天津宏微整流二極管模塊

來源: 發(fā)布時間:2024-04-22

1N5399硅整流二極管1000V,,1N5400硅整流二極管50V,3A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=150A)1N5401硅整流二極管100V,3A,1N5402硅整流二極管200V,3A,1N5403硅整流二極管300V,3A,1N5404硅整流二極管400V,3A,1N5405硅整流二極管500V,3A,1N5406硅整流二極管600V,3A,1N5407硅整流二極管800V,3A,1N5408硅整流二極管1000V,3A,1S1553硅開關(guān)二極管70V,100mA,300mW,,1S1554硅開關(guān)二極管55V,100mA,300mW,,1S1555硅開關(guān)二極管35V,100mA,300mW,,1S2076硅開關(guān)二極管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2076A硅開關(guān)二極管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,1S2471硅開關(guān)二極管80V,Ir≤≤,≤2PF,1S2471B硅開關(guān)二極管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,1S2471V硅開關(guān)二極管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,1S2472硅開關(guān)二極管50V,Ir≤≤,≤2PF,1S2473硅開關(guān)二極管35V,Ir≤≤,≤3PF,1S2473H硅開關(guān)二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2AN1二極管5A,f=100KHz2CK100硅開關(guān)二極管40V,150mA,300mW,4nS,3PF,450ma,2CK101硅開關(guān)二極管70V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK102硅開關(guān)二極管35V,150mA,250mW,8nS,3PF,450ma,2CK103硅開關(guān)二極管20V,100mA,2PF,100ma,2CK104硅開關(guān)二極管35V。西門康快恢復(fù)二極管SKKE310F12;天津宏微整流二極管模塊

從大型的液晶電視、電腦顯示屏到媒體播放器MP3、MP4以及手機(jī)等的顯示屏都將發(fā)光二極管用作屏背光源。[6](2)汽車以及大型機(jī)械中的應(yīng)用發(fā)光二極管在汽車以及大型機(jī)械中得到廣應(yīng)用。汽車以及大型機(jī)械設(shè)備中的方向燈、車內(nèi)照明、機(jī)械設(shè)備儀表照明、大前燈、轉(zhuǎn)向燈、剎車燈、尾燈等都運用了發(fā)光二極管。主要是因為發(fā)光二極管的響應(yīng)快、使用壽命長(一般發(fā)光二極管的壽命比汽車以及大型機(jī)械壽命長)。[6](3)煤礦中的應(yīng)用由于發(fā)光二極管較普通發(fā)光器件具有效率高、能耗小、壽命長、光度強(qiáng)等特點,因此礦工燈以及井下照明等設(shè)備使用了發(fā)光二極管。雖然還未完全普及,但在不久將得到普遍應(yīng)用,發(fā)光二極管將在煤礦應(yīng)用中取代普通發(fā)光器件。[6](4)城市的裝飾燈在當(dāng)今繁華的商業(yè)時代,霓虹燈是城市繁華的重要標(biāo)志,但霓虹燈存在很多缺點,比如壽命不夠長等。因此,用發(fā)光二極管替代霓虹燈有著很多優(yōu)勢,因為發(fā)光二極管與霓虹燈相比除了壽命長,還有節(jié)能、驅(qū)動和控制簡易、無需維護(hù)等特點。發(fā)光二極管替代霓虹燈將是照明設(shè)備發(fā)展的必然結(jié)果。山西艾賽斯快恢復(fù)二極管快速發(fā)貨硅功率開關(guān)二極管經(jīng)銷商找哪家,推薦咨詢上海寅涵智能科技。

把交流電變成脈動直流電。整流二極管漏電流較大,多數(shù)采用面接觸性料封裝的二極管。整流二極管的外形如圖1所示,另外,整流二極管的參數(shù)除前面介紹的幾個外,還有大整流電流,是指整流二極管長時間的工作所允許通過的大電流值。它是整流二極管的主要參數(shù),是選項用整流二極管的主要依據(jù)。二極管特性曲線整流二極管常用參數(shù)編輯(1)大平均整流電流IF:指二極管長期工作時允許通過的大正向平均電流。該電流由PN結(jié)的結(jié)面積和散熱條件決定。使用時應(yīng)注意通過二極管的平均電流不能大于此值,并要滿足散熱條件。例如1N4000系列二極管的IF為1A。(2)高反向工作電壓VR:指二極管兩端允許施加的大反向電壓。若大于此值,則反向電流(IR)劇增,二極管的單向?qū)щ娦员黄茐?,從而引起反向擊穿。通常取反向擊穿電?VB)的一半作為(VR)。例如1N4001的VR為50V,1N4002-1n4006分別為100V、200V、400V、600V和800V,1N4007的VR為1000V(3)大反向電流IR:它是二極管在高反向工作電壓下允許流過的反向電流,此參數(shù)反映了二極管單向?qū)щ娦阅艿暮脡摹R虼诉@個電流值越小,表明二極管質(zhì)量越好。(4)擊穿電壓VB:指二極管反向伏安特性曲線急劇彎曲點的電壓值。反向為軟特性時。

