無錫強茂二極管穩(wěn)壓

來源: 發(fā)布時間:2022-07-27

    根據(jù)本發(fā)明的一方面,磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量%比(wpd/wtd)等于或小于%,并且推薦地為約%至%。根據(jù)本發(fā)明的一方面,延遲熒光摻雜劑相對于基質(zhì)的重量百分比可以為約1/4至3/7。如實施例7、9和10中所示,隨著磷光摻雜劑與延遲熒光摻雜劑的重量百分比增加,oled的效率降低。如上所述,在本公開內(nèi)容的oledd1中,eml150包含在發(fā)射波長范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154,并且相對于延遲熒光摻雜劑152,磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5%。因此,oledd1的色彩連續(xù)性得到提高。圖4為根據(jù)本公開內(nèi)容的照明裝置的示意性截面圖。如圖4所示,照明裝置100包括基板110和在基板110上或在基板110上方的oledd1。oledd1包括電極120、有機發(fā)光層140和第二電極130。在圖4中,有機發(fā)光層140和第二電極130順序堆疊在電極120上?;蛘撸袡C發(fā)光層140和電極120可以順序堆疊在第二電極130上。如上所述,在本公開內(nèi)容的oledd1中,eml150包含在發(fā)射波長范圍方面具有差異的延遲熒光摻雜劑152和磷光摻雜劑154,并且相對于延遲熒光摻雜劑152,磷光摻雜劑154的重量百分比等于或小于約5%。因此,oledd1的色彩連續(xù)性得到提高,并且提供好的的照明裝置100。華強北強茂正規(guī)代理商。無錫強茂二極管穩(wěn)壓

    第二藍色摻雜劑462可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。藍色摻雜劑422和第二藍色摻雜劑462可以相同或不同。盡管未示出,但是第三eml460還可以包含基質(zhì)。相對于基質(zhì),第二藍色摻雜劑462的重量百分比可以為約1%至40%,推薦為3%至40%。cgl480被定位在發(fā)光部分430與第二發(fā)光部分450之間,第二cgl490被定位在第二發(fā)光部分450與第三發(fā)光部分470之間。即,發(fā)光部分430和第二發(fā)光部分450通過cgl480彼此連接,第二發(fā)光部分450和第三發(fā)光部分470通過第二cgl490彼此連接。cgl480和第二cgl490各自可以為p-n結(jié)型cgl。cgl480包括n型cgl482和p型cgl484,第二cgl490包括n型cgl492和p型cgl494。在cgl480中,n型cgl482被定位在etl436與第二htl452之間,p型cgl484被定位在n型cgl482與第二htl452之間。在第二cgl490中,n型cgl492被定位在第二etl454與第三htl472之間,p型cgl494被定位在n型cgl492與第三htl472之間。在oledd3中,第二發(fā)光部分450中的第二eml440包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑442和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑444,并且磷光摻雜劑444相對于延遲熒光摻雜劑442的重量百分比等于或小于約5%,推薦等于或小于約%。因此。武漢發(fā)光二極管公司東莞樂山二極管代理商公司。

    顯示裝置300包括:其中限定有紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310與第二基板370之間的oledd2和在oledd2與第二基板370之間的濾色器層380。oledd2向濾色器層380提供白光?;?10和第二基板370各自可以為玻璃基板或塑料基板。例如,基板310和第二基板370各自可以為聚酰亞胺基板。在基板上形成有緩沖層320,以及在紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp中的每一者的緩沖層320上形成有薄膜晶體管(tft)tr。緩沖層320可以省略。在緩沖層320上形成有半導體層322。半導體層322可以包含氧化物半導體材料或多晶硅。當半導體層322包含氧化物半導體材料時,可以在半導體層322下方形成光屏蔽圖案(未示出)。到半導體層322的光被光屏蔽圖案屏蔽或阻擋,使得可以防止半導體層322的熱降解。另一方面,當半導體層322包含多晶硅時,可以在半導體層322的兩側(cè)中摻雜雜質(zhì)。在半導體層322上形成有柵極絕緣層324。柵極絕緣層324可以由無機絕緣材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在柵極絕緣層324上形成有由導電材料(例如金屬)形成的柵極電極330以與半導體層322的中心相對應。在圖6中,柵極絕緣層324形成在基板310的整個表面上?;蛘摺?/p>

