EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞...

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開(kāi)研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來(lái)保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒...

EVG?6200鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign?包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm...

1)由既定拉力測(cè)試高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí)，解決了鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對(duì)環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。2)由高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實(shí)現(xiàn)圖形...

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開(kāi)研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等...

EVG?301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔單面清潔刷（選件）用于晶圓清洗的稀釋化學(xué)品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過(guò)程選件帶有紅外檢查的預(yù)鍵合臺(tái)非SEMI標(biāo)準(zhǔn)基材的工具技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和10...

EVG?850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作（錯(cuò)誤加載，SMIF或FOUP）無(wú)污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的...

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展...

EVG?620BA自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)：用于晶圓間對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于研究和試生產(chǎn)。EVG620鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)以其高度的自動(dòng)化和可靠性而聞名，專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對(duì)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)。EVGroup的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以...

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途：自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級(jí)3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及...

EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動(dòng)化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個(gè)清洗站，該清洗站使用標(biāo)準(zhǔn)的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項(xiàng)來(lái)清洗晶片。EVG301具有手動(dòng)加載和預(yù)對(duì)準(zhǔn)功能，是一種多功能的研...

薄膜應(yīng)力分析儀維護(hù)保養(yǎng)：1、避免撞擊和振動(dòng)：薄膜應(yīng)力分析儀在使用過(guò)程中避免撞擊和振動(dòng)，以免對(duì)儀器產(chǎn)生損壞。2、 適當(dāng)?shù)募訜幔涸谙鄬?duì)潮濕的環(huán)境下測(cè)試時(shí)，需要對(duì)儀器和樣品進(jìn)行適當(dāng)加熱，以減少水氣對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響。3、使用原配件：更換部件時(shí)，應(yīng)使用原配件，以免影響儀...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟，但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差。本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問(wèn)題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過(guò)渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對(duì)硅晶圓表...

Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560?，GEMINI ? 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對(duì)準(zhǔn)器（面對(duì)面，背面，紅外和透明對(duì)準(zhǔn)） 無(wú)需Z軸運(yùn)動(dòng)，也無(wú)需重新...

在將半導(dǎo)體晶圓切割成子部件之前，有機(jī)會(huì)使用自動(dòng)步進(jìn)測(cè)試儀來(lái)測(cè)試它所攜帶的眾多芯片，這些測(cè)試儀將測(cè)試探針順序放置在芯片上的微觀端點(diǎn)上，以激勵(lì)和讀取相關(guān)的測(cè)試點(diǎn)。這是一種實(shí)用的方法，因?yàn)橛腥毕莸男酒粫?huì)被封裝到ZUI終的組件或集成電路中，而只會(huì)在ZUI終測(cè)試時(shí)被拒...

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝，如陽(yáng)極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì)，讓用戶能快速，輕松地重新裝配...

熔融和混合鍵合系統(tǒng)： 熔融或直接晶圓鍵合可通過(guò)每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用，例如背面照明的CMOS圖像傳感器?；旌湘I合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對(duì)面連接?；旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級(jí)3D...

EVGroup開(kāi)發(fā)了MLE?（無(wú)掩模曝光）技術(shù)，通過(guò)消除與掩模相關(guān)的困難和成本，滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開(kāi)發(fā)周期的關(guān)鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開(kāi)發(fā)設(shè)備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案，可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)...

EVG?850TB臨時(shí)鍵合機(jī)特征：開(kāi)放式膠粘劑平臺(tái)；各種載體（硅，玻璃，藍(lán)寶石等）；適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合；程序控制系統(tǒng)；實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過(guò)程參數(shù)；完全集成的SECS/GEM接口；可選的集成在線計(jì)量模塊，用于自動(dòng)反饋...

一旦將晶片粘合在一起，就必須測(cè)試粘合表面，看該工藝是否成功。通常，將批處理過(guò)程中產(chǎn)生的一部分產(chǎn)量留給破壞性和非破壞性測(cè)試方法使用。破壞性測(cè)試方法用于測(cè)試成品的整體剪切強(qiáng)度。非破壞性方法用于評(píng)估粘合過(guò)程中是否出現(xiàn)了裂紋或異常，從而有助于確保成品沒(méi)有缺陷。EVGr...

半導(dǎo)體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤，在制造過(guò)程中可承載非本征半導(dǎo)體。它們是正（P）型半導(dǎo)體或負(fù)（N）型半導(dǎo)體的臨時(shí)形式。硅晶片是非常常見(jiàn)的半導(dǎo)體晶片，因?yàn)楣枋钱?dāng)夏流行的半導(dǎo)體，這是由于其在地球上的大量供應(yīng)。半導(dǎo)體晶圓是從錠...

EVG?620BA自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)：用于晶圓間對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，用于研究和試生產(chǎn)。EVG620鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)以其高度的自動(dòng)化和可靠性而聞名，專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對(duì)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)。EVGroup的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以...

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展...

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展...

1)由既定拉力測(cè)試高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí)，解決了鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對(duì)環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。2)由高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實(shí)現(xiàn)圖形...

1)由既定拉力測(cè)試高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí)，解決了鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對(duì)環(huán)境要求苛刻的問(wèn)題。2)由高低溫循環(huán)測(cè)試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實(shí)現(xiàn)圖形...

EVG320技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）200、100-300毫米清潔系統(tǒng)開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞...

引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導(dǎo)體中，這是因?yàn)槠涑杀拘矢咔乙子趹?yīng)用。在ZUI佳環(huán)境中，每秒ZUI多可以創(chuàng)建10個(gè)鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金，但由于銅的相對(duì)成...

鍵合卡盤承載來(lái)自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過(guò)程?？梢允褂眠m合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤來(lái)處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發(fā)的鍵合機(jī)。 晶圓鍵合類型 ■陽(yáng)極鍵合 ■黏合劑鍵合 ...

從表面上看，“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個(gè)術(shù)語(yǔ)，但由于涉及更多的變量，因此該過(guò)程實(shí)際上要復(fù)雜得多。為了將各種組件長(zhǎng)久地連接在一起，在電子設(shè)備上執(zhí)行引線鍵合過(guò)程，但是由于項(xiàng)目的精致性，由于它們的導(dǎo)電性和相對(duì)鍵合溫度，通常jin應(yīng)用金，鋁和銅。通過(guò)使用球形鍵合或...