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    顯示裝置300包括：其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向?yàn)V色器層380提供白光?；?10和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320，以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導(dǎo)體層322。半導(dǎo)體層322可以包含氧化物半導(dǎo)體材料或多晶硅。當(dāng)半導(dǎo)體層322包含氧化物半導(dǎo)體材料時(shí)，可以在半導(dǎo)體層322下方形成光屏蔽圖案(未示出)。到半導(dǎo)體層322的光被光屏蔽圖案屏蔽或阻擋，使得可以防止半導(dǎo)體層322的熱降解。另一方面，當(dāng)半導(dǎo)體層322包含多晶硅時(shí)，可以在半導(dǎo)體層322的兩側(cè)中摻雜雜質(zhì)。在半導(dǎo)體層322上形成有柵極絕緣層324。柵極絕緣層324可以由無機(jī)絕緣材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在柵極絕緣層324上形成有由導(dǎo)電材料(例如金屬)形成的柵極電極330以與半導(dǎo)體層322的中心相對應(yīng)。在圖6中，柵極絕緣層324形成在基板310的整個(gè)表面上?；蛘摺＝萁菸⒍O管原廠渠道。強(qiáng)茂二極管代理

    并且濾色器層380被布置在oledd2上方?；蛘?，可以將來自oledd2的光設(shè)置成穿過電極220，并且可以將濾色器層380布置在oledd2與基板310之間。此外，在圖6中，電極220與tfttr連接?；蛘撸梢詫⒌诙姌O230定位在tfttr與電極220之間并且可以使其與tfttr連接。來自oledd2的白色光穿過紅色像素rp中的紅色濾色器圖案382、綠色像素gp中的綠色濾色器圖案384和藍(lán)色像素中的藍(lán)色濾色器圖案386，使得分別由紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp提供紅色光、綠色光和藍(lán)色光。在圖6中，將oledd2用于包括紅色像素rp、綠色像素gp和藍(lán)色像素bp的顯示裝置300?；蛘?，也將oledd2用于照明裝置。圖7是根據(jù)本公開內(nèi)容的第三實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。如圖7所示，oledd3包括電極410、第二電極412、在電極410與第二電極412之間的有機(jī)發(fā)光層414。有機(jī)發(fā)光層414包括：發(fā)光部分430，發(fā)光部分430包括eml420；第二發(fā)光部分450，第二發(fā)光部分450包括第二eml440；和第三發(fā)光部分470，第三發(fā)光部分470包括第三eml460；在發(fā)光部分430與第二發(fā)光部分450之間的cgl480；以及在第二發(fā)光部分450與第三發(fā)光部分470之間的第二cgl490。電極410為用于注入空穴的陽極并且包含高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料例如ito或izo。寧波肖特基 二極管強(qiáng)茂開關(guān)二極管原裝現(xiàn)貨。

    其中a和b分別由式3-1和式3-2表示：[式3-1][式3-2]以及其中r9至r11各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺。8.根據(jù)實(shí)施方案7所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述延遲熒光摻雜劑選自式4：[式4]9.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑由式5表示：[式5]其中r1至r4各自地選自氫、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30雜芳基和胺，其中r1與r2或r2與r3或r3與r4結(jié)合以形成稠合的c6-c30芳族環(huán)，以及其中n為1至3的整數(shù)。10.根據(jù)實(shí)施方案9所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述磷光摻雜劑選自式6：[式6]11.根據(jù)實(shí)施方案1所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述發(fā)光材料層還包含基質(zhì)。12.根據(jù)實(shí)施方案11所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中相對于所述基質(zhì)，所述延遲熒光摻雜劑的重量百分比為20％至70％，以及所述磷光摻雜劑的重量百分比為％至2％。13.根據(jù)實(shí)施方案11所述的有機(jī)發(fā)光二極管，其中所述基質(zhì)由式7-1或式7-2表示，[式7-1][式7-2]其中在式7-1中，x為o、s或nr，以及r為c6-c30芳基，其中在式7-1和式7-2中，y為o或s，以及其中在式7-1和式7-2中。

