3、任何指針式萬用表皆可用于檢測IGBT注意判斷IGBT好壞時，一定要將萬用表撥在R&TImes;10KΩ擋，因R&TImes;1KΩ擋以下各檔萬用表內(nèi)部電池電壓太低，檢測好壞時不能使IGBT導(dǎo)通，而無法判斷IGBT的好壞。此方法同樣也可以用于檢測功率場效應(yīng)晶體管（P-MOSFET）的好壞。逆變器IGBT模塊檢測：將數(shù)字萬用表撥到二極管測試檔，測試IGBT模塊c1e1、c2e2之間以及柵極G與e1、e2之間正反向二極管特性，來判斷IGBT模塊是否完好。以六相模塊為例。將負載側(cè)U、V、W相的導(dǎo)線拆除，使用二極管測試檔，紅表筆接P（集電極c1），黑表筆依次測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為比較大；將表筆反過來，黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為400左右。再將紅表筆接N（發(fā)射極e2），黑表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為400左右；黑表筆接P，紅表筆測U、V、W，萬用表顯示數(shù)值為比較大。各相之間的正反向特性應(yīng)相同，若出現(xiàn)差別說明IGBT模塊性能變差，應(yīng)予更換。IGBT模塊損壞時，只有擊穿短路情況出現(xiàn)。紅、黑兩表筆分別測柵極G與發(fā)射極E之間的正反向特性，萬用表兩次所測的數(shù)值都為比較大，這時可判定IGBT模塊門極正常。如果有數(shù)值顯示，則門極性能變差，此模塊應(yīng)更換。通常IGBT模塊的工作電壓（600V、1200V、1700V）均對應(yīng)于常用電網(wǎng)的電壓等級。貴州Mitsubishi 三菱IGBT模塊型號齊全
IGBT模塊的結(jié)溫控制對于延長模塊的壽命具有重要意義。4.溫度對模塊的安全性的影響IGBT模塊的結(jié)溫升高會導(dǎo)致模塊的安全性下降。當結(jié)溫超過一定溫度時，模塊內(nèi)部元器件會出現(xiàn)失效現(xiàn)象，從而導(dǎo)致模塊的短路或開路，總之，IGBT模塊結(jié)溫的變化對模塊的電性能、可靠性、壽命和安全性等多個方面都會產(chǎn)生影響。因此，在實際應(yīng)用中，需要對IGBT模塊的結(jié)溫進行控制，以保證模塊的正常工作和長期穩(wěn)定性。對設(shè)備和人員的安全造成威脅。IGBT的額定電壓要求高于直流母線電壓的兩倍陜西SKM300GB12T4IGBT模塊廠家直供IGBT模塊標稱電流與溫度的關(guān)系比較大。
尾流）的降低，完全取決于關(guān)斷時電荷的密度，而密度又與幾種因素有關(guān)，如摻雜質(zhì)的數(shù)量和拓撲，層次厚度和溫度。少子的衰減使集電極電流具有特征尾流波形，集電極電流引起以下問題：功耗升高；交叉導(dǎo)通問題，特別是在使用續(xù)流二極管的設(shè)備上，問題更加明顯。鑒于尾流與少子的重組有關(guān)，尾流的電流值應(yīng)與芯片的溫度、IC和VCE密切相關(guān)的空穴移動性有密切的關(guān)系。因此，根據(jù)所達到的溫度，降低這種作用在終端設(shè)備設(shè)計上的電流的不理想效應(yīng)是可行的。阻斷與閂鎖當集電極被施加一個反向電壓時，J1就會受到反向偏壓控制，耗盡層則會向N-區(qū)擴展。因過多地降低這個層面的厚度，將無法取得一個有效的阻斷能力，所以，這個機制十分重要。另一方面，如果過大地增加這個區(qū)域尺寸，就會連續(xù)地提高壓降。第二點清楚地說明了NPT器件的壓降比等效（IC和速度相同）PT器件的壓降高的原因。當柵極和發(fā)射極短接并在集電極端子施加一個正電壓時，P/NJ3結(jié)受反向電壓控制，此時，仍然是由N漂移區(qū)中的耗盡層承受外部施加的電壓。IGBT在集電極與發(fā)射極之間有一個寄生PNPN晶閘管（如圖1所示）。在特殊條件下，這種寄生器件會導(dǎo)通。這種現(xiàn)象會使集電極與發(fā)射極之間的電流量增加。
所以包裝時將g極和e極之間要有導(dǎo)電泡沫塑料，將它短接。裝配時切不可用手指直接接觸，直到g極管腳進行長久性連接。b、主電路用螺絲擰緊，控制極g要用插件，盡可能不用焊接方式。c、裝卸時應(yīng)采用接地工作臺，接地地面，接地腕帶等防靜電措施。d、儀器測量時，將1000電阻與g極串聯(lián)。e、要在無電源時進行安裝。f,焊接g極時，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵合適。當手工焊接時，溫度2601c15c.時間（10士1）秒，松香焊劑。波峰焊接時，pcb板要預(yù)熱80c-]05c,在245℃時浸入焊接3-4IGBT功率模塊發(fā)展趨勢編輯igbt發(fā)展趨向是高耐壓、大電流、高速度、低壓降、高可靠、低成本為目標的，特別是發(fā)展高壓變頻器的應(yīng)用，簡化其主電路，減少使用器件，提高可靠性，降造成本，簡化調(diào)試工作等，都與igbt有密切的內(nèi)在聯(lián)系，所以世界各大器件公司都在奮力研究、開發(fā)，予估近2-3年內(nèi)，會有突破性的進展。已有適用于高壓變頻器的有電壓型hv-igbt,igct,電流型sgct等。IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），能讓電力電子應(yīng)用實現(xiàn)一致性的散熱性能。
晶閘管等元件通過整流來實現(xiàn)。除此之外整流器件還有很多，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管，雙向晶閘管，整流模塊，功率模塊IGBT，SIT，MOSFET等等，這里只探討晶閘管。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件，由于它效率高，控制特性好，壽命長，體積小等優(yōu)點，自上個世紀六十長代以來，獲得了迅猛發(fā)展，并已形成了一門的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達5000A，國外更大。我國的韶山電力機車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用：一、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實現(xiàn)交流——可變直流二、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā)，實現(xiàn)負載交流功率的無級調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器。交流——可變交流。三、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流，由高壓直流遠距離輸送以減少損耗。Econo封裝(俗稱“平板型”):分為EconoDUAL，EconoPIM，EconoPACK之類的。吉林SKM200GB128DIGBT模塊型號齊全
Infineon的IGBT模塊常用的電壓為:600V，1200V，1700V。貴州Mitsubishi 三菱IGBT模塊型號齊全
可控硅可控硅簡稱SCR，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管。它具有體積小、效率高、壽命長等優(yōu)點。在自動控制系統(tǒng)中，可作為大功率驅(qū)動器件，實現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機調(diào)速系統(tǒng)、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當于兩個單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點開關(guān)使用。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。貴州Mitsubishi 三菱IGBT模塊型號齊全