促使整流管加速老化,并被過早地?fù)舸p壞。(3)運行管理欠佳。值班運行人員工作不負(fù)責(zé)任,對外界負(fù)荷的變化(特別是在深夜零點至第二天上午6點之間)不了解,或是當(dāng)外界發(fā)生了甩負(fù)荷故障,運行人員沒有及時進(jìn)行相應(yīng)的操作處理,產(chǎn)生過電壓而將整流管擊穿損壞。(4)設(shè)備安裝或制造質(zhì)量不過關(guān)。由于發(fā)電機(jī)組長期處于較大的振動之中運行,使整流管也處于這一振動的外力干擾之下;同時由于發(fā)電機(jī)組轉(zhuǎn)速時高時低,使整流管承受的工作電壓也隨之忽高忽低地變化,這樣便地加速了整流管的老化、損壞。(5)整流管規(guī)格型號不符。更換新整流管時錯將工作參數(shù)不符合要求的管子換上或者接線錯誤,造成整流管擊穿損壞。(6)整流管安全裕量偏小。整流管的過電壓、過電流安全裕量偏小,使整流管承受不起發(fā)電機(jī)勵磁回路中發(fā)生的過電壓或過電流暫態(tài)過程峰值的襲擊而損壞。整流二極管代換編輯整流二極管損壞后,可以用同型號的整流二極管或參數(shù)相同其它型號整流二極管代換。通常,高耐壓值(反向電壓)的整流二極管可以代換低耐壓值的整流二極管,而低耐壓值的整流二極管不能代換高耐壓值的整流二極管。整流電流值高的二極管可以代換整流電流值低的二極管。快恢復(fù)二極管PSMD200E12現(xiàn)貨;

二極管的反向飽和電流受溫度影響很大。3、擊穿外加反向電壓超過某一數(shù)值時,反向電流會突然增大,這種現(xiàn)象稱為電擊穿。引起電擊穿的臨界電壓稱為二極管反向擊穿電壓。電擊穿時二極管失去單向?qū)щ娦?。如果二極管沒有因電擊穿而引起過熱,則單向?qū)щ娦圆灰欢〞婚L久破壞,在撤除外加電壓后,其性能仍可恢復(fù),否則二極管就損壞了。因而使用時應(yīng)避免二極管外加的反向電壓過高。二極管是一種具有單向?qū)щ姷亩似骷?,有電子二極管和晶體二極管之分,電子二極管現(xiàn)已很少見到,比較常見和常用的多是晶體二極管。二極管的單向?qū)щ娞匦?,幾乎在所有的電子電路中,都要用到半?dǎo)體二極管,它在許多的電路中起著重要的作用,它是誕生早的半導(dǎo)體器件之一,其應(yīng)用也非常廣。二極管的管壓降:硅二極管(不發(fā)光類型)正向管壓降,鍺管正向管壓降為,發(fā)光二極管正向管壓降會隨不同發(fā)光顏色而不同。主要有三種顏色,具體壓降參考值如下:紅色發(fā)光二極管的壓降為,黃色發(fā)光二極管的壓降為—,綠色發(fā)光二極管的壓降為—,正常發(fā)光時的額定電流約為20mA。二極管的電壓與電流不是線性關(guān)系,所以在將不同的二極管并聯(lián)的時候要接相適應(yīng)的電阻。[1]二極管原理二極管的原理編輯二極管工作原理。上海寅涵智能科技專業(yè)供應(yīng)IXYS艾賽斯MUBW36-12E7;福建三社可控硅二極管國內(nèi)經(jīng)銷

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二極管正負(fù)極判斷方法如下:

1、對于普通二極管,可以看管體表面,有白線的一端為負(fù)極。

2、對于發(fā)光二極管,引腳長的為正極,短的為負(fù)極。

3、如果引腳被剪得一樣長了,發(fā)光二極管管體內(nèi)部金屬極較小的是正極,大的片狀的是負(fù)極。

4、如果看不清,也可打開萬用表,將旋鈕撥到通斷檔,將紅黑表筆分別接在兩個引腳。若有讀數(shù),則紅表筆一端為正極,若讀數(shù)為1,則黑表筆一端為正極。二極管是用半導(dǎo)體材料(硅、硒、鍺等)制成的一種電子器件,它具有單向?qū)щ娦阅?,即給二極管陽極加上正向電壓時,二極管導(dǎo)通。當(dāng)給陽極和陰極加上反向電壓時,二極管截止。

因此,二極管的導(dǎo)通和截止,則相當(dāng)于開關(guān)的接通與斷開。二極管結(jié)構(gòu)構(gòu)成二極管就是由一個PN結(jié)加上相應(yīng)的電極引線及管殼封裝而成的,采用不同的摻雜工藝。通過擴(kuò)散作用,將P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體制作在同一塊半導(dǎo)體(通常是硅或鍺)基片上,在它們的交界面就形成空間電荷區(qū)稱為PN結(jié)。 天津宏微整流二極管模塊