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來源: 發(fā)布時間:2022-08-14

    本實施例提出的折疊式共源共柵運放以pmos管作為輸入對管,其中十八pmos管m9的柵極即vip端為正相輸入端,十九pmos管m10的柵極vin端為反相輸入端。選擇使用p管作為輸入對主要是出于對共模輸入范圍的考慮。因為該運放需鉗位步進電壓和0v的電壓,倘若使用nmos管作為輸入對,為了使得三nmos管m13(四nmos管m14)管處于飽和區(qū),則nmos輸入對的源端電壓應該大于三nmos管m13(四nmos管m14)的過驅動電壓,共模輸入范圍比較低點vgs9+vov13,vgs9為十八pmos管mp9的柵源電壓,vov13為三nmos管m13的過驅電壓。不妨假設vov13=,nmos的閾值電壓vth=,步進電壓為,很明顯其共模輸入范圍比較低點為,,因此不能使用nmos輸入對。此外,當使用pmos輸入對管時,其漏端電壓的大小也應該滿足三nmos管m13(四nmos管m14)處于飽和區(qū)對于三nmos管m13(m14)的vds的要求。為了保證輸入對管處于飽和區(qū),柵漏之間的電壓差應該小于p管的閾值電壓,所以當對管的漏極電壓不變時,閾值電壓越大,輸入電壓所能到達的比較低電壓就會越小,也即其共模輸入范圍越大。所以本發(fā)明創(chuàng)新地采用了將p輸入對管的襯底接到比較高電位,輸入對管的閾值電壓會因襯底偏置效應而增大。原裝強茂二極管采購。深圳品牌二極管哪家公司好

    具體實施方式下面結合附圖和具體實施例對本發(fā)明進行詳細的描述。本發(fā)明提出一種基于負壓調節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調節(jié)電路,包括像素外偏置電壓產生模塊和像素內偏壓調節(jié)模塊,如圖1所示,像素外偏置電壓產生模塊包括一運算放大器op1、二運算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一電阻r1、二電阻r2、一電流源i1和二電流源i2,一運算放大器op1的正相輸入端連接基準電壓vref,其反相輸入端連接二pmos管mp2的源極和一電流源i1,其輸出端連接一pmos管mp1的柵極;一pmos管mp1的源極連接電源電壓,其漏極連接二pmos管mp2的柵極并通過一電阻r1后連接負電源電壓vne;二運算放大器op2的正相輸入端接地,其反相輸入端連接四pmos管mp4的源極和二電流源i2,其輸出端連接三pmos管mp3的柵極;三pmos管mp3的源極連接電源電壓,其漏極連接四pmos管mp4的柵極并通過二電阻r2后連接負電源電壓vne;二pmos管mp2和四pmos管mp4的漏極連接負電源電壓vne。二pmos管mp2和四pmos管mp4用于產生一運算放大器op1和二運算放大器op2的反相輸入端信號,一電流源i1和二電流源i2用于為二pmos管mp2和四pmos管mp4提供偏置電流。遼寧二極管穩(wěn)壓強茂開關二極管原裝現(xiàn)貨。

    其漏極連接十一pmos管、十三pmos管、十五pmos管和十七pmos管的柵極以及四電阻的一端;七nmos管的漏極連接五nmos管的源極,其源極連接八nmos管、三nmos管和四nmos管的源極并接地;十pmos管的柵極連接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的柵極、十一pmos管的漏極和四電阻的另一端,其源極連接十二pmos管、十四pmos管和十六pmos管的源極并連接電源電壓,其漏極連接十一pmos管的源極;十二pmos管的漏極連接十三pmos管的源極,十四pmos管的漏極連接十五pmos管的源極,十六pmos管的漏極連接十七pmos管的源極;十八pmos管的柵極作為所述一運算放大器的正相輸入端,其源極連接十九pmos管的源極和十三pmos管的漏極,其漏極連接一nmos管的源極和三nmos管的漏極;十九pmos管的柵極作為所述一運算放大器的反相輸入端,其漏極連接二nmos管的源極和四nmos管的漏極;三nmos管的柵極連接四nmos管的柵極以及十五pmos管和一nmos管的漏極;二nmos管的柵極連接一nmos管的柵極以及一偏置電壓,其漏極連接十七pmos管的漏極并作為所述一運算放大器的輸出端。本發(fā)明的有益效果為:本發(fā)明提出的雪崩光電二極管偏壓調節(jié)電路利用運放在像素外構建偏置電壓產生電路。

