眾所周知，開關(guān)電源是當(dāng)今信息家電設(shè)備的主要電源，為電子設(shè)備小型輕便化作出不可磨滅的貢獻(xiàn)。開關(guān)電源不斷的小型化、輕量化和高效率，在電子設(shè)備中使用量越來越大，普及率越來越高。相應(yīng)的就要求電解電容器小型大容量化，耐紋波電流，高頻低阻抗化，高溫度長(zhǎng)壽命化和更適應(yīng)高密度組裝。1電容量與體積由于電解電容器多數(shù)采用卷繞結(jié)構(gòu)，很容易擴(kuò)大體積，因此單位體積電容量非常大，比其它電容大幾倍到幾十倍。但是大電容量的獲取是以體積的擴(kuò)大為代價(jià)的，現(xiàn)在開關(guān)電源要求越來越高的效率，越來越小的體積，因此，有必要尋求新的解決辦法，來獲得大電容量、小體積的電容器。在開關(guān)電源的原邊一旦采用有源濾波器電路，則鋁電解電容器的使用環(huán)境變得比以前更為嚴(yán)酷：高頻脈沖電流主要是20kHz~100kHz的脈動(dòng)電流，而且大幅度增加；變換器的主開關(guān)管發(fā)熱，導(dǎo)致鋁電解電容器的周圍溫度升高；變換器多采用升壓電路，因此要求耐高壓的鋁電解電容器。這樣一來，利用以往技術(shù)制造的鋁電解電容器，由于要吸收比以往更大的脈動(dòng)電流，不得不選擇大尺寸的電容器。結(jié)果，使電源的體積龐大，難以用于小型化的電子設(shè)備。為了解決這些難題，必須研究與開發(fā)一種新型的電解電容器，體積小、耐高壓。巨新科是華科電容原產(chǎn)渠道。鹽田區(qū)壓敏電容
+20%-10%）、Ⅴ-（+50%-20%）、Ⅵ-（+50%-30%）一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級(jí)，電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級(jí)，根據(jù)用途選取。額定電壓在比較低環(huán)境溫度和額定環(huán)境溫度下可連續(xù)加在電容器的比較高直流電壓有效值，一般直接標(biāo)注在電容器外殼上，如果工作電壓超過電容器的耐壓，電容器擊穿，造成不可修復(fù)的長(zhǎng)久損壞。電容器應(yīng)用在高壓場(chǎng)合時(shí)，必須注意電暈的影響。電暈是由于在介質(zhì)/電極層之間存在空隙而產(chǎn)生的，它除了可以產(chǎn)生損壞設(shè)備的寄生信號(hào)外，還會(huì)導(dǎo)致電容器介質(zhì)擊穿。在交流或脈動(dòng)條件下，電暈特別容易發(fā)生。對(duì)于所有的電容器，在使用中應(yīng)保證直流電壓與交流峰值電壓之和不的超過直流電壓額定值。絕緣電阻直流電壓加在電容上，并產(chǎn)生漏電電流，兩者之比稱為絕緣電阻.當(dāng)電容較小時(shí)，主要取決于電容的表面狀態(tài)，容量〉，主要取決于介質(zhì)的性能，絕緣電阻越小越好。電容的時(shí)間常數(shù)：為恰當(dāng)?shù)脑u(píng)價(jià)大容量電容的絕緣情況而引入了時(shí)間常數(shù)，他等于電容的絕緣電阻與容量的乘積。損耗角正切(tgδ)：電容在電場(chǎng)作用下，在單位時(shí)間內(nèi)因發(fā)熱所消耗的能量叫做損耗。各類電容都規(guī)定了其在某頻率范圍內(nèi)的損耗允許值，電容的損耗主要由介質(zhì)損耗，電導(dǎo)損耗和電容所有金屬部分的電阻所引起的。國(guó)巨電容質(zhì)量好的風(fēng)華電容一級(jí)代理商。
QualityFactor)和電感一樣，可以定義電容的品質(zhì)因數(shù)，也就是Q值，也就是電容的儲(chǔ)存功率與損耗功率的比：Qc=(1/ωC)/ESRQ值對(duì)高頻電容是比較重要的參數(shù)。自諧振頻率(Self-ResonanceFrequency)由于ESL的存在，與C一起構(gòu)成了一個(gè)諧振電路，其諧振頻率便是電容的自諧振頻率。在自諧振頻率前，電容的阻抗隨著頻率增加而變??；在自諧振頻率后，電容的阻抗隨著頻率增加而變小，就呈現(xiàn)感性；如下圖所示：圖出自TaiyoYuden的EMK042BJ332MC-W規(guī)格書二、電容的工藝與結(jié)構(gòu)根據(jù)電容公式，電容量的大小除了與電容的尺寸有關(guān)，與電介質(zhì)的介電常數(shù)(Permittivity)有關(guān)。電介質(zhì)的性能影響著電容的性能，不同的介質(zhì)適用于不同的制造工藝。常用介質(zhì)的性能對(duì)比，可以參考AVX的一篇技術(shù)文檔。AVXDielectricComparisonChart電容的制造工藝主要可以分為三大類：·薄膜電容(FilmCapacitor)·電解電容(ElectrolyticCapacitor)·陶瓷電容(CeramicCapacitor)1薄膜電容(FilmCapacitor)FilmCapacitor在國(guó)內(nèi)通常翻譯為薄膜電容，但和ThinFilm工藝是不一樣的。為了區(qū)分，個(gè)人認(rèn)為直接翻譯為膜電容好點(diǎn)。薄膜電容是通過將兩片帶有金屬電極的塑料膜卷繞成一個(gè)圓柱形，極后封裝成型；由于其介質(zhì)通常是塑料材料。
