惠州穩(wěn)壓二極管專(zhuān)賣(mài)店

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-09

    其中a和b分別由式3-1和式3-2表示:[式3-1][式3-2]以及其中r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。8.根據(jù)實(shí)施方案7所述的有機(jī)發(fā)光二極管,其中所述延遲熒光摻雜劑選自式4:[式4]9.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管,其中所述磷光摻雜劑由式5表示:[式5]其中r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺,其中r1與r2或r2與r3或r3與r4結(jié)合以形成稠合的c6-c30芳族環(huán),以及其中n為1至3的整數(shù)。10.根據(jù)實(shí)施方案9所述的有機(jī)發(fā)光二極管,其中所述磷光摻雜劑選自式6:[式6]11.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管,其中所述發(fā)光材料層還包含基質(zhì)。12.根據(jù)實(shí)施方案11所述的有機(jī)發(fā)光二極管,其中相對(duì)于所述基質(zhì),所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比為20%至70%,以及所述磷光摻雜劑的重量百分比為%至2%。13.根據(jù)實(shí)施方案11所述的有機(jī)發(fā)光二極管,其中所述基質(zhì)由式7-1或式7-2表示,[式7-1][式7-2]其中在式7-1中,x為o、s或nr,以及r為c6-c30芳基,其中在式7-1和式7-2中,y為o或s,以及其中在式7-1和式7-2中。樂(lè)山、強(qiáng)茂、捷捷微二極管找巨新科?;葜莘€(wěn)壓二極管專(zhuān)賣(mài)店

    所述像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括一運(yùn)算放大器、二運(yùn)算放大器、一pmos管、二pmos管、三pmos管、四pmos管、一電阻、二電阻、一電流源和二電流源,一運(yùn)算放大器的正相輸入端連接基準(zhǔn)電壓,其反相輸入端連接二pmos管的源極和一電流源,其輸出端連接一pmos管的柵極;一pmos管的源極連接電源電壓,其漏極連接二pmos管的柵極并通過(guò)一電阻后連接負(fù)電源電壓;二運(yùn)算放大器的正相輸入端接地,其反相輸入端連接四pmos管的源極和二電流源,其輸出端連接三pmos管的柵極;三pmos管的源極連接電源電壓,其漏極連接四pmos管的柵極并通過(guò)二電阻后連接負(fù)電源電壓;二pmos管和四pmos管的漏極連接負(fù)電源電壓;所述像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊包括一電流鏡單元、二電流鏡單元、三電阻和五pmos管,所述一電流鏡單元用于將流過(guò)一pmos管的電流按比例鏡像,所述二電流鏡單元用于鏡像流過(guò)三pmos管的電流;五pmos管的柵極連接所述一電流鏡單元的輸出端和所述二電流鏡單元的輸出端并通過(guò)三電阻后連接負(fù)電源電壓,其漏極連接負(fù)電源電壓,其源極輸出浮動(dòng)地電壓作為所述雪崩光電二極管的偏置電壓。具體的,所述一電流鏡單元包括一開(kāi)關(guān)、二開(kāi)關(guān)、三開(kāi)關(guān)、六pmos管、七pmos管和八pmos管。東莞穩(wěn)壓二極管進(jìn)口樂(lè)山車(chē)規(guī)級(jí)二極管原裝現(xiàn)貨。

    延遲熒光摻雜劑152提供高的發(fā)光效率和相對(duì)寬的fwhm,以及延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光。因此,oledd1提供高的發(fā)光效率和改善的色彩連續(xù)性。參照?qǐng)D2,其為示出本公開(kāi)內(nèi)容的實(shí)施方案的oled的發(fā)光機(jī)理的示意圖,“基質(zhì)”中生成的激子通過(guò)德克斯振能量轉(zhuǎn)移(dexterresonanceenergytransfer,dret)轉(zhuǎn)移到延遲熒光摻雜劑“td”中,并且延遲熒光摻雜劑“td”的單線態(tài)能量“s1”和三線態(tài)能量“t1”中的至少部分通過(guò)dret轉(zhuǎn)移到磷光摻雜劑“pd”中。因此,從磷光摻雜劑“pd”發(fā)射紅色光。根據(jù)本發(fā)明的一方面,當(dāng)磷光摻雜劑“pd”相對(duì)于延遲熒光摻雜劑“td”的重量百分比大于約5%時(shí),延遲熒光摻雜劑“td”的能量可能被迅速轉(zhuǎn)移到磷光摻雜劑“pd”中,使得只在磷光摻雜劑“pd”中產(chǎn)光,因此會(huì)難以實(shí)現(xiàn)由延遲熒光摻雜劑提供的高的發(fā)光效率和相對(duì)較寬的fwhm,并且會(huì)難以改善oled的發(fā)光效率和色彩連續(xù)性。因此,根據(jù)本發(fā)明的一方面,在oledd1中,磷光摻雜劑“pd”相對(duì)于延遲熒光摻雜劑“td”的重量百分比等于或小于約5%,推薦等于或小于約%,使得延遲熒光摻雜劑“td”的一部分能量保留在延遲熒光摻雜劑“td”中。因此。

