重慶IGBT逆變器模塊可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

來源: 發(fā)布時間:2024-01-24

如果把左邊從下往上看的p1—N1—P2—N2部分叫做正向的話,那么右邊從下往上看的N3—P1—N1—P2部分就成為反向,它們之間正好是一正一反地并聯(lián)在一起。我們把這種聯(lián)接叫做反向并聯(lián)。因此,從電路功能上可以把它等效成圖3(c),也就是說,一個雙向晶閘管在電路中的作用是和兩只普通晶閘管反向并聯(lián)起來等效的。這也正是雙向晶閘管為什么會有雙向控制導(dǎo)通特性的根本原因。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,管子才能導(dǎo)通。對雙向晶閘管來說,無所謂陽極和陰極。它的任何一個主電極,對圖3(b)中的兩個晶閘管管子來講,對一個管子是陽極,對另一個管子就是陰極,反過來也一樣。因此,雙向晶閘管無論主電極加上的是正向或是反向電壓,它都能被觸發(fā)導(dǎo)通。不*如此,雙向晶閘管還有一個重要的特點,這就是:不管觸發(fā)信號的極性如何,也就是不管所加的觸發(fā)信號電壓UG對T1是正向還是反向,雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。雙向晶閘管的這個特點是普通晶閘管所沒有的。快速晶閘管普通晶閘管不能在較高的頻率下工作。因為器件的導(dǎo)通或關(guān)斷需要一定時間,同時陽極電壓上升速度太快時,會使元件誤導(dǎo)通;陽極電流上升速度太快時,會燒毀元件。可控硅導(dǎo)通后,當(dāng)陽極電流小干維持電流In時.可控硅關(guān)斷。重慶IGBT逆變器模塊可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

其產(chǎn)品***應(yīng)用于大功率直流開關(guān)、大功率中頻感應(yīng)加熱電源、超聲波電源、激光電源、雷達調(diào)制器及直流電動車輛調(diào)速等領(lǐng)域。逆導(dǎo)晶閘管以往的城市電車和地鐵機車為了便于調(diào)速采用直流供電,用直流開關(guān)動作增加或減小電路電阻,改變電路電流來控制車輛的速度。但它有不能平滑起動和加速。開關(guān)體積大、壽命短,而且低速運行時耗電大(減速時消耗在啟動電阻上)等缺點。自有了逆導(dǎo)晶閘管,采用了逆導(dǎo)晶閘管控制、調(diào)節(jié)車速,不*克服了上述缺點,而且還降低了功耗,提高了機車可靠性。晶閘管晶閘管逆導(dǎo)晶閘管是在普通晶閘管上反向并聯(lián)一只二極管而成(同做在一個硅片上。它的等效電路和符號如圖1所示。它的特點是能反向?qū)ù箅娏鳌S捎谒年枠O和陰極接入反向并聯(lián)的二極管,可對電感負載關(guān)斷時產(chǎn)生的大電流、高電壓進行快速釋放。目前已經(jīng)能生產(chǎn)出耐壓達到1500~2500V正向電流達400A。吸收電流達150A,關(guān)斷時間小于30微秒的逆導(dǎo)晶閘管。可關(guān)斷晶閘管GTO(GateTurn-OffThyristor)亦稱門控晶閘管。其主要特點為,當(dāng)門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。晶閘管晶閘管前已述及,普通晶閘管(SCR)靠門極正信號觸發(fā)之后,撤掉信號亦能維持通態(tài)。欲使之關(guān)斷,必須切斷電源。河北半導(dǎo)體igbt可控硅(晶閘管)starpowereurope原廠庫存單向可控硅晶閘管型號齊全貨源穩(wěn)定;

認識半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器,以前被簡稱為可控硅。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),形成三個PN結(jié),分別稱:陽極,陰極和控制極。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負載連接,組成晶閘管的主電路。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通,這是晶閘管的閘流特性,即可控特性。若晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,晶閘管關(guān)斷。晶閘管的種類1.雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G,其他兩個極稱為主電極Tl和T2。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,管子才能導(dǎo)通。它無所謂陽極和陰極,不管觸發(fā)信號的極性如何,雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。這個特點是普通晶閘管所沒有的。2.快速晶閘管人們在普通晶閘管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進措施。

有三個不同電極、陽極A、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點控制,以小電流控制大電流,并且不象繼電器那樣控制時有火花產(chǎn)生,而且動作快、壽命長、可靠性好。在調(diào)速、調(diào)光、調(diào)壓、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影??煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的,符號也不同。單向可控硅有三個PN結(jié),由外層的P極和N極引出兩個電極,分別稱為陽極和陰極,由中間的P極引出一個控制極。雙向可控硅有其獨特的特點:當(dāng)陽極接合,陽極接合或柵極的正向電壓,但沒有施加電壓時,它不導(dǎo)通,并且同時連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時,它將被關(guān)上。一旦開啟,控制電壓有它的作用失去了控制,無論控制電壓極性怎么沒有了,不管控制電壓,將保持在接通狀態(tài)。關(guān)斷,只有在陽極電壓減小到一個臨界值,或反之亦然。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1、t2、g順序從左到右排列(電極引腳向下,面向側(cè)面有字符)。當(dāng)施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時,其傳導(dǎo)電流的大小可以改變。與單向可控硅的區(qū)別是,雙向可控硅G極上觸發(fā)一個脈沖的極性可以改變時,其導(dǎo)通方向就隨著不同極性的變化而改變,從而能夠進行控制提供交流電系統(tǒng)負載。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),它有三個極:陽極,陰極和門極。

4.可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管。其主要特點是,當(dāng)門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,以具有自關(guān)斷能力,使用方便,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管。目前,大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速、逆變電源等領(lǐng)域,顯示出強大的生命力。5.光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,是一種光敏器件。由于其控制信號來自光的照射,沒有必要再引出控制極,所以只有兩個電極(陽極A和陰極K),結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,是由四層PNPN器件構(gòu)成。圖2光控晶閘管符號圖當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,陰極加上負向電壓時,控晶閘管可以等效成的電路。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的,只是它對光源的波長有一定的要求,有選擇性。波長在0.8——0.9um的紅外線及波長在1um左右的激光,都是光控晶閘管較為理想的光源。晶閘管的應(yīng)用晶閘管是一種開關(guān)元件,具有硅整流器件的特性,能在高電壓、大電流條件下工作。它基本的用途就是可控整流,其工作過程可以控制,具有體積小、輕、功耗低、效率高、開關(guān)迅速等優(yōu)點?;谏鲜鎏攸c。按引腳和極性分類:可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。河北分立半導(dǎo)體模塊可控硅(晶閘管)FUJI全新原裝原裝

晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和高頻(快速)晶閘管。重慶IGBT逆變器模塊可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨

1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當(dāng)裕量。推薦選擇如下:阻性負載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負載額定電流的2倍。感性負載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負載額定電流的3倍。2、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(即模塊高輸入電壓、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,不是有效值,所以,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,但有效值會超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關(guān)電源,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源)。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路。4、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應(yīng)干燥、通風(fēng)、遠離熱源、無塵、無腐蝕性液體或氣體。5、其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負載時,如果變壓器空載。重慶IGBT逆變器模塊可控硅(晶閘管)MACMIC原裝現(xiàn)貨