Multi-layerCeramicCapacitor)多層陶瓷電容，也就是MLCC，片狀(Chip)的多層陶瓷電容是目前世界上使用量極大的電容類型，其標(biāo)準(zhǔn)化封裝，尺寸小，適用于自動(dòng)化高密度貼片生產(chǎn)。也就是我自己設(shè)計(jì)的主板，自己拍的照片，加了藝術(shù)效果；沒有標(biāo)引用和出處的圖片和內(nèi)容，絕大多數(shù)都是我自己畫或弄出來的，剩下一點(diǎn)點(diǎn)可能疏忽忘加了；標(biāo)引用的圖片，很多都是我重新加工的，例如翻譯或幾張圖拼在一起等等，工具很土EXCEL+截圖。多層陶瓷電容的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如下圖所示：原圖出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多層陶瓷電容生產(chǎn)流程如下圖所示：原圖出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多層陶瓷需要燒結(jié)瓷化，形成一體化結(jié)構(gòu)，所以引線(Lead)封裝的多層陶瓷電容，也叫獨(dú)石(Monolithic)電容。在談?wù)勲姼兄幸步榻B過多層陶瓷工藝和ThinFilm工藝。ThinFilm技術(shù)在性能或工藝控制方面都比較先進(jìn)，可以精確的控制器件的電性能和物理性能。因此，ThinFilm電容性能比較好，極小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，極小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm電容可以用于要求比較高的RF領(lǐng)域，AVX有Accu-P?系列。國(guó)巨電容一級(jí)代理找巨新科。
并聯(lián)后的各個(gè)電容兩端電壓相等；并聯(lián)后的耐壓取決于耐壓**小的那個(gè)電容電壓。電容器的類型電容器是一種兩塊導(dǎo)體中間夾著一塊絕緣體（介質(zhì)）構(gòu)成的電子元件。電容的類型按照容量是否可變分為固定電容器和可變電容器兩大類；按照介質(zhì)類型可分為無機(jī)介質(zhì)電容器、有機(jī)介質(zhì)電容器和電解電容器三大類。不同介質(zhì)的電容，在結(jié)構(gòu)、成本、特性、用途方面都大不相同。無機(jī)介質(zhì)電容器：包括陶瓷電容以及云母電容等。在CPU上我們會(huì)經(jīng)常看到陶瓷電容。陶瓷電容的綜合性能很好，可以應(yīng)用GHz級(jí)別的超高頻器件上，比如CPU/GPU。當(dāng)然，它的價(jià)格也很貴。云母電容（CY）電容量：10p--0。1μ額定電壓：100V--7kV主要特點(diǎn)：高穩(wěn)定性，高可靠性，溫度系數(shù)小。應(yīng)用：高頻振蕩，脈沖等要求較高的電路高頻瓷介電容（CC）電容量：1--6800p額定電壓：63--500V主要特點(diǎn)：高頻損耗小，穩(wěn)定性好。應(yīng)用于高頻電路。低頻瓷介電容（CT）電容量：10p--4。7μ額定電壓：50V--100V主要特點(diǎn)：體積小，價(jià)廉，損耗大，穩(wěn)定性差。應(yīng)用：要求不高的低頻電路玻璃釉電容（CI）電容量：10p--0。1μ額定電壓：63--400V主要特點(diǎn)：穩(wěn)定性較好，損耗小，耐高溫（200度）。應(yīng)用：脈沖、耦合、旁路等電路單片陶瓷電容器。華科電容一級(jí)代理商。羅湖區(qū)陶瓷電容麥克風(fēng)
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目前很多鉭電解電容都用貼片式安裝，其外殼一般由樹脂封裝（采用同樣封裝的也可能是鋁電解電容）。但是，鉭電容的陰極也是電解質(zhì)，所以很不幸的，它也是大家十分瞧不起的“電解電容”的一種。鈮電解電容。這種電容如今已經(jīng)用的比少。需要重點(diǎn)強(qiáng)調(diào)的是，鋁電解電容和鉭電解電容不是由封裝形式?jīng)Q定的。像黃色與黑色小方塊，通常我們認(rèn)為其是鉭電解電容，但實(shí)際其陽極也有可能是鋁，也就是說它們也有可能是鋁電容而不是鉭電容。以往傳統(tǒng)的看法是鉭電容性能比鋁電容好，因?yàn)殂g電容的介質(zhì)為陽極氧化后生成的五氧化二鉭，它的介電常數(shù)ε比鋁電容的三氧化二鋁介質(zhì)要高。因此在同樣容量的情況下，鉭電容的體積能比鋁電容做得更小。（電解電容的電容量取決于介質(zhì)的介電能力和體積，在容量一定的情況下，介電能力越高，體積就可以做得越小，反之，體積就需要做得越大）。再加上鉭的性質(zhì)比較穩(wěn)定，所以通常認(rèn)為鉭電容性能比鋁電容好。但這種憑陽極判斷電容性能的方法已經(jīng)過時(shí)了，目前決定電解電容性能的關(guān)鍵并不在于陽極，而在于電解質(zhì)，也就是陰極。因?yàn)椴煌年帢O和不同的陽極可以組合成不同種類的電解電容，其性能也大不相同。采用同一種陽極的電容由于電解質(zhì)的不同。鹽田區(qū)壓敏電容
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