件--場(chǎng)效應(yīng)管(FET)。場(chǎng)效應(yīng)三極管用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制電流，故此命名...

以上的MOS開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的是信號(hào)切換(高低電平的切換)，那么MOS在電路中要實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)作用應(yīng)該滿足什么條件呢?還有前面提過(guò)MOS管接入電路哪個(gè)極接輸入哪個(gè)極接輸出(提示：寄生二極管是關(guān)鍵)?我們先看MOS管做開(kāi)關(guān)時(shí)在電路的接法。想一想為什么是這樣接呢?反過(guò)來(lái)...

當(dāng)然測(cè)量時(shí)表筆要交換一下測(cè)兩次，比較讀數(shù)后才能***判定。這個(gè)方法適用于所有外形的三極管，方便實(shí)用。根據(jù)表針的偏轉(zhuǎn)幅度，還可以估計(jì)出管子的放大能力，當(dāng)然這是憑經(jīng)驗(yàn)的。c;第三種方法：先判定管子的NPN或PNP類型及其b極后，將表置于R×10kΩ檔，對(duì)N...

書(shū)上說(shuō)，MOS管的主要作用是放大。不過(guò)實(shí)際在智能硬件產(chǎn)品開(kāi)發(fā)和物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品開(kāi)發(fā)中，幾乎沒(méi)有用到放大用的MOS管，絕大部分是用來(lái)做開(kāi)關(guān)的。偶爾有些放大作用的MOS管，也是集成在芯片里面的?？梢院敛豢鋸埖闹v，只要不是做IC設(shè)計(jì)的，幾乎用不到MOS管的放大功能...

表示柵源極間PN結(jié)處于正偏時(shí)柵極電流的方向。P溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管除偏置電壓的極性和載流子的類型與N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管不同外，其工作原理完全相同。絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS管）中，目前常用的是以二氧化硅SiO2作為金屬鋁柵極和半導(dǎo)體之間的絕緣層，簡(jiǎn)稱MOS管。...

這時(shí)黑表筆接的是二極管的負(fù)極,紅表筆接的是二極管的正極.c;測(cè)試注意事項(xiàng)：用數(shù)字式萬(wàn)用表去測(cè)二極管時(shí)，紅表筆接二極管的正極，黑表筆接二極管的負(fù)極，此時(shí)測(cè)得的阻值才是二極管的正向?qū)ㄗ柚?，這與指針式萬(wàn)用表的表筆接法剛好相反。8、變?nèi)荻O管是根據(jù)普通二極管...

1、MOS三個(gè)極怎么識(shí)別判斷2、寄生二極管我們看到D極和S極之間存在著一個(gè)二極管，這個(gè)二極管叫寄生二極管。MOS的寄生二極管怎么來(lái)的呢?翻開(kāi)大學(xué)里的模擬電路書(shū)里面并沒(méi)有寄生二極管的介紹。在網(wǎng)上查了一番資料才知道，它是由生產(chǎn)工藝造成的，大功率MOS管漏極...

另一部分虛焊焊點(diǎn)往往在一年甚至更長(zhǎng)的時(shí)間才出現(xiàn)開(kāi)路的現(xiàn)象，使產(chǎn)品停止工作，造成損失。虛焊有其隱蔽性、故障出現(xiàn)的偶然性以及系統(tǒng)崩潰損失的重大性，不可忽視。研究虛焊的成因，降低其危害，是我國(guó)從電子制造大國(guó)向電子制造強(qiáng)國(guó)發(fā)展必須重視的重要課題。導(dǎo)致虛焊的原因...