十六pmos管m7的漏極連接十七pmos管m8的源極；十八pmos管m9的柵極作為一運(yùn)算放大器op1的正相輸入端，其源極連接十九pmos管m10的源極和十三pmos管m4的漏極，其漏極連接一nmos管m11的源極和三nmos管m13的漏極；十九pmos管m10的柵極作為一運(yùn)算放大器op1的反相輸入端，其漏極連接二nmos管m12的源極和四nmos管m14的漏極；三nmos管m13的柵極連接四nmos管m14的柵極以及十五pmos管m6和一nmos管m11的漏極；二nmos管m12的柵極連接一nmos管m11的柵極以及一偏置電壓vb，其漏極連接十七pmos管m8的漏極并作為一運(yùn)算放大器op1的輸出端。本實(shí)施例使用的折疊式共源共柵運(yùn)放包括電流鏡和折疊式共源共柵運(yùn)放兩部分，五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17和八nmos管m18構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)用于鏡像基準(zhǔn)電流iref，十pmos管m1、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8和四電阻r0構(gòu)成一個(gè)自偏置cascode電流鏡，十二pmos管m3、十三pmos管m4是運(yùn)放的尾電流源，十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7、十七pmos管m8作為所述運(yùn)放的電流源負(fù)載，一偏置電壓vb為外部給定，用于使一nmos管m11、二nmos管m12工作在飽和區(qū)。樂山車規(guī)級二極管原裝現(xiàn)貨。東莞進(jìn)口二極管代理
第二電極412為用于注入電子的陰極并且包含低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料例如al、mg或al-mg合金。cgl480和第二cgl490分別被定位在發(fā)光部分430與第二發(fā)光部分450之間和第二發(fā)光部分450與第三發(fā)光部分470之間。即，發(fā)光部分430、cgl480、第二發(fā)光部分450、第二cgl490和第三發(fā)光部分470順序堆疊在電極410上。換言之，發(fā)光部分430被定位在電極410與cgl480之間，第二發(fā)光部分450被定位在cgl480與第二cgl490之間。此外，第三發(fā)光部分470被定位在第二電極412與第二cgl490之間。發(fā)光部分430可以包括順序堆疊在電極410上的hil432、htl434、eml420和etl436。即，hil432和htl434被定位在電極410與eml420之間，hil432被定位在電極410與htl434之間。此外，etl436被定位在eml420與cgl480之間。eml420包含藍(lán)色摻雜劑422。例如，藍(lán)色摻雜劑422可以為熒光化合物、磷光化合物和延遲熒光摻雜劑中的一者。盡管未示出，但是eml420還可以包含基質(zhì)。相對于基質(zhì)，藍(lán)色摻雜劑422的重量百分比可以為約1％至40％，推薦為3％至40％。第二發(fā)光部分450可以包括第二htl452、第二eml440和第二etl454。第二htl452被定位在cgl480與第二eml440之間，第二etl454被定位在第二eml440與第二cgl490之間。溫州肖特基 二極管穩(wěn)壓華南捷捷微二極管代理商公司。
圖5為根據(jù)本公開內(nèi)容的第二實(shí)施方案的oled的示意性截面圖。如圖5所示，oledd2包括電極220、第二電極230、在電極220與第二電極230之間的有機(jī)發(fā)光層290。有機(jī)發(fā)光層290包括發(fā)光部分250，其包括eml240；第二發(fā)光部分270，其包括第二eml260；和在發(fā)光部分250與第二發(fā)光部分270之間的電荷生成層(cgl)280。電極220為用于注入空穴的陽極并且包含高的功函數(shù)的導(dǎo)電材料例如ito或izo。第二電極230為用于注入電子的陰極并且包含低的功函數(shù)的導(dǎo)電材料例如al、mg或al-mg合金。cgl280被定位在發(fā)光部分250與第二發(fā)光部分270之間。即，發(fā)光部分250、cgl280和第二發(fā)光部分270順序堆疊在電極220上。換言之，發(fā)光部分250被定位在電極220與cgl280之間，以及第二發(fā)光部分270被定位在第二電極230與cgl280之間。發(fā)光部分250可以包括順序堆疊在電極220上的hil252、htl254、eml240和etl256。即，hil252和htl254被定位在電極220與eml240之間。hil252被定位在電極220與htl254之間，以及htl254被定位在hil252與eml240之間。此外，etl256被定位在eml240與cgl280之間。eml240包含延遲熒光摻雜劑242和磷光摻雜劑244。延遲熒光摻雜劑242具有發(fā)射波長范圍。
