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來源: 發(fā)布時間:2022-08-31

    實時監(jiān)控發(fā)光二極管的工作溫度、正向壓降值和電流值,并依據(jù)良好校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表對壓差值進(jìn)行校準(zhǔn),在壓差值超出第二校準(zhǔn)數(shù)據(jù)表的合理范圍后,進(jìn)行報警提醒,解決了單個led燈的使用壽命無法準(zhǔn)確預(yù)測的問題,實現(xiàn)了單個led燈的使用壽命的準(zhǔn)確預(yù)測和報警。在一個實施例中,還提供了一種醫(yī)療設(shè)備,包括存儲器、處理器和發(fā)光二極管11,所述存儲器存儲有計算機程序,所述處理器執(zhí)行所述計算機程序時實現(xiàn)發(fā)光二極管的控制方法的步驟。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面,還提供了一種計算機可讀存儲介質(zhì),其上存儲有計算機程序,該計算機程序被處理器執(zhí)行時實現(xiàn)上述實施例的該的方法的步驟。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分流程,是可以通過計算機程序來指令相關(guān)的硬件來完成,該的計算機程序可存儲于一非易失性計算機可讀取存儲介質(zhì)中,該計算機程序在執(zhí)行時,可包括如上述各方法的實施例的流程。其中,本申請所提供的各實施例中所使用的對存儲器、存儲、數(shù)據(jù)庫或其它介質(zhì)的任何引用,均可包括非易失性存儲器。非易失性存儲器可包括只讀存儲器(rom)、可編程rom(prom)、電可編程rom(eprom)、電可擦除可編程rom(eeprom)或閃存。強茂二極管找巨新科。杭州貼片二極管質(zhì)量好的

    柵極絕緣層324可以被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀。在柵極電極330上形成有由絕緣材料形成的層間絕緣層332。層間絕緣層332可以由無機絕緣材料(例如硅氧化物或硅氮化物)或有機絕緣材料(例如苯并環(huán)丁烯或光壓克力(photo-acryl))形成。層間絕緣層332包括暴露半導(dǎo)體層322的兩側(cè)的接觸孔334和第二接觸孔336。接觸孔334和第二接觸孔336被定位在柵極電極330的兩側(cè)以與柵極電極330間隔開。接觸孔334和第二接觸孔336形成為穿過柵極絕緣層324。或者,當(dāng)柵極絕緣層324被圖案化成具有與柵極電極330相同的形狀時,接觸孔334和第二接觸孔336形成為只穿過層間絕緣層332。在層間絕緣層332上形成有由導(dǎo)電材料(例如金屬)形成的源電極340和漏電極342。源電極340和漏電極342相對于柵極電極330彼此間隔開,并且分別通過接觸孔334和第二接觸孔336接觸半導(dǎo)體層322的兩側(cè)。半導(dǎo)體層322、柵極電極330、源電極340和漏電極342構(gòu)成tfttr。tfttr用作驅(qū)動元件。在tfttr中,柵極電極330、源電極340和漏電極342被定位在半導(dǎo)體層322上方。即,tfttr具有共面結(jié)構(gòu)?;蛘?,在tfttr中,柵極電極可以被定位在半導(dǎo)體層下方,并且源電極和漏電極可以被定位在半導(dǎo)體層上方,使得tfttr可以具有倒置交錯結(jié)構(gòu)。深圳整流二極管代理深圳強茂二極管代理商公司。

    所述有機發(fā)光二極管在基板上或在基板上方并且包括電極、面向電極的第二電極、以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在電極與第二電極之間的發(fā)光材料層;以及布置在基板與有機發(fā)光二極管之間并與有機發(fā)光二極管連接的薄膜晶體管,其中磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5%。在另一方面,照明裝置包括:基板;和有機發(fā)光二極管,所述有機發(fā)光二極管在基板上或在基板上方并且包括電極、面向電極的第二電極、以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置電極與第二電極之間的發(fā)光材料層,其中磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5%。根據(jù)本發(fā)明的一方面,磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于約%、或者等于或小于約%。根據(jù)本發(fā)明的一個方面,磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或大于約%、或者等于或大于約%。根據(jù)本發(fā)明的一方面,有機發(fā)光二極管、有機發(fā)光顯示裝置或照明裝置的fwhm在可見光范圍內(nèi)或在450nm至750nm、或500nm至700nm、或500nm至650nm的范圍內(nèi)等于或大于約55nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm或甚至150nm。根據(jù)本發(fā)明的一方面。