    第二eml440包含延遲熒光摻雜劑442和磷光摻雜劑444。延遲熒光摻雜劑442具有發(fā)射波長范圍,磷光摻雜劑444具有與發(fā)射波長范圍不同的第二發(fā)射波長范圍。第二比較大發(fā)射波長比比較大發(fā)射波長更長(更大)。例如,發(fā)射波長范圍可以為綠色波長范圍,第二發(fā)射波長范圍可以為紅色波長范圍。延遲熒光摻雜劑442可以由式1或式3表示,磷光摻雜劑444可以由式5表示。磷光摻雜劑444相對于延遲熒光摻雜劑442的重量百分比等于或小于約5%。例如,磷光摻雜劑444相對于延遲熒光摻雜劑442的重量百分比可以在約%至%,推薦地約%至%的范圍內(nèi)。盡管未示出,但是第二eml440還可以包含基質(zhì)?;|(zhì)可以在第二eml440中具有約50%至80%的重量百分比,并且可以由式7-1或式7-2表示。第三發(fā)光部分470可以包括第三htl472、第三eml460、第三etl474和eil476。第三htl472被定位在第二cgl490與第三eml460之間,第三etl474被定位在第三eml460與第二電極412之間。此外,eil476被定位在第三etl474與第二電極412之間。第三eml460包含第二藍色摻雜劑462。第二藍色摻雜劑462具有與第二eml440中的延遲熒光摻雜劑442和磷光摻雜劑444相比更短的發(fā)射波長范圍。例如。廣東樂山二極管代理商公司。

    eml240包含作為綠色摻雜劑的延遲熒光摻雜劑242和作為紅色摻雜劑的磷光摻雜劑244。在形成有有機發(fā)光層290的基板310上方形成有第二電極230。第二電極230覆蓋顯示區(qū)的整個表面,并且可以由具有相對低的功函數(shù)的導電材料形成以用作陰極。例如,第二電極230可以由鋁(al)、鎂(mg)或al-mg合金形成。由于來自有機發(fā)光層290的光穿過第二電極230入射到濾色器層380,因此第二電極230具有薄的外觀,使得光穿過第二電極230。電極220、有機發(fā)光層290和第二電極230構(gòu)成oledd2。濾色器層380被定位在oledd2上或在oledd2上方,并且包括分別對應于紅色像素rp、綠色像素gp和藍色像素bp的紅色濾色器圖案382、綠色濾色器圖案384和藍色濾色器圖案386。盡管未示出,但是濾色器層380可以通過粘合層附接至oledd2?;蛘?,濾色器層380可以直接形成在oledd2上。此外,可以形成封裝膜以覆蓋oledd2從而防止水分滲入oledd2中。例如,封裝膜可以包括順序堆疊的無機絕緣層、有機絕緣層和第二無機絕緣層,但是不限于此。封裝膜可以省略。此外,可以在第二基板370的外側(cè)布置用于減少環(huán)境光反射的偏光板。例如,偏光板可以為圓形偏光板。偏光板可以省略。在圖6中,來自oledd2的光被設(shè)置成穿過第二電極230。強茂開關(guān)二極管原裝現(xiàn)貨。無錫穩(wěn)壓二極管廠家

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    所以二pmos管mp2管的源極電壓可以隨著輸入改變,從而將其鉗位到步進電壓處。本發(fā)明提出通過引入負電源電壓vne對apd的偏壓進行調(diào)節(jié),為了使四pmos管mp4和五pmos管mp5的源端電壓為0v時,四pmos管mp4和五pmos管mp5仍能開啟,四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓至少要比各自的源極電壓低一個閾值電壓vth,而四pmos管mp4和五pmos管mp5的柵極電壓分別由二電阻r2和三電阻r3上的壓降決定,pmos管的閾值電壓vth接近1v,所以負電源電壓vne可以設(shè)置為-1v。可見本發(fā)明通過引入負電源電壓vne擴大了apd偏置電壓的調(diào)節(jié)范圍。一些實施例中,一運算放大器op1的輸出端和一pmos管mp1的柵極之間還設(shè)置有一電平位移電路,二運算放大器op2的輸出端和三pmos管mp3的柵極之間還設(shè)置有二電平位移電路,電平位移電路能夠保證二pmos管mp2、四pmos管mp4的源端電位更好地鉗位在步進電壓和0v處。為了精簡電路,像素外偏置電壓產(chǎn)生模塊中一運算放大器和二運算放大器可以采用相同的結(jié)構(gòu),如均采用折疊式共源共柵運放結(jié)構(gòu)或其他類型的運放結(jié)構(gòu)。如圖2所示給出了折疊式共源共柵運放結(jié)構(gòu)的實現(xiàn)形式,本實施例以一運算放大器為例進行說明。無錫強茂二極管穩(wěn)壓

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