    在這種情況下，半導(dǎo)體層可以包含非晶硅。盡管未示出，但是柵極線和數(shù)據(jù)線彼此交叉以限定像素區(qū)域，并且形成切換tft以與柵極線和數(shù)據(jù)線連接。切換tft與作為驅(qū)動(dòng)元件的tfttr連接。此外，還可以形成電力線，所述電力線可以形成為與柵極線和數(shù)據(jù)線中的一者平行并間隔開；和用于在一幀中保持tfttr的柵極電極的電壓的存儲(chǔ)電容器。形成有鈍化層350以覆蓋tfttr，鈍化層350包括暴露tfttr的漏電極342的漏極接觸孔352。在各像素中單獨(dú)形成有電極220，電極220通過漏極接觸孔352與tfttr的漏電極342連接。電極220可以為陽極，并且可以由具有相對高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料形成。例如，電極220可以由透明導(dǎo)電材料例如ito或izo形成?？梢栽陔姌O220下方形成反射電極或反射層。例如，反射電極或反射層可以由鋁-鈀-銅(apc)合金形成。在鈍化層350上形成有堤層360以覆蓋電極220的邊緣。即，堤層360被定位在像素的邊界并且暴露像素中的電極220的中心。堤層360可以省略。在電極220上形成有有機(jī)發(fā)光層290。參照圖5，有機(jī)發(fā)光層290包括發(fā)光部分250，發(fā)光部分250包括有eml240；和第二發(fā)光部分270，第二發(fā)光部分270包括有第二eml260。例如。樂山二極管原廠渠道。

    陣列探測器的性能受到嚴(yán)重影響，制約其陣列規(guī)模。目前，可通過調(diào)節(jié)apd偏置電壓的方法來提高陣列探測器性能的均勻性。傳統(tǒng)方案采用dac(digitaltoanalogconverter,數(shù)模轉(zhuǎn)換器)和ldo(lowdropoutregulator,低壓差線性穩(wěn)壓器)結(jié)構(gòu)相結(jié)合的調(diào)節(jié)方式來調(diào)節(jié)apd的偏置電壓，即dac產(chǎn)生同時(shí)調(diào)節(jié)數(shù)個(gè)像素的基準(zhǔn)電壓作為ldo中誤差放大器的輸入，隨后ldo結(jié)構(gòu)根據(jù)dac提供的基準(zhǔn)電壓來實(shí)現(xiàn)apd偏置電壓的調(diào)節(jié)。但是這種調(diào)節(jié)方式中l(wèi)do面積大且不能實(shí)現(xiàn)單個(gè)像素的調(diào)節(jié)，此外ldo有限的帶寬較難實(shí)現(xiàn)apd快速充放電過程中的電壓穩(wěn)定性。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：針對傳統(tǒng)apd偏置電壓調(diào)節(jié)方式中存在的面積大、不能實(shí)現(xiàn)單個(gè)像素的調(diào)節(jié)、電壓穩(wěn)定性不高等不足之處，本發(fā)明提出一種調(diào)節(jié)雪崩光電二極管apd偏置電壓的方法，基于負(fù)壓進(jìn)行調(diào)節(jié)，擴(kuò)大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍，且能夠?qū)崿F(xiàn)逐像素可調(diào)的apd充電置位電壓，有利于提升apd陣列的探測靈敏度，且具有面積小、響應(yīng)速度快、電壓準(zhǔn)確度高等優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明的技術(shù)方案為：基于負(fù)壓調(diào)節(jié)的雪崩光電二極管偏壓調(diào)節(jié)電路，包括像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊和像素內(nèi)偏壓調(diào)節(jié)模塊。強(qiáng)茂二極管一級(jí)代理商。武漢品牌二極管哪家公司好

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    圖5為根據(jù)本公開內(nèi)容的第二實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。如圖5所示，oledd2包括電極220、第二電極230、在電極220與第二電極230之間的有機(jī)發(fā)光層290。有機(jī)發(fā)光層290包括發(fā)光部分250，其包括eml240；第二發(fā)光部分270，其包括第二eml260；和在發(fā)光部分250與第二發(fā)光部分270之間的電荷生成層(cgl)280。電極220為用于注入空穴的陽極并且包含高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料例如ito或izo。第二電極230為用于注入電子的陰極并且包含低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料例如al、mg或al-mg合金。cgl280被定位在發(fā)光部分250與第二發(fā)光部分270之間。即，發(fā)光部分250、cgl280和第二發(fā)光部分270順序堆疊在電極220上。換言之，發(fā)光部分250被定位在電極220與cgl280之間，以及第二發(fā)光部分270被定位在第二電極230與cgl280之間。發(fā)光部分250可以包括順序堆疊在電極220上的hil252、htl254、eml240和etl256。即，hil252和htl254被定位在電極220與eml240之間。hil252被定位在電極220與htl254之間，以及htl254被定位在hil252與eml240之間。此外，etl256被定位在eml240與cgl280之間。eml240包含延遲熒光摻雜劑242和磷光摻雜劑244。延遲熒光摻雜劑242具有發(fā)射波長范圍。強(qiáng)茂二極管代理

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