隨著開關(guān)頻率和溫度的升高，ESR會下降。額定紋波電流電容的紋波電流，要滿足DCDC設(shè)計的輸入和輸出電容的RMS電流的需求。鋁電解電容的額定紋波電流需要根據(jù)開關(guān)頻率來修正。壽命鋁電解電容的壽命比較短，選型需要注意。而壽命是和工作溫度直接相關(guān)的，規(guī)格書通常給出產(chǎn)品最高溫度時的壽命，例如105℃時，壽命為2000小時。根據(jù)經(jīng)驗規(guī)律，工作溫度每下降10℃，壽命乘以2。如果產(chǎn)品的設(shè)計使用壽命為3年，也就是26280小時。則10*log2(26280/2000)=℃，那么設(shè)計工作溫度不能超過65℃。聚合物鋁電解電容像Intel的CPU這樣的大功耗器件，一顆芯片80多瓦的功耗，核電流幾十到上百安，同時主頻很高，高頻成分多。這時對去耦電容的要求就很高：·電容值要大，滿足大電流要求；·額定RMS電流要大，滿足大電流要求；·ESR要小，滿足高頻去耦要求；·容值穩(wěn)定性要好；·表面帖裝，高度不能太高，因為通常放置在CPU背面的BOTTOM層，以達到極好的去耦效果。選擇聚合物鋁電解電容極為合適。對于音頻電路，通常需要用到耦合、去耦電容，由于音頻的頻率很低，所以需要用大電容，此時聚合物鋁電解電容也很合適。3鉭電容根據(jù)前文相關(guān)資料的來源，可以發(fā)現(xiàn)。華科、國巨電容找巨新科。鹽田區(qū)壓敏電容型號
有電感、電容等所有系列的產(chǎn)品及相關(guān)參數(shù)曲線，非常全，不得不再次推薦一下：·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI電容ClassI電容應(yīng)用極多的是C0G電容，性能穩(wěn)定，適用于諧振、匹配、濾波等高頻電路。C0G電容的容值十分穩(wěn)定，基本不隨外界條件(頻率除外)變化，下圖是Murata一款1000pF電容的直流、交流及溫度特性。圖片來自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要關(guān)注C0G電容的頻率特性。下圖是Murata的3款相同封裝(0402inch)相同容差(5%)的10pF電容的頻率特性對比。圖片來自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高頻系列，可見GQM系列高頻性能更好，自諧振頻率和Q值更高，一些高頻性能要求很高的場合，可以選用容差1%的產(chǎn)品。而GRM系列比較便宜，更加通用，例如EMC濾波。ClassII和ClassIII電容ClassII和ClassIII電容都是高介電常數(shù)介質(zhì)，性能不穩(wěn)定，容值變化范圍大，通常用作電源去耦或者信號旁路。以Murata一款22uF、、X5R電容為例，相關(guān)特性曲線：圖片來自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII電容，容值隨溫度、DC偏置以及AC偏置變化范圍較大。特別是用作電源去耦時。鹽田區(qū)瓷片電容型號東莞華科電容代理商公司。
Multi-layerCeramicCapacitor)多層陶瓷電容，也就是MLCC，片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前世界上使用量極大的電容類型，其標(biāo)準(zhǔn)化封裝，尺寸小，適用于自動化高密度貼片生產(chǎn)。也就是我自己設(shè)計的主板，自己拍的照片，加了藝術(shù)效果；沒有標(biāo)引用和出處的圖片和內(nèi)容，絕大多數(shù)都是我自己畫或弄出來的，剩下一點點可能疏忽忘加了；標(biāo)引用的圖片，很多都是我重新加工的，例如翻譯或幾張圖拼在一起等等，工具很土EXCEL+截圖。多層陶瓷電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示：原圖出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多層陶瓷電容生產(chǎn)流程如下圖所示：原圖出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多層陶瓷需要燒結(jié)瓷化，形成一體化結(jié)構(gòu)，所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容，也叫獨石(Monolithic)電容。在談?wù)勲姼兄幸步榻B過多層陶瓷工藝和ThinFilm工藝。ThinFilm技術(shù)在性能或工藝控制方面都比較先進，可以精確的控制器件的電性能和物理性能。因此，ThinFilm電容性能比較好，極小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，極小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm電容可以用于要求比較高的RF領(lǐng)域，AVX有Accu-P?系列。
