其中a和b分別由式3-1和式3-2表示：[式3-1][式3-2]以及其中r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。8.根據(jù)實施方案7所述的有機發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑選自式4：[式4]9.根據(jù)實施方案1所述的有機發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑由式5表示：[式5]其中r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，其中r1與r2或r2與r3或r3與r4結(jié)合以形成稠合的c6-c30芳族環(huán)，以及其中n為1至3的整數(shù)。10.根據(jù)實施方案9所述的有機發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑選自式6：[式6]11.根據(jù)實施方案1所述的有機發(fā)光二極管，其中所述發(fā)光材料層還包含基質(zhì)。12.根據(jù)實施方案11所述的有機發(fā)光二極管，其中相對于所述基質(zhì)，所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比為20％至70％，以及所述磷光摻雜劑的重量百分比為％至2％。13.根據(jù)實施方案11所述的有機發(fā)光二極管，其中所述基質(zhì)由式7-1或式7-2表示，[式7-1][式7-2]其中在式7-1中，x為o、s或nr，以及r為c6-c30芳基，其中在式7-1和式7-2中，y為o或s，以及其中在式7-1和式7-2中。捷捷微開關(guān)二極管原裝現(xiàn)貨。上海肖特基 二極管銷售
所述有機發(fā)光二極管在基板上或在基板上方并且包括電極、面向電極的第二電極、以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置在電極與第二電極之間的發(fā)光材料層；以及布置在基板與有機發(fā)光二極管之間并與有機發(fā)光二極管連接的薄膜晶體管，其中磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。在另一方面，照明裝置包括：基板；和有機發(fā)光二極管，所述有機發(fā)光二極管在基板上或在基板上方并且包括電極、面向電極的第二電極、以及包含延遲熒光摻雜劑和磷光摻雜劑并布置電極與第二電極之間的發(fā)光材料層，其中磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于5％。根據(jù)本發(fā)明的一方面，磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或小于約％、或者等于或小于約％。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，磷光摻雜劑相對于延遲熒光摻雜劑的重量百分比等于或大于約％、或者等于或大于約％。根據(jù)本發(fā)明的一方面，有機發(fā)光二極管、有機發(fā)光顯示裝置或照明裝置的fwhm在可見光范圍內(nèi)或在450nm至750nm、或500nm至700nm、或500nm至650nm的范圍內(nèi)等于或大于約55nm、60nm、70nm、80nm、90nm、100nm、110nm、120nm、130nm、140nm或甚至150nm。根據(jù)本發(fā)明的一方面。揭陽開關(guān)二極管企業(yè)捷捷微大功率二極管原裝現(xiàn)貨。
并且濾色器層380被布置在oledd2上方?；蛘?，可以將來自oledd2的光設(shè)置成穿過電極220，并且可以將濾色器層380布置在oledd2與基板310之間。此外，在圖6中，電極220與tfttr連接?；蛘撸梢詫⒌诙姌O230定位在tfttr與電極220之間并且可以使其與tfttr連接。來自oledd2的白色光穿過紅色像素rp中的紅色濾色器圖案382、綠色像素gp中的綠色濾色器圖案384和藍色像素中的藍色濾色器圖案386，使得分別由紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp提供紅色光、綠色光和藍色光。在圖6中，將oledd2用于包括紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的顯示裝置300?；蛘撸矊ledd2用于照明裝置。圖7是根據(jù)本公開內(nèi)容的第三實施方案的oled的示意性截面圖。如圖7所示，oledd3包括電極410、第二電極412、在電極410與第二電極412之間的有機發(fā)光層414。有機發(fā)光層414包括：發(fā)光部分430，發(fā)光部分430包括eml420；第二發(fā)光部分450，第二發(fā)光部分450包括第二eml440；和第三發(fā)光部分470，第三發(fā)光部分470包括第三eml460；在發(fā)光部分430與第二發(fā)光部分450之間的cgl480；以及在第二發(fā)光部分450與第三發(fā)光部分470之間的第二cgl490。電極410為用于注入空穴的陽極并且包含高的功函數(shù)的導電材料例如ito或izo。
本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域，涉及一種基于負電源電壓對雪崩光電二極管的偏置電壓進行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù)：單光子探測技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測技術(shù)，它可以實現(xiàn)對極微弱光信號的檢測。在目前所用的光電探測器中，具有單光子探測能力的探測器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點，因此被廣泛應用。雪崩光電二極管apd探測器根據(jù)其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工作模式。工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管apd被稱為單光子雪崩二極管，具有單光子探測能力，被廣泛應用于單光子探測技術(shù)。單光子探測技術(shù)可被用于光子測距、**、熒光壽命測量等各方面。隨著對探測器分辨率要求的提高，單光子探測技術(shù)正在向集成大陣列方向發(fā)展，陣列探測的一致性成為重要指標。apd陣列的靈敏度與偏壓相關(guān)，但是由于apd陣列存在雪崩擊穿電壓不均勻分布的問題，因此比較高偏壓被陣列中比較低擊穿電壓的像素所限制，apd陣列中將有大量像素處在偏壓不足的狀態(tài)。樂山、強茂、捷捷微二極管找巨新科。
發(fā)光部分530、cgl580、第二發(fā)光部分550、第二cgl590和第三發(fā)光部分570順序堆疊在電極510上。換言之，發(fā)光部分530被定位在電極510與cgl580之間，第二發(fā)光部分550被定位在cgl580與第二cgl590之間。此外，第三發(fā)光部分570被定位在第二電極512與第二cgl590之間。發(fā)光部分530可以包括順序堆疊在電極510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即，hil532和htl534被定位在電極510與eml520之間，hil532被定位在電極510與htl534之間。此外，etl536被定位在eml520與cgl580之間。eml520包含延遲熒光摻雜劑522和磷光摻雜劑524。延遲熒光摻雜劑522具有發(fā)射波長范圍，磷光摻雜劑524具有與發(fā)射波長范圍不同的第二發(fā)射波長范圍。第二比較大發(fā)射波長比比較大發(fā)射波長更長(更大)。例如，發(fā)射波長范圍可以為綠色波長范圍，第二發(fā)射波長范圍可以為紅色波長范圍。延遲熒光摻雜劑522可以由式1或式3表示，磷光摻雜劑524可以由式5表示。磷光摻雜劑524相對于延遲熒光摻雜劑522的重量百分比等于或小于約5％。例如，磷光摻雜劑524相對于延遲熒光摻雜劑522的重量百分比可以在約％至％，推薦地約％至％的范圍內(nèi)。盡管未示出，但是eml520還可以包含基質(zhì)。基質(zhì)可以在eml520中具有約50％至80％的重量百分比。捷捷微二極管原裝現(xiàn)貨。肇慶穩(wěn)壓二極管
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顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光?；?10和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體材料或多晶硅。當半導體層322包含氧化物半導體材料時，可以在半導體層322下方形成光屏蔽圖案(未示出)。到半導體層322的光被光屏蔽圖案屏蔽或阻擋，使得可以防止半導體層322的熱降解。另一方面，當半導體層322包含多晶硅時，可以在半導體層322的兩側(cè)中摻雜雜質(zhì)。在半導體層322上形成有柵極絕緣層324。柵極絕緣層324可以由無機絕緣材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在柵極絕緣層324上形成有由導電材料(例如金屬)形成的柵極電極330以與半導體層322的中心相對應。在圖6中，柵極絕緣層324形成在基板310的整個表面上?；蛘?。上海肖特基 二極管銷售
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