安徽整流橋GBU1002

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-06-05

   不限于本實(shí)施例,任意可實(shí)現(xiàn)整流橋連接關(guān)系的設(shè)置方式均可,在此不一一贅述。如圖1所示,在本實(shí)施例中,所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路集成于控制芯片12內(nèi)。具體地,所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極作為所述控制芯片12的漏極端口d,源極連接所述邏輯電路的采樣端口,柵極連接所述邏輯電路的控制信號(hào)輸出端(輸出邏輯控制信號(hào));所述邏輯電路的采樣端口作為所述控制芯片12的采樣端口cs,高壓端口連接所述功率開(kāi)關(guān)管的漏極,接地端口作為所述控制芯片12的接地端口gnd。所述控制芯片12的接地端口gnd連接所述信號(hào)地管腳gnd,漏極端口d連接所述漏極管腳drain,采樣端口cs連接所述采樣管腳cs。在本實(shí)施例中,所述控制芯片12的底面為襯底,通過(guò)導(dǎo)電膠或錫膏粘接于所述信號(hào)地基島14上,所述控制芯片12的接地端口gnd采用就近原則,通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地基島14,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接;漏極端口d通過(guò)金屬引線連接所述漏極管腳drain;采樣端口cs通過(guò)金屬引線連接所述采樣管腳cs。所述功率開(kāi)關(guān)管可通過(guò)所述信號(hào)地基島14及所述信號(hào)地管腳gnd實(shí)現(xiàn)散熱。需要說(shuō)明的是,所述控制芯片12可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上。常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司力于提供整流橋 ,有想法的不要錯(cuò)過(guò)哦!安徽整流橋GBU1002

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   接地端口gnd通過(guò)金屬引線連接所述信號(hào)地基島14,進(jìn)而實(shí)現(xiàn)與所述信號(hào)地管腳gnd的連接。需要說(shuō)明的是,所述邏輯電路122可根據(jù)設(shè)計(jì)需要設(shè)置在不同的基島上,與所述控制芯片12的設(shè)置方式類(lèi)似,在此不一一贅述作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,所述漏極管腳drain的寬度大于,進(jìn)一步設(shè)置為~1mm,以加強(qiáng)散熱,達(dá)到封裝熱阻的作用。本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)采用三基島架構(gòu),將整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路及高壓續(xù)流二極管集成在一個(gè)引線框架內(nèi),由此降低封裝成本。如圖4所示,本實(shí)施例還提供一種電源模組,所述電源模組包括:本實(shí)施例的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1,第二電容c2,第三電容c3,電感l(wèi)1,負(fù)載及第二采樣電阻rcs2。如圖4所示,所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的火線管腳l連接火線,零線管腳n連接零線,信號(hào)地管腳gnd接地。如圖4所示,所述第二電容c2的一端連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的高壓供電管腳hv,另一端接地。如圖4所示,所述第三電容c3的一端連接所述1高壓供電管腳hv,另一端經(jīng)由所述電感l(wèi)1連接所述合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)1的漏極管腳drain。如圖4所示,所述負(fù)載連接于所述第三電容c3的兩端。具體地,在本實(shí)施例中,所述負(fù)載為led燈串。安徽銷(xiāo)售整流橋GBU1504整流橋 ,就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司,用戶的信賴(lài)之選,歡迎您的來(lái)電!

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   整流橋的生產(chǎn)工藝流程主要包括以下幾個(gè)步驟:芯片制造:整流橋的組成是半導(dǎo)體芯片,因此首先需要進(jìn)行芯片制造。芯片制造主要包括硅片制備、氧化層制作、光刻、摻雜、薄膜制作等步驟。芯片封裝:制造好的芯片需要進(jìn)行封裝,以保護(hù)芯片免受外界環(huán)境的影響。封裝過(guò)程主要包括將芯片固定在基板上,然后通過(guò)引腳將芯片與外部電路連接起來(lái)。檢測(cè)與測(cè)試:封裝好的整流橋需要進(jìn)行檢測(cè)和測(cè)試,以確保其性能符合要求。檢測(cè)主要包括外觀檢測(cè)、電性能檢測(cè)、環(huán)境適應(yīng)性檢測(cè)等。包裝運(yùn)輸:經(jīng)過(guò)檢測(cè)和測(cè)試合格的整流橋需要進(jìn)行包裝運(yùn)輸,以保護(hù)產(chǎn)品在運(yùn)輸過(guò)程中不受損壞。包裝運(yùn)輸主要包括產(chǎn)品包裝、標(biāo)識(shí)、運(yùn)輸?shù)拳h(huán)節(jié)。具體來(lái)說(shuō),整流橋的生產(chǎn)工藝流程如下:準(zhǔn)備材料:準(zhǔn)備芯片制造所需的原材料,如硅片、氣體、試劑等。芯片制造:在潔凈的廠房中,通過(guò)一系列的化學(xué)和物理工藝,將硅片制作成半導(dǎo)體芯片。芯片封裝:將制造好的芯片進(jìn)行封裝,以保護(hù)其免受外界環(huán)境的影響。測(cè)試與檢測(cè):對(duì)封裝好的整流橋進(jìn)行電性能測(cè)試、環(huán)境適應(yīng)性測(cè)試等,以確保其性能符合要求。包裝運(yùn)輸:將合格的產(chǎn)品進(jìn)行包裝、標(biāo)識(shí),然后運(yùn)輸?shù)侥康牡亍?傊?,整流橋的生產(chǎn)工藝流程涉及到多個(gè)環(huán)節(jié)和復(fù)雜的工藝技術(shù)。