    r1至r15各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。14.根據(jù)實施方案13所述的有機發(fā)光二極管,其中所述基質選自式8:[式8]15.根據(jù)實施方案1所述的有機發(fā)光二極管,還包括:包含藍色摻雜劑并布置在所述發(fā)光材料層與所述第二電極之間的第二發(fā)光材料層;和在所述發(fā)光材料層與所述第二發(fā)光材料層之間的電荷生成層。16.根據(jù)實施方案15所述的有機發(fā)光二極管,還包括:包含第二藍色摻雜劑并布置在所述電極與所述發(fā)光材料層之間的第三發(fā)光材料層;和在所述發(fā)光材料層與所述第三發(fā)光材料層之間的第二電荷生成層。17.根據(jù)實施方案15所述的有機發(fā)光二極管,還包括:包含第二延遲熒光摻雜劑和第二磷光摻雜劑并布置在所述第二發(fā)光材料層與所述第二電極之間的第三發(fā)光材料層;以及在所述第二發(fā)光材料層與所述第三發(fā)光材料層之間的第二電荷生成層。18.根據(jù)實施方案17所述的有機發(fā)光二極管,其中所述第二延遲熒光摻雜劑為綠色摻雜劑,以及所述第二磷光摻雜劑為紅色摻雜劑。19.根據(jù)實施方案18所述的有機發(fā)光二極管,其中所述第二磷光摻雜劑相對于所述第二延遲熒光摻雜劑的重量百分比在%至%的范圍內。強茂二極管找巨新科。

    陣列探測器的性能受到嚴重影響,制約其陣列規(guī)模。目前,可通過調節(jié)apd偏置電壓的方法來提高陣列探測器性能的均勻性。傳統(tǒng)方案采用dac(digitaltoanalogconverter,數(shù)模轉換器)和ldo(lowdropoutregulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)結構相結合的調節(jié)方式來調節(jié)apd的偏置電壓,即dac產生同時調節(jié)數(shù)個像素的基準電壓作為ldo中誤差放大器的輸入,隨后ldo結構根據(jù)dac提供的基準電壓來實現(xiàn)apd偏置電壓的調節(jié)。但是這種調節(jié)方式中l(wèi)do面積大且不能實現(xiàn)單個像素的調節(jié),此外ldo有限的帶寬較難實現(xiàn)apd快速充放電過程中的電壓穩(wěn)定性。技術實現(xiàn)要素:針對傳統(tǒng)apd偏置電壓調節(jié)方式中存在的面積大、不能實現(xiàn)單個像素的調節(jié)、電壓穩(wěn)定性不高等不足之處,本發(fā)明提出一種調節(jié)雪崩光電二極管apd偏置電壓的方法,基于負壓進行調節(jié),擴大了apd偏置電壓的調節(jié)范圍,且能夠實現(xiàn)逐像素可調的apd充電置位電壓,有利于提升apd陣列的探測靈敏度,且具有面積小、響應速度快、電壓準確度高等優(yōu)點。本發(fā)明的技術方案為:基于負壓調節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調節(jié)電路,包括像素外偏置電壓產生模塊和像素內偏壓調節(jié)模塊。捷捷微車規(guī)級二極管原裝現(xiàn)貨。揭陽樂山無線電二極管代理商

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    十六pmos管m7的漏極連接十七pmos管m8的源極;十八pmos管m9的柵極作為一運算放大器op1的正相輸入端,其源極連接十九pmos管m10的源極和十三pmos管m4的漏極,其漏極連接一nmos管m11的源極和三nmos管m13的漏極;十九pmos管m10的柵極作為一運算放大器op1的反相輸入端,其漏極連接二nmos管m12的源極和四nmos管m14的漏極;三nmos管m13的柵極連接四nmos管m14的柵極以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏極;二nmos管m12的柵極連接一nmos管m11的柵極以及一偏置電壓vb,其漏極連接十七pmos管m8的漏極并作為一運算放大器op1的輸出端。本實施例使用的折疊式共源共柵運放包括電流鏡和折疊式共源共柵運放兩部分,五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17和八nmos管m18構成電流鏡結構用于鏡像基準電流iref,十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8和四電阻r0構成一個自偏置cascode電流鏡,十二pmos管m3、十三pmos管m4是運放的尾電流源,十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8作為所述運放的電流源負載,一偏置電壓vb為外部給定,用于使一nmos管m11、二nmos管m12工作在飽和區(qū)。深圳品牌二極管哪家公司好

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