但不能和雙電層電容相比）。價格低廉。比其它種類電容，在價格上具有壓倒性優(yōu)勢，因為其組成材料都是普通的工業(yè)材料。制造電解電容的設備也都是普通的工業(yè)設備，可以大規(guī)模生產(chǎn)，成本相對比較低。新型的電解電容發(fā)展的非?？?，某些產(chǎn)品的性能已達到無機電容器的水準，電解電容正在替換某些無機和有機介質(zhì)電容器。電解電容的使用范圍相當，基本上，有電源的設備都會使用到電解電容。電解電容的分類，傳統(tǒng)的方法都是按陽極材質(zhì)，比如說鋁或者鉭。所以，電解電容按陽極分，為以下幾種：鋁電解電容（CL）電容量：0。47--10000μ額定電壓：主要特點：體積小，容量大，損耗大，漏電大。應用：電源濾波，低頻耦合，去耦，旁路等不管是SMT貼片工藝的（“貼片電容”，識別方式是底坐有黑色橡膠），還是直插式的，或者有塑料表皮的，只要它們的陽極材質(zhì)是鋁，那么他們就都叫做鋁電解電容。電容的封裝方式和電容的品質(zhì)本身并無直接聯(lián)系，電容的性能只取決于具體型號鉭電解電容（CA）鈮電解電容（CN）電容量：0。1--1000μ額定電壓：6。3--125V主要特點：損耗、漏電小于鋁電解電容。應用：在要求高的電路中代替鋁電解電容陽極由鉭構成，就是那種我們在顯卡上見到的黃色或黑色小顆粒。東莞國巨電容代理商公司。深圳瓷片電容哪里買
它們的單位都是pF。如:102表示標稱容量為1000pF。331表示標稱容量為330pF。474表示標稱容量為47x10(4)pF。在這種表示法中有一個特殊情況，就是當?shù)谌粩?shù)字用"9"表示時，是用有效數(shù)宇乘上來表示容量大小。如:229表示標稱容量為允許誤差±1%±2%±5%±10%±15%±20%電容器的特性與用途通交隔直：作用是阻止直流通過而讓交流通過。如圖中的電容C1和C2，分析三極管工作狀態(tài)時，直流等效電路將電容視為開路，微變等效電路將電容視為短路，從而簡化了電路的分析運算。交流旁路(去耦)：為交流電路中某些并聯(lián)的元件提供低阻抗通路。比如下面的電路，可以將高頻信號旁路。交流耦合：作為兩個電路之間的連接，允許交流信號通過并傳輸?shù)较乱患夒娐分绷麟娫礊V波：比如二極管橋式整流后面，用于平滑電流。溫度補償：針對其它元件對溫度的適應性不夠帶來的影響，而進行補償，改善電路的穩(wěn)定性。計時：電容器與電阻器配合使用，確定電路的時間常數(shù)，時間常數(shù)t=RC。調(diào)諧：對與頻率相關的電路進行系統(tǒng)調(diào)諧，比如手機、收音機、電視機。儲能：比如超級電容器，儲存電能，用于必須要的時候釋放。例如相機閃光燈，加熱設備等等。超級電容器。鹽田區(qū)電解電容質(zhì)量好的華科電容原裝現(xiàn)貨找巨新科。
性能可以差距很大，總之陽極對于電容性能的影響遠遠小于陰極?？勺冸娙萜骺諝饨橘|(zhì)可變電容器可變電容量：100--1500p主要特點是損耗小，效率高；可根據(jù)要求制成直線式、直線波長式、直線頻率式及對數(shù)式等。應用：電子儀器，廣播電視設備等薄膜介質(zhì)可變電容器可變電容量：15--550p主要特點：體積小，重量輕；損耗比空氣介質(zhì)的大。應用：通訊，廣播接收機等薄膜介質(zhì)微調(diào)電容器可變電容量：1--29p主要特點：損耗較大，體積小應用：收錄機，電子儀器等電路作電路補償陶瓷介質(zhì)微調(diào)電容器可變電容量：主要特點：損耗較小，體積較小應用于精密調(diào)諧的高頻振蕩回路獨石電容容量范圍：ΜF(xiàn)耐壓：二倍額定電壓。應用范圍：廣泛應用于電子精密儀器。各種小型電子設備作諧振、耦合、濾波、旁路。獨石又叫多層瓷介電容，分兩種類型，1型性能挺好，但容量小，一般小于0。2U，另一種叫II型，容量大，但性能一般。簡單的平行板電容器是由一個絕緣的中間介質(zhì)層加外兩個導電的金屬電極。多層片式陶瓷電容器的結構主要包括三大部分：陶瓷介質(zhì)，金屬內(nèi)電極，金屬外電極。它是一個多層疊合的結構，由多個簡單平行板電容器的并聯(lián)體。獨石電容的特點：電容量大、體積小、可靠性高、電容量穩(wěn)定。