   包括但不限于~2mm,2mm~3mm,進(jìn)而滿足高壓的安全間距要求。作為本實(shí)施例的一種實(shí)現(xiàn)方式,所述信號(hào)地管腳gnd的寬度大于,進(jìn)一步設(shè)置為~1mm,以加強(qiáng)散熱,達(dá)到封裝熱阻的作用。在本實(shí)施例中,如圖1所示,所述火線管腳l、所述高壓供電管腳hv及所述漏極管腳drain位于所述塑封體11的一側(cè),所述零線管腳n、所述信號(hào)地管腳gnd及所述采樣管腳cs位于所述塑封體11的另一側(cè)。需要說(shuō)明的是,各管腳的排布位置及間距可根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行設(shè)定,不以本實(shí)施例為限。如圖1所示,所述整流橋的交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述火線管腳,第二交流輸入端通過(guò)基島或引線連接所述零線管腳,輸出端通過(guò)基島或引線連接所述高壓供電管腳,第二輸出端通過(guò)基島或引線連接所述信號(hào)地管腳。具體地,作為本實(shí)用新型的一種實(shí)現(xiàn)方式,所述整流橋包括四個(gè)整流二極管,各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線連接至對(duì)應(yīng)管腳。在本實(shí)施例中,所述整流橋采用兩個(gè)n型二極管及兩個(gè)p型二極管實(shí)現(xiàn),其中,整流二極管dz1及第二整流二極管dz2為n型二極管,n型二極管的下層為n型摻雜區(qū),上層為p型摻雜區(qū),下層底面鍍銀,上層頂面鍍鋁;第三整流二極管dz3及第四整流二極管dz4為p型二極管。整流橋 ,就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司,讓您滿意,歡迎您的來(lái)電哦!

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   設(shè)置于所述塑封體邊緣的火線管腳、零線管腳、高壓供電管腳、信號(hào)地管腳、漏極管腳、采樣管腳,以及設(shè)置于所述塑封體內(nèi)的整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路、至少兩個(gè)基島;其中,所述整流橋包括四個(gè)整流二極管,各整流二極管的正極和負(fù)極分別通過(guò)基島或引線連接至對(duì)應(yīng)管腳;所述邏輯電路連接對(duì)應(yīng)管腳,產(chǎn)生邏輯控制信號(hào);所述功率開(kāi)關(guān)管的柵極連接所述邏輯控制信號(hào),漏極及源極分別連接對(duì)應(yīng)管腳;所述功率開(kāi)關(guān)管及所述邏輯電路分立設(shè)置或集成于控制芯片內(nèi)。本實(shí)用新型的合封整流橋的封裝結(jié)構(gòu)及電源模組將整流橋、功率開(kāi)關(guān)管、邏輯電路通過(guò)一個(gè)引線框架封裝在同一個(gè)塑封體中,以此減小封裝成本。所以,本實(shí)用新型有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點(diǎn)而具高度產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值。上述實(shí)施例例示性說(shuō)明本實(shí)用新型的原理及其功效,而非用于限制本實(shí)用新型。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本實(shí)用新型的精神及范疇下,對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行修飾或改變。因此,舉凡所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有通常知識(shí)者在未脫離本實(shí)用新型所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變,仍應(yīng)由本實(shí)用新型的權(quán)利要求所涵蓋。整流橋 ,就選常州市國(guó)潤(rùn)電子有限公司,用戶的信賴(lài)之選,有想法可以來(lái)我司咨詢(xún)!廣東生產(chǎn)整流橋GBU606

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ASEMI工程解析:整流橋的功用應(yīng)用于電路中逼迫風(fēng)編輯人:MM摘要:整流橋的效用應(yīng)用于電路中強(qiáng)逼風(fēng)的講解,強(qiáng)逼風(fēng)影響它的溫度,這是一個(gè)很大的因素整流橋的功用整流橋在強(qiáng)逼風(fēng)冷降溫時(shí)殼溫的確定由以上兩種情形三種不同散熱冷卻形式的分析與計(jì)算,我們可以得出:在整流橋自然降溫時(shí),我們可以直接使用生產(chǎn)廠家所提供的結(jié)--環(huán)境熱阻(Rja),來(lái)測(cè)算整流橋的結(jié)溫,從而可以簡(jiǎn)便地驗(yàn)證我們的設(shè)計(jì)是不是達(dá)到功率電子元件的溫度降額基準(zhǔn);對(duì)整流橋使用不帶散熱器的強(qiáng)迫風(fēng)冷狀況,由于在實(shí)際上采用中很少使用,在此不予太多的討論。如果在應(yīng)用中的確關(guān)乎該種情況,可以借鑒整流橋自然降溫的計(jì)算方式;對(duì)整流橋使用散熱器開(kāi)展冷卻時(shí),我們只能參閱廠家給我們提供的結(jié)--殼熱阻(Rjc),通過(guò)測(cè)量整流橋的殼溫從而推算出其結(jié)溫,達(dá)到檢驗(yàn)?zāi)康摹T诖?,我們著重探討該?jì)算殼溫測(cè)量點(diǎn)的選取及其相關(guān)的計(jì)算方式,并提出一種在具體應(yīng)用中可行、在計(jì)算中又確實(shí)的測(cè)量方法。從前面對(duì)整流橋帶散熱器來(lái)實(shí)現(xiàn)其散熱過(guò)程的分析中可以看出,整流橋主要的損耗是通過(guò)其背面的散熱器來(lái)散發(fā)的,因此在此談?wù)撜鳂驓厝绾未_定時(shí),就忽約其通過(guò)引腳的傳熱量。安徽整流橋GBU1002