精度等級與允許誤差對應(yīng)關(guān)系：00（01）-±1%、0（02）-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、Ⅳ-（+20%-10%）、Ⅴ-。+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級，根據(jù)用途選取。額定電壓在低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的長久損壞。電容器應(yīng)用在高壓場合時，必須注意電暈的影響。電暈是由于在介質(zhì)/電極層之間存在空隙而產(chǎn)生的，它除了可以產(chǎn)生損壞設(shè)備的寄生信號外，還會導(dǎo)致電容器介質(zhì)擊穿。在交流或脈動條件下，電暈特別容易發(fā)生。對于所有的電容器，在使用中應(yīng)保證直流電壓與交流峰值電壓之和不的超過直流電壓額定值。絕緣電阻直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.當(dāng)電容較小時，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好。電容的時間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u價大容量電容的絕緣情況而引入了時間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。損耗角正切(tgδ)：電容在電場作用下，在單位時間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。華科電容一級代理商。
在直流電場的作用下，電容器的損耗以漏導(dǎo)損耗的形式存在，一般較小，在交變電場的作用下，電容的損耗不僅與漏導(dǎo)有關(guān)，而且與周期性的極化建立過程有關(guān)。損耗角正切：在規(guī)定頻率的正弦電壓下，電容器的損耗功率除以電容器的無功功率。在實際應(yīng)用中，電容器并不是一個純電容，其內(nèi)部還有等效電阻。C為電容器的實際電容量，Rs是電容器的串聯(lián)等效電阻，Rp是介質(zhì)的絕緣電阻，Ro是介質(zhì)的吸收等效電阻。對于電子設(shè)備來說，要求Rs愈小愈好，也就是說要求損耗功率小，其與電容的功率的夾角δ要小。這個關(guān)系用下式來表達：tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此，在應(yīng)用當(dāng)中應(yīng)注意選擇這個參數(shù)，避免自身發(fā)熱過大，以減少設(shè)備的失效性。頻率特性隨著頻率的上升，一般電容器的電容量呈現(xiàn)下降的規(guī)律。電容器的識別方法：電容的識別方法與電阻的識別方法基本相同，分直標(biāo)法、色標(biāo)法和數(shù)標(biāo)法3種。容量大的電容其容量值在電容上直接標(biāo)明，如9μF/450V22μF/50V容量小的電容其容量值在電容上用字母表示或用數(shù)字表示。字母表示法：1m=1000μF4P7=1n=1000PF數(shù)字表示法：三位數(shù)字的表示法也稱電容量的數(shù)碼表示法。三位數(shù)字的前兩位數(shù)字為標(biāo)稱容量的有效數(shù)宇，第三位數(shù)宇表示有效數(shù)字后面零的個數(shù)。國巨電容代理商巨新科。陶瓷電容哪里買
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它們的單位都是pF。如:102表示標(biāo)稱容量為1000pF。331表示標(biāo)稱容量為330pF。474表示標(biāo)稱容量為47x10(4)pF。在這種表示法中有一個特殊情況，就是當(dāng)?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時，是用有效數(shù)宇乘上來表示容量大小。如:229表示標(biāo)稱容量為允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%電容器的特性與用途通交隔直：作用是阻止直流通過而讓交流通過。如圖中的電容C1和C2，分析三極管工作狀態(tài)時，直流等效電路將電容視為開路，微變等效電路將電容視為短路，從而簡化了電路的分析運算。交流旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。比如下面的電路，可以將高頻信號旁路。交流耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸?shù)较乱患夒娐分绷麟娫礊V波：比如二極管橋式整流后面，用于平滑電流。溫度補償：針對其它元件對溫度的適應(yīng)性不夠帶來的影響，而進行補償，改善電路的穩(wěn)定性。計時：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時間常數(shù)，時間常數(shù)t=RC。調(diào)諧：對與頻率相關(guān)的電路進行系統(tǒng)調(diào)諧，比如手機、收音機、電視機。儲能：比如超級電容器，儲存電能，用于必須要的時候釋放。例如相機閃光燈，加熱設(shè)備等等。超級電容器。鹽田區(qū)壓敏電容型號
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