    一pmos管mp1和三pmos管mp3用于產(chǎn)生一電流鏡單元偏置電壓和二電流鏡單元偏置電壓。像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊包括運(yùn)放鉗位和產(chǎn)生電流鏡偏置兩部分,運(yùn)放鉗位部分包括一運(yùn)算放大器op1、二運(yùn)算放大器op2、一電阻r1、二電阻r2、二pmos管mp2、四pmos管mp4。一運(yùn)算放大器op1的正相輸入端接基準(zhǔn)電壓vref,反相輸入端接二pmos管mp2的源極即a點(diǎn),a點(diǎn)通過(guò)運(yùn)放鉗位產(chǎn)生步進(jìn)電壓,步進(jìn)電壓的值通過(guò)基準(zhǔn)電壓vref設(shè)置,基準(zhǔn)電壓vref的大小即為想要實(shí)現(xiàn)的步進(jìn)電壓的值,一些實(shí)施例中基準(zhǔn)電壓vref和基準(zhǔn)電流iref可由同一個(gè)帶隙基準(zhǔn)產(chǎn)生。二運(yùn)算放大器op2的正相輸入端接地,反相輸入端接四pmos管mp4的源極即b點(diǎn),b點(diǎn)通過(guò)運(yùn)放鉗位產(chǎn)生0v電壓。產(chǎn)生電流鏡偏置部分包括一pmos管mp1、三pmos管mp3,一pmos管mp1和三pmos管mp3分別與像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊內(nèi)的一電流鏡單元和二電流鏡單元構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu),將流過(guò)一pmos管mp1和三pmos管mp3的電流進(jìn)行鏡像。像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊包括一電流鏡單元、二電流鏡單元、三電阻r3和五pmos管mp5,一電流鏡單元用于將流過(guò)一pmos管mp1的電流按比例鏡像,二電流鏡單元用于鏡像流過(guò)三pmos管mp3的電流。廣東捷捷微二極管代理商公司。

    顯示裝置300包括:其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向?yàn)V色器層380提供白光?;?10和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如,基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320,以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導(dǎo)體層322。半導(dǎo)體層322可以包含氧化物半導(dǎo)體材料或多晶硅。當(dāng)半導(dǎo)體層322包含氧化物半導(dǎo)體材料時(shí),可以在半導(dǎo)體層322下方形成光屏蔽圖案(未示出)。到半導(dǎo)體層322的光被光屏蔽圖案屏蔽或阻擋,使得可以防止半導(dǎo)體層322的熱降解。另一方面,當(dāng)半導(dǎo)體層322包含多晶硅時(shí),可以在半導(dǎo)體層322的兩側(cè)中摻雜雜質(zhì)。在半導(dǎo)體層322上形成有柵極絕緣層324。柵極絕緣層324可以由無(wú)機(jī)絕緣材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在柵極絕緣層324上形成有由導(dǎo)電材料(例如金屬)形成的柵極電極330以與半導(dǎo)體層322的中心相對(duì)應(yīng)。在圖6中,柵極絕緣層324形成在基板310的整個(gè)表面上?;蛘摺Tb進(jìn)口二極管找巨新科。品牌二極管企業(yè)

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    在延遲熒光摻雜劑“td”和磷光摻雜劑“pd”中產(chǎn)光。換言之,當(dāng)eml150包含延遲熒光摻雜劑152并且包含特定重量百分比條件(例如不大于5重量%)的磷光摻雜劑154時(shí),延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154二者都參與發(fā)光,使得oledd1的色彩連續(xù)性得到改善。[oled]將陽(yáng)極(ito,)、hil(式9,)、htl(式10,)、ebl(式11,)、eml(基質(zhì)(式12)和摻雜劑)、hbl(式13,)、etl(式14,)、eil(lif)和陰極(al)順序堆疊以形成oled。1.比較例1(ref1)使用式15的延遲熒光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):70重量%,摻雜劑:30重量%)2.比較例2(ref2)使用式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):95重量%,摻雜劑:5重量%)3.實(shí)施例1(ex1)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):65重量%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:5重量%)4.實(shí)施例2(ex2)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):67重量%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:3重量%)5.實(shí)施例3(ex3)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):69重量%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:1重量%)6.實(shí)施例4。惠州穩(wěn)壓二極管專(zhuān)賣(mài)店

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