青海大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)FUJI全新原裝原裝

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-02-22

1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動(dòng)和負(fù)載在起動(dòng)時(shí)一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時(shí)應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(shí)(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會(huì)使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因?yàn)樵诜钦也顟B(tài)下用普通儀表測(cè)出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過(guò)模塊的標(biāo)稱值,但有效值會(huì)超過(guò)模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關(guān)電源,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源)。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求(1)工作場(chǎng)所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠(yuǎn)離熱源、無(wú)塵、無(wú)腐蝕性液體或氣體。5、其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時(shí),如果變壓器空載。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。青海大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)FUJI全新原裝原裝

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話,那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,從電路功能上可以把它等效成圖3(c),也就是說(shuō),一個(gè)雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來(lái)等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會(huì)有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,必須在陽(yáng)極和陰極之間加上正向電壓,管子才能導(dǎo)通。對(duì)雙向晶閘管來(lái)說(shuō),無(wú)所謂陽(yáng)極和陰極。它的任何一個(gè)主電極,對(duì)圖3(b)中的兩個(gè)晶閘管管子來(lái)講,對(duì)一個(gè)管子是陽(yáng)極,對(duì)另一個(gè)管子就是陰極,反過(guò)來(lái)也一樣。因此,雙向晶閘管無(wú)論主電極加上的是正向或是反向電壓,它都能被觸發(fā)導(dǎo)通。不*如此,雙向晶閘管還有一個(gè)重要的特點(diǎn),這就是:不管觸發(fā)信號(hào)的極性如何,也就是不管所加的觸發(fā)信號(hào)電壓UG對(duì)T1是正向還是反向,雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。雙向晶閘管的這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒有的??焖倬чl管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因?yàn)槠骷膶?dǎo)通或關(guān)斷需要一定時(shí)間,同時(shí)陽(yáng)極電壓上升速度太快時(shí),會(huì)使元件誤導(dǎo)通;陽(yáng)極電流上升速度太快時(shí),會(huì)燒毀元件。青海大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)FUJI全新原裝原裝普通晶閘管(SCR)靠門極正信號(hào)觸發(fā)之后,撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。

使正向電流低于維持電流IH,或施以反向電壓強(qiáng)迫關(guān)斷。這就需要增加換向電路,不*使設(shè)備的體積重量增大,而且會(huì)降低效率,產(chǎn)生波形失真和噪聲。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點(diǎn),以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管(GTR),只是工作頻率比GTR低。目前,GTO已達(dá)到3000A、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強(qiáng)大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào)。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài),而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,βoff,它等于陽(yáng)極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,說(shuō)明門極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。

可控硅又稱晶閘管(SiliconControlledRectifier,SCR)。自從20世紀(jì)50年代問(wèn)世以來(lái)已經(jīng)發(fā)展成了一個(gè)大的家族,它的主要成員有單向晶閘管、雙向晶閘管、光控晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管、可關(guān)斷晶可控硅閘管、快速晶閘管,等等??煽毓瑁强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,亦稱為晶閘管。具有體積小、結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單、功能強(qiáng)等特點(diǎn),是比較常用的半導(dǎo)體器件之一。該器件被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備和電子產(chǎn)品中,多用來(lái)作可控整流、逆變、變頻、調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)等。家用電器中的調(diào)光燈、調(diào)速風(fēng)扇、空調(diào)機(jī)、電視機(jī)、電冰箱、洗衣機(jī)、照相機(jī)、組合音響、聲光電路、定時(shí)控制器、玩具裝置、無(wú)線電遙控、攝像機(jī)及工業(yè)控制等都大量使用了可控硅器件。上海寅涵智能科技銷售高功率閘流晶體管模塊;

下面分別介紹利用萬(wàn)用表判定GTO電極、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力、估測(cè)關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬(wàn)用表?yè)苤罵×1檔,測(cè)量任意兩腳間的電阻,*當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時(shí),電阻呈低阻值,對(duì)其它情況電阻值均為無(wú)窮大。由此可迅速判定G、K極,剩下的就是A極。(此處指的模擬表,電子式萬(wàn)用表紅表筆與電池正極相連,模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(LightTriggeredThyristor——LTT),又稱光觸發(fā)晶閘管。國(guó)內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管,是一種光敏器件。1.光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個(gè)電極:控制極G、陽(yáng)極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號(hào)來(lái)自光的照射,沒有必要再引出控制極,所以只有兩個(gè)電極(陽(yáng)極A和陰極K)。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構(gòu)成。從外形上看,光控晶閘管亦有受光窗口,還有兩條管腳和殼體,酷似光電二極管。2.光控晶閘管的工作原理當(dāng)在光控晶閘管的陽(yáng)極加上正向電壓,陰極加上負(fù)向電壓時(shí),控晶閘管可以等效成的電路。可推算出下式:Ia=Il/[1-(a1+a2)]式中,Il為光電二極管的光電流;Ia為光控晶閘管陽(yáng)極電流,即光控晶閘管的輸出電流;a1、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數(shù)。由上式可知。晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。寧夏分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)ABB配套

現(xiàn)貨IGBT驅(qū)動(dòng)電路單向可控硅晶閘管;青海大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)FUJI全新原裝原裝

測(cè)量時(shí)黑表筆接陽(yáng)極A,紅表筆接陰極K,此時(shí)表針不動(dòng),顯示阻值為無(wú)窮大(∞)。用鑷子或?qū)Ь€將晶閘管的陽(yáng)極A與門極短路(見圖2),相當(dāng)于給G極加上正向觸發(fā)電壓,此時(shí)若電阻值為幾歐姆至幾十歐姆(具體阻值根據(jù)晶閘管的型號(hào)不同會(huì)有所差異),則表明晶閘管因正向觸發(fā)而導(dǎo)通。再斷開A極與G極的連接(A、K極上的表筆不動(dòng),只將G極的觸發(fā)電壓斷掉)。若表針示值仍保持在幾歐姆至幾十歐姆的位置不動(dòng),則說(shuō)明此晶閘管的觸發(fā)性能良好。特殊的晶閘管/晶閘管編輯雙向晶閘管TRIAC晶閘管從外表上看,雙向晶閘管和普通晶閘管很相似,也有三個(gè)電極。但是,它除了其中一個(gè)電極G仍叫做控制極外,另外兩個(gè)電極通常卻不再叫做陽(yáng)極和陰極,而統(tǒng)稱為主電極Tl和T2。它的符號(hào)也和普通晶閘管不同,是把兩個(gè)晶閘管反接在一起畫成的,如圖2所示。它的型號(hào),在我國(guó)一般用“3CTS”或“KS”表示;國(guó)外的資料也有用“TRIAC”來(lái)表示的。從內(nèi)部結(jié)構(gòu)來(lái)看,雙向晶閘管是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件,見圖3(a)。為了便于說(shuō)明問(wèn)題,我們不妨把圖3(a)看成是由左右兩部分組合而成的,如圖3(b)。這樣一來(lái),原來(lái)的雙向晶閘管就被分解成兩個(gè)P—N—P—N型結(jié)構(gòu)的單向晶閘管了。青海大功率igbt高壓可控硅(晶閘管)FUJI全新原裝原裝