背景技術(shù)：：隨著對占用面積小的平板顯示裝置的需求增加，包括有機(jī)發(fā)光二極管(oled)的有機(jī)發(fā)光顯示裝置已成為近來研究和開發(fā)的主題。oled通過將來自作為電子注入電極的陰極的電子和來自作為空穴注入電極的陽極的空穴注入發(fā)光材料層(eml)中，使電子與空穴結(jié)合，生成激子，并使激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)來發(fā)光。可以使用柔性基板例如塑料基板作為在其中形成元件的基礎(chǔ)基板。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置可以在比使其他顯示裝置運(yùn)行所需的電壓更低的電壓(例如，10v或更低)下運(yùn)行。此外，有機(jī)發(fā)光顯示裝置在功耗和色感方面具有優(yōu)勢。oled包括：在基板上方的作為陽極的電極、與電極間隔開并面向電極的第二電極、和其間的有機(jī)發(fā)光層。為了改善發(fā)光效率，有機(jī)發(fā)光層可以包括順序堆疊在電極上的選自空穴注入層(hil)、空穴傳輸層(htl)、電子阻擋層(ebl)、發(fā)光材料層(eml)、空穴阻擋層(hbl)、電子傳輸層(etl)和電子注入層(eil)中的一個(gè)或更多個(gè)層。來自電極的空穴通過hil和htl被提供到eml中，以及來自第二電極的電子通過eil和etl被提供到eml中。空穴和電子在eml中結(jié)合生成激子。激子從激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)變成基態(tài)，使得從oled中發(fā)射光。另一方面，在照明裝置和/或顯示裝置中使用白色oled(w-oled)。例如。捷捷微開關(guān)二極管原裝現(xiàn)貨。
五pmos管mp5的柵極連接一電流鏡單元的輸出端和二電流鏡單元的輸出端并通過三電阻r3后連接負(fù)電源電壓vne，其漏極連接負(fù)電源電壓vne，其源極輸出浮動(dòng)地電壓作為雪崩光電二極管的偏置電壓。浮動(dòng)地電壓連接復(fù)位管gn的源極，復(fù)位管gn的漏極連接淬滅管gp的源極和雪崩光電二極管的的陽極。一電流鏡單元用于將流過一pmos管mp1的電流按比例鏡像，實(shí)施例中提出一種比例電流鏡結(jié)構(gòu)，能夠步進(jìn)調(diào)節(jié)鏡像的電流比例，如圖1所示，一電流鏡單元包括一開關(guān)s1、二開關(guān)s2、三開關(guān)s3、六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8，其中一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之比為1:1:2:4；六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8的柵極均連接一pmos管mp1的柵極，其源極均連接電源電壓，其漏極分別通過一開關(guān)s1、二開關(guān)s2和三開關(guān)s3后連接一電流鏡單元的輸出端。本實(shí)施例中一電流鏡單元中六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分別與一pmos管mp1構(gòu)成電流鏡結(jié)構(gòu)，且由于一pmos管、六pmos管、七pmos管和八pmos管的寬長比之比為1:1:2:4，因此六pmos管mp6、七pmos管mp7和八pmos管mp8分別能夠按照1:1、1:2、1:4的比例鏡像一pmos管mp1的電流，結(jié)合對一開關(guān)s1、二開關(guān)s2、三開關(guān)s3的控制。強(qiáng)茂二極管原廠渠道。深圳發(fā)光二極管穩(wěn)壓
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本發(fā)明屬于集成電路領(lǐng)域與光電領(lǐng)域，涉及一種基于負(fù)電源電壓對雪崩光電二極管的偏置電壓進(jìn)行調(diào)節(jié)的電路。背景技術(shù)：單光子探測技術(shù)是近年來剛剛發(fā)展起來的一種基于單光子的新式探測技術(shù)，它可以實(shí)現(xiàn)對極微弱光信號的檢測。在目前所用的光電探測器中，具有單光子探測能力的探測器主要有兩種，即光電倍增管(photomultipliertube，pmt)和雪崩光電二極管(avalanchephotodiode，apd)。其中雪崩光電二極管apd(以下簡稱apd)在紅外波段具有功耗低、體積小、工作頻譜范圍大、工作電壓低等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用。雪崩光電二極管apd探測器根據(jù)其偏置電壓的不同，可分為線性和蓋革兩種工作模式。工作在蓋革模式下的雪崩光電二極管apd被稱為單光子雪崩二極管，具有單光子探測能力，被廣泛應(yīng)用于單光子探測技術(shù)。單光子探測技術(shù)可被用于光子測距、**、熒光壽命測量等各方面。隨著對探測器分辨率要求的提高，單光子探測技術(shù)正在向集成大陣列方向發(fā)展，陣列探測的一致性成為重要指標(biāo)。apd陣列的靈敏度與偏壓相關(guān)，但是由于apd陣列存在雪崩擊穿電壓不均勻分布的問題，因此比較高偏壓被陣列中比較低擊穿電壓的像素所限制，apd陣列中將有大量像素處在偏壓不足的狀態(tài)。東莞進(jìn)口二極管代理
深圳市巨新科電子有限公司是一家經(jīng)營范圍包括一般經(jīng)營項(xiàng)目是：一般經(jīng)營項(xiàng)目是：投資興辦實(shí)業(yè)（具體項(xiàng)目另行申報(bào)）；電子產(chǎn)品、電子元器件、電腦配件、電腦軟件的研發(fā)與銷售；國內(nèi)貿(mào)易（不含專營、?？?、專賣商品）；貨物及技術(shù)進(jìn)出口: 經(jīng)營電子商務(wù)；自有房屋租賃。的公司，是一家集研發(fā)、設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷售為一體的專業(yè)化公司。深圳市巨新科作為電子元器件的企業(yè)之一，為客戶提供良好的二極管，電阻，電容，電感。深圳市巨新科繼續(xù)堅(jiān)定不移地走高質(zhì)量發(fā)展道路，既要實(shí)現(xiàn)基本面穩(wěn)定增長，又要聚焦關(guān)鍵領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)轉(zhuǎn)型再突破。深圳市巨新科始終關(guān)注自身，在風(fēng)云變化的時(shí)代，對自身的建設(shè)毫不懈怠，高度的專注與執(zhí)著使深圳市巨新科在行業(yè)的從容而自信。