寧夏可關(guān)斷可控硅（晶閘管）ABB配套

載流子雪崩式地增加，致使電流急劇增加，這種擊穿稱為雪崩擊穿。無論哪種擊穿，若對其電流不加限制，都可能造成PN結(jié)長久性損壞。[5]二極管反向電流反向電流是指二極管在常溫（25℃）和高反向電壓作用過二極管的反向電流。反向電流越小，管子的單方向?qū)щ娦阅茉胶谩Ｖ档米⒁獾氖欠聪螂娏髋c溫度有著密切的關(guān)系，大約溫度每升高10℃，反向電流增大一倍。例如2AP1型鍺二極管，在25℃時(shí)反向電流若為250uA，溫度升高到35℃，反向電流將上升到500uA，依此類推，在75℃時(shí)，它的反向電流已達(dá)8mA，不失去了單方向?qū)щ娞匦?，還會使管子過熱而損壞。又如，2CP10型硅二極管，25℃時(shí)反向電流為5uA，溫度升高到75℃時(shí)，反向電流也不過160uA。故硅二極管比鍺二極管在高溫下具有較好的穩(wěn)定性。[4]二極管動態(tài)電阻二極管特性曲線靜態(tài)工作點(diǎn)附近電壓的變化與相應(yīng)電流的變化量之比。[4]二極管電壓溫度系數(shù)電壓溫度系數(shù)指溫度每升高一攝氏度時(shí)的穩(wěn)定電壓的相對變化量。[4]二極管高工作頻率高工作頻率是二極管工作的上限頻率。因二極管與PN結(jié)一樣，其結(jié)電容由勢壘電容組成。所以高工作頻率的值主要取決于PN結(jié)結(jié)電容的大小。若是超過此值。則單向?qū)щ娦詫⑹苡绊?。晶閘管分為螺栓形和平板形兩種。寧夏可關(guān)斷可控硅（晶閘管）ABB配套

在恢復(fù)電流快速衰減時(shí)，由于外電路電感的作用，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U。從正向電流降為零，到反向恢復(fù)電流衰減至接近于零的時(shí)間，就是晶閘管的反向阻斷恢復(fù)時(shí)間t。[1]反向恢復(fù)過程結(jié)束后，由于載流子復(fù)合過程比較慢，晶閘管要恢復(fù)其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時(shí)間，這叫做反向阻斷恢復(fù)時(shí)間tgr。在反向阻斷恢復(fù)時(shí)間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向?qū)ǎ皇荛T極電流控制而導(dǎo)通。所以在實(shí)際應(yīng)用中，需對晶閘管施加足夠長時(shí)間的反壓，使晶閘管充分恢復(fù)其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時(shí)間t定義為t與t之和，即t=t+t除了開通時(shí)間t、關(guān)斷時(shí)間t及觸發(fā)電流IGT外，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復(fù)峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時(shí)，允許重復(fù)加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標(biāo)值作為該器件的額定電壓。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時(shí)所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標(biāo)稱其額定電流的參數(shù)。山東大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）原廠原盒根據(jù)晶閘管的工作特性，常見的應(yīng)用就是現(xiàn)場用的不間斷應(yīng)急燈。