Multi-layerCeramicCapacitor)多層陶瓷電容，也就是MLCC，片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前世界上使用量極大的電容類型，其標準化封裝，尺寸小，適用于自動化高密度貼片生產(chǎn)。也就是我自己設計的主板，自己拍的照片，加了藝術效果；沒有標引用和出處的圖片和內(nèi)容，絕大多數(shù)都是我自己畫或弄出來的，剩下一點點可能疏忽忘加了；標引用的圖片，很多都是我重新加工的，例如翻譯或幾張圖拼在一起等等，工具很土EXCEL+截圖。多層陶瓷電容的內(nèi)部結構如下圖所示：原圖出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多層陶瓷電容生產(chǎn)流程如下圖所示：原圖出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多層陶瓷需要燒結瓷化，形成一體化結構，所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容，也叫獨石(Monolithic)電容。在談談電感中也介紹過多層陶瓷工藝和ThinFilm工藝。ThinFilm技術在性能或工藝控制方面都比較先進，可以精確的控制器件的電性能和物理性能。因此，ThinFilm電容性能比較好，極小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，極小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm電容可以用于要求比較高的RF領域，AVX有Accu-P?系列。國巨電容代理商巨新科。
也稱為塑料薄膜電容；其內(nèi)部結構大致如下圖所示：原圖來自于維基百科薄膜電容根據(jù)其電極的制作工藝，可以分為兩類：金屬箔薄膜電容(Film/Foil)金屬箔薄膜電容，直接在塑料膜上加一層薄金屬箔，通常是鋁箔，作為電極；這種工藝較為簡單，電極方便引出，可以應用于大電流場合。金屬化薄膜電容(MetallizedFilm)金屬化薄膜電容，通過真空沉積(VacuumDeposited)工藝直接在塑料膜的表面形成一個很薄的金屬表面，作為電極；由于電極厚度很薄，可以繞制成更大容量的電容；但由于電極厚度薄，只適用于小電流場合。金屬化薄膜電容就是具有自我修復的功能，即假如電容內(nèi)部有擊穿損壞點，會在損壞處產(chǎn)生雪崩效應，氣化金屬在損壞處將形成一個氣化集中面，短路消失，損壞點被修復；因此，金屬化薄膜電容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜電容有兩種卷繞方法：有感繞法在卷繞前，引線就已經(jīng)和內(nèi)部電極連在一起；無感繞法在繞制后，會采用鍍金等工藝，將兩個端面的內(nèi)部電極連成一個面，這樣可以獲得較小的ESL，應該高頻性能較高；此外，還有一種疊層型的無感電容，結構與MLCC類似，性能較好，便于做成SMD封裝。極早的薄膜電容的介質(zhì)材料是用紙浸注在油或石蠟中。華南國巨電容代理商公司。福田區(qū)電容
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有電感、電容等所有系列的產(chǎn)品及相關參數(shù)曲線，非常全，不得不再次推薦一下：·SEAT2013-TDK·Simsurfing-Murata·TaiyoYudenComponentsSelectionGuide&DataLibraryClassI電容ClassI電容應用極多的是C0G電容，性能穩(wěn)定，適用于諧振、匹配、濾波等高頻電路。C0G電容的容值十分穩(wěn)定，基本不隨外界條件(頻率除外)變化，下圖是Murata一款1000pF電容的直流、交流及溫度特性。圖片來自GRM1555C1H102JA01-Murata通常只需要關注C0G電容的頻率特性。下圖是Murata的3款相同封裝(0402inch)相同容差(5%)的10pF電容的頻率特性對比。圖片來自SimSurfing-Web-Murata其中GRM是普通系列，GJM是高Q值系列、GQM是高頻系列，可見GQM系列高頻性能更好，自諧振頻率和Q值更高，一些高頻性能要求很高的場合，可以選用容差1%的產(chǎn)品。而GRM系列比較便宜，更加通用，例如EMC濾波。ClassII和ClassIII電容ClassII和ClassIII電容都是高介電常數(shù)介質(zhì)，性能不穩(wěn)定，容值變化范圍大，通常用作電源去耦或者信號旁路。以Murata一款22uF、、X5R電容為例，相關特性曲線：圖片來自GRM188R60J226MEA0-Murata容值ClassII和ClassIII電容，容值隨溫度、DC偏置以及AC偏置變化范圍較大。特別是用作電源去耦時。深圳瓷片電容哪里買
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