福建方斑光催化太陽光模擬設備

光催化氙燈光源的發(fā)光原理：光催化氙燈光源是在石英管內(nèi)，以多種化學氣體充填，其中大部份為氙氣（Xenon）與碘化物等惰性氣體，然后再透過增壓器（Ballast）將車上12伏特的直流電壓瞬間增壓至23000伏特的電流，經(jīng)過高壓震幅激發(fā)石英管內(nèi)的氙氣電子游離，在兩電極之間產(chǎn)生光源，這就是所謂的氣體放電。一般光催化鹵素燈的多發(fā)出1000LM度，而在光催化氙燈則是3200LM度，對于經(jīng)常晚上開車的人來說，安全系數(shù)有效的提高，疲勞度也有效的下降！鹵素燈一般就是60W-100W的功率，而氙燈則是35W，使用更節(jié)能。光催化氙燈普遍應用于光解氫、光化學催化、光合成、光降解污染物、水污染處理、生物光等研究領域。福建方斑光催化太陽光模擬設備

光催化裝置的技術特點：1.創(chuàng)新采用多面反射設計，改進了傳統(tǒng)光化學反應的單面照射，即前、后、下三面照射，使反應管內(nèi)的溶液對光線的接受更加均勻。2.內(nèi)置半導體制冷恒溫系統(tǒng)，保證反應室內(nèi)三盞燈體全功率照射，溫度不超過25℃，減少光源熱效應對反應的影響，保證實驗數(shù)據(jù)準確可靠。3.內(nèi)置式磁力攪拌系統(tǒng)，可連續(xù)調(diào)整攪拌速度0-1000rpm。4.可以根據(jù)需要定制多個反應試管，Schlenk管，反應瓶支架，可以方便地完成高通量的多聯(lián)機試。5.光催化裝置解決了傳統(tǒng)的直接照射催化反應的熱效應和非均勻性。福建方斑光催化濾波片光催化氙燈光源提高了現(xiàn)有設計的準確性，確保了產(chǎn)品的安全穩(wěn)定性。

光催化氙燈光源是利用氙氣放電而發(fā)光的電光源。由于燈內(nèi)放電物質是惰性氣體氙氣，其激發(fā)電位和電離電位相差較小。氙燈輻射光譜能量分布與日光相接近，色溫約為6000K。氙燈均為連續(xù)光譜部分的光譜分布幾乎與燈輸入功率變化無關，在壽命期內(nèi)光譜能量分布也幾乎不變。光催化氙燈光源由于放電物質是惰性氣體氙氣，所以激發(fā)電位和電離電位相差較小。氙燈連續(xù)光譜的部分光譜分布幾乎與燈輸入功率變化無關，在壽命期內(nèi)光譜能量分布也變化不大。氙燈的光、電參數(shù)一致性好，工作狀態(tài)受外界條件變化的影響相對較小。

光催化氙燈光源使用注意事項：1.燈泡后端的尖銳凸起是燈泡密封口，比較脆弱，嚴禁撞擊。2.啟動前和光源運行時必須確定風扇處于工作狀態(tài)，如果風扇出現(xiàn)故障，嚴禁啟動。3.光源運行時，禁止移動。4.光源運行時，不要直視出光口，如需觀察光斑情況，一定要戴防護眼鏡。5.光源運行時，不要觸摸散熱器表面和濾片表面，以免燒傷。6.注意清潔工作環(huán)境，避免小物件從燈箱上方的散熱孔中掉入。7.嚴禁工作電流超過21AMP(安培)。8.當高壓模塊多次(10次左右)不能刺激燈泡并點亮燈泡時，不要繼續(xù)嘗試，應立即更換燈泡或聯(lián)系廠家。9.為了避免電源損壞、故障或爆破，請不要使用非本型號的燈泡。光催化反應，就是在光的作用下進行的化學反應。

光催化反應器LED冷光源優(yōu)點：高節(jié)能：節(jié)能無污染對環(huán)境產(chǎn)生了保護。直流驅動，較低功耗(單管0.03-0.06瓦)電光功率轉換接近，光催化反應器與相同照明效果比傳統(tǒng)光源節(jié)能80%以上。壽命長:LED光源被稱為長壽燈，光催化反應器意味著永遠不會熄滅的燈。固體冷光源，環(huán)氧樹脂封裝，燈體內(nèi)也沒有松動的部分，不存在燈發(fā)光易燒、熱沉積、光衰減等缺點，壽命可達6萬至10萬小時，比傳統(tǒng)光源壽命長10倍以上。變化：LED光源利用紅、綠、籃三基色原理，在計算機技術控制下使三種顏色具有256級灰度，可自由混合，產(chǎn)生256×256×256=1677216種顏色，形成不同顏色的組合變化。利潤環(huán)境保護：環(huán)境保護效益更好，光譜無紫外線和紅外線，無熱量，無輻射，眩光小，廢棄物可回收，無冷光源，安全觸摸，光催化反應器是典型的綠色照明光源。光催化技術可以有效的減少室內(nèi)空氣中的有害氣體，如二氧化碳、一氧化碳等。廣東方斑光催化太陽光模擬設備

光催化氙燈采用新型溫控反饋系統(tǒng)，既隔離高壓，又提高精度。福建方斑光催化太陽光模擬設備

光催化是光化學和催化科學的交叉點，一般是指在催化劑參與下的光化學反應。半導體材料之所以具有光催化特性，是由它的能帶結構所決定。半導體的晶粒內(nèi)含有能帶結構，其能帶結構通常由一個充滿電子的低能價帶（valent-band，VB）和一個空的高能導帶（conductionband，CB）構成，價帶和導帶之間由禁帶分開，該區(qū)域的大小稱為禁帶寬度，其能差為帶隙能，半導體的帶隙能一般為0.2~3.0eV。當用能量等于或大于帶隙能的光照射催化劑時，價帶上的電子被激發(fā)，越過禁帶進入導帶，同時在價帶上產(chǎn)生相應的空穴，即生成電子/空穴對。由于半導體能帶的不連續(xù)性，電子和空穴的壽命較長，在電場作用下或通過擴散的方式運動，與吸附在催化劑粒子表面上的物質發(fā)生氧化還原反應，或者被表面晶格缺陷俘獲?？昭ê碗娮釉诖呋瘎﹥?nèi)部或表面也可能直接復合。福建方斑光催化太陽光模擬設備

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