    并且可以由式7-1或式7-2表示。第二發(fā)光部分550可以包括第二htl552、第二eml540和第二etl554。第二htl552被定位在cgl580與第二eml540之間,第二etl554被定位在第二eml540與第二cgl590之間。第二eml540包含藍(lán)色摻雜劑542。藍(lán)色摻雜劑542具有與eml520中的延遲熒光摻雜劑522和磷光摻雜劑524相比更短的發(fā)射波長范圍。例如,藍(lán)色摻雜劑542可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。盡管未示出,但是第二eml540還可以包含基質(zhì)。相對于基質(zhì),藍(lán)色摻雜劑542的重量百分比可以為約1%至40%,推薦為3%至40%。第三發(fā)光部分570可以包括第三htl572、第三eml560、第三etl574和eil576。第三htl572被定位在第二cgl590與第三eml560之間,第三etl574被定位在第三eml560與第二電極512之間。此外,eil576被定位在第三etl574與第二電極512之間。第三eml560包含第二延遲熒光摻雜劑562和第二磷光摻雜劑564。第二延遲熒光摻雜劑562具有發(fā)射波長范圍,第二磷光摻雜劑564具有與發(fā)射波長范圍不同的第二發(fā)射波長范圍。第二比較大發(fā)射波長比比較大發(fā)射波長更長(更大)。例如,發(fā)射波長范圍可以為綠色波長范圍,第二發(fā)射波長范圍可以為紅色波長范圍。強茂二極管原裝現(xiàn)貨。

    ex4)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)7.實施例5(ex5)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)8.實施例6(ex6)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)9.實施例7(ex7)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:30重量%,磷光摻雜劑:%)10.實施例8(ex8)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:20重量%,磷光摻雜劑:%)11.實施例9(ex9)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:20重量%,磷光摻雜劑:%)12.實施例10(ex10)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%,延遲熒光摻雜劑:40重量%,磷光摻雜劑:%)13.實施例11(ex11)使用式15的延遲熒光摻雜劑和式16的磷光摻雜劑作為摻雜劑以形成eml(基質(zhì):%。樂山肖特基二極管原裝現(xiàn)貨。武漢穩(wěn)壓二極管進(jìn)口

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    并且濾色器層380被布置在oledd2上方。或者,可以將來自oledd2的光設(shè)置成穿過電極220,并且可以將濾色器層380布置在oledd2與基板310之間。此外,在圖6中,電極220與tfttr連接?;蛘?,可以將第二電極230定位在tfttr與電極220之間并且可以使其與tfttr連接。來自oledd2的白色光穿過紅色像素rp中的紅色濾色器圖案382、綠色像素gp中的綠色濾色器圖案384和藍(lán)色像素中的藍(lán)色濾色器圖案386,使得分別由紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp提供紅色光、綠色光和藍(lán)色光。在圖6中,將oledd2用于包括紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的顯示裝置300?;蛘?,也將oledd2用于照明裝置。圖7是根據(jù)本公開內(nèi)容的第三實施方案的oled的示意性截面圖。如圖7所示,oledd3包括電極410、第二電極412、在電極410與第二電極412之間的有機發(fā)光層414。有機發(fā)光層414包括:發(fā)光部分430,發(fā)光部分430包括eml420;第二發(fā)光部分450,第二發(fā)光部分450包括第二eml440;和第三發(fā)光部分470,第三發(fā)光部分470包括第三eml460;在發(fā)光部分430與第二發(fā)光部分450之間的cgl480;以及在第二發(fā)光部分450與第三發(fā)光部分470之間的第二cgl490。電極410為用于注入空穴的陽極并且包含高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料例如ito或izo。杭州貼片二極管質(zhì)量好的

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