晶閘管的種類晶閘管有多種方式分類管理方法。（1）按關(guān)閉、傳導(dǎo)和控制方式分類晶閘管可分為普通晶閘管、晶閘管晶閘管、反向晶閘管、門極關(guān)斷晶閘管、btg晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管。（B）在銷和分類的極性晶閘管按其引腳和極性不同可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管。（三）按封裝形式分類晶閘管其包可分為金屬封裝的晶閘管，晶閘管塑料晶閘管和三種類型的陶瓷封裝的。其中，所述金屬包晶閘管被分成螺栓形，板形，圓形殼狀等;塑料晶閘管被分成翅片型散熱器和無兩。（四）按電流容量分類晶閘管按電流進(jìn)行容量不同可分為傳統(tǒng)大功率晶閘管、率控制晶閘管和小功率以及晶閘管三種。通常，大功率晶閘管多采用一些金屬殼封裝，而中、小功率通過晶閘管則多采用塑封或陶瓷材料封裝。（五）按關(guān)斷速度分類根據(jù)它們的普通晶閘管關(guān)斷晶閘管，并且可以被劃分為高頻（快）晶閘管。晶閘管和可控硅的區(qū)別晶閘管(THYRISTOR)又稱SCR，屬于功率器件領(lǐng)域，是一種功率半導(dǎo)體開關(guān)元件。SCR是它的縮寫。根據(jù)其工作特性，可分為單向SCR(SCR)和雙向SCR(TRIAC)?？煽毓枰卜Q作一個(gè)晶閘管，它是由PNPN四層半導(dǎo)體材料構(gòu)成的元件。

按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā)，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。

（1）可控硅一般做成螺栓形和平板形，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN四層組成。

（2）可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件：（1〕受正向陽極電壓；（2）受正向門極電壓。（3）可控硅導(dǎo)通后，當(dāng)陽極電流小干維持電流In時(shí)可控硅關(guān)斷。（4）可控硅的特性主要是：（1）陽極伏安特性曲線，（2）門極伏安特性區(qū)。（5）應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅。 這類應(yīng)用一般多應(yīng)用在電力試驗(yàn)設(shè)備上，通過變壓器，調(diào)整晶閘管的導(dǎo)通角輸出一個(gè)可調(diào)的直流電壓。

具有單向?qū)щ娞匦?，而陽極A與門極之間有兩個(gè)反極性串聯(lián)的PN結(jié)。因此，通過用萬用表的R×100或R×1kQ檔測量普通晶閘管各引腳之間的電阻值，即能確定三個(gè)電極。具體方法是：將萬用表黑表筆任接晶閘管某一極，紅表筆依次去觸碰另外兩個(gè)電極。若測量結(jié)果有一次阻值為幾千歐姆(kΩ)，而另一次阻值為幾百歐姆(Ω)，則可判定黑表筆接的是門極G。在阻值為幾百歐姆的測量中，紅表筆接的是陰極K，而在阻值為幾千歐姆的那次測量中，紅表筆接的是陽極A，若兩次測出的阻值均很大，則說明黑表筆接的不是門極G，應(yīng)用同樣方法改測其他電極，直到找出三個(gè)電極為止。也可以測任兩腳之間的正、反向電阻，若正、反向電阻均接近無窮大，則兩極即為陽極A和陰極K，而另一腳即為門極G。普通晶閘管也可以根據(jù)其封裝形式來判斷出各電極。螺栓形普通晶閘管的螺栓一端為陽極A，較細(xì)的引線端為門極G，較粗的引線端為陰極K。平板形普通晶閘管的引出線端為門極G，平面端為陽極A，另一端為陰極K。金屬殼封裝(T0—3)的普通晶閘管，其外殼為陽極A。塑封(T0—220)的普通晶閘管的中間引腳為陽極A，且多與自帶散熱片相連。晶閘管觸發(fā)能力檢測：對于小功率(工作電流為5A以下)的普通晶閘管，可用萬用表R×1檔測量?？煽毓鑿耐庑紊戏诸愔饕校郝菟ㄐ?、平板形和平底形。山東大功率igbt高壓可控硅（晶閘管）原廠原盒

可控硅是P1N1P2N2四層三端結(jié)構(gòu)元件，共有三個(gè)PN結(jié)。寧夏可關(guān)斷可控硅（晶閘管）ABB配套

1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負(fù)載在起動時(shí)一般都比其額定電流大幾倍，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差，建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流，這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測出的電流值，不是有效值，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值，但有效值會超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此，要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關(guān)電源，也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源)。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口，嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。5、其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí)，如果變壓器空載。寧夏可關(guān)斷可控硅（晶閘管）ABB配套