100mA,10nS,2PF,225ma,2CK105硅開關(guān)二極管35V,100mA,4nS,2PF,225ma,2CK106硅開關(guān)二極管75V,100mA,4nS,2PF,100ma,2CK107硅開關(guān)二極管90V,130mA,300mW,4nS,2PF,400ma,2CK108硅開關(guān)二極管70V,100mA,300mW,,2CK109硅開關(guān)二極管35V,100mA,300mW,,2CK110硅開關(guān)二極管90V,150mA,250mW,3nS,3PF,450ma,2CK111硅開關(guān)二極管55V,100mA,300mW,,2CK150硅開關(guān)二極管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK161硅開關(guān)二極管15V,Ir≤25nA,Vf≤,≤2PF,2CK4148硅開關(guān)二極管75V,Ir≤25nA,Vf=1V,4PF,2CK2076硅開關(guān)二極管35V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2076A硅開關(guān)二極管60V,Ir≤1uA,Vf≤,≤,2CK2471硅開關(guān)二極管80V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2472硅開關(guān)二極管50V,Ir≤≤,≤2PF,2CK2473硅開關(guān)二極管35V,Ir≤≤,≤3PF,2CN1A硅二極管400V,1A,f=100KHz,2CN1B硅二極管100V,1A,f=100KHz,2CN3硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3D硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3E硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3F硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3G硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3H硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3I硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN3K硅二極管V,1A,f=100KHz,2CN4D硅二極管V,,2CN5D硅二極管V,,f=100KHz,2CN6硅二極管V,1A,f=100KHz,2CP1553硅二極管Ir≤≤,≤。上海寅涵智能科技供應(yīng)三社二極管DF200AA160；四川IXYS艾賽斯二極管電子元器件
能承受較高的反向擊穿電壓和較大的峰值電流，一般用在電視機電路中，常用的阻尼二極管有2CN1、2CN2、BSBS44等。7.顯示用于VCD、DVD、計算器等顯示器上。8.穩(wěn)壓這種管子是利用二極管的反向擊穿特性制成的，在電路中其兩端的電壓保持基本不變，起到穩(wěn)定電壓的作用。常用的穩(wěn)壓管有2CW55、2CW56等。[1]9.觸發(fā)觸發(fā)二極管又稱雙向觸發(fā)二極管（DIAC）屬三層結(jié)構(gòu)，具有對稱性的二端半導體器件。常用來觸發(fā)雙向可控硅；在電路中作過壓保護等用途。[1]二極管原理類型編輯二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據(jù)其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。按照管芯結(jié)構(gòu)，又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。點接觸型二極管是用一根很細的金屬絲壓在光潔的半導體晶片表面，通以脈沖電流，使觸絲一端與晶片牢固地燒結(jié)在一起，形成一個“PN結(jié)”。由于是點接觸，只允許通過較小的電流（不超過幾十毫安），適用于高頻小電流電路，如收音機的檢波等。面接觸型二極管的“PN結(jié)”面積較大，允許通過較大的電流。英飛凌可控硅二極管上海寅涵智能科技專業(yè)供應(yīng)整流二極管VHF15-16IO5歡迎咨詢。
而它的負極通過R2與地線相連，這樣VD1在直流工作電壓+V的作用下處于導通狀態(tài)。理解二極管導通的要點是：正極上電壓高于負極上電壓。2）利用二極管導通后有一個，因為通過調(diào)整R1和R2的阻值大小可以達到VT1基極所需要的直流工作電壓，根本沒有必要通過串入二極管VD1來調(diào)整VT1基極電壓大小。3）利用二極管的管壓降溫度特性可以正確解釋VD1在電路中的作用。假設(shè)溫度升高，根據(jù)三極管特性可知，VT1的基極電流會增大一些。當溫度升高時，二極管VD1的管壓降會下降一些，VD1管壓降的下降導致VT1基極電壓下降一些，結(jié)果使VT1基極電流下降。由上述分析可知，加入二極管VD1后，原來溫度升高使VT1基極電流增大的，現(xiàn)在通過VD1電路可以使VT1基極電流減小一些，這樣起到穩(wěn)定三極管VT1基極電流的作用，所以VD1可以起溫度補償?shù)淖饔谩?）三極管的溫度穩(wěn)定性能不良還表現(xiàn)為溫度下降的過程中。在溫度降低時，三極管VT1基極電流要減小，這也是溫度穩(wěn)定性能不好的表現(xiàn)。接入二極管VD1后，溫度下降時，它的管壓降稍有升高，使VT1基極直流工作電壓升高，結(jié)果VT1基極電流增大，這樣也能補償三極管VT1溫度下降時的不穩(wěn)定。4．電路分析細節(jié)說明電路分析的細節(jié)說明如下。1）在電路分析中。
沒有高到讓外接的二極管處于導通狀態(tài)，理由是：如果集成電路A1的①腳輸出的直流電壓足夠高，那么VD1、VD2和VD3導通，其導通后的內(nèi)阻很小，這樣會將集成電路A1的①腳輸出的交流信號分流到地，對信號造成衰減，顯然這一電路中不需要對信號進行這樣的衰減，所以從這個角度分析得到的結(jié)論是：集成電路A1的①腳輸出的直流電壓不會高到讓VD1、VD2和VD3導通的程度。4）從集成電路A1的①腳輸出的是直流和交流疊加信號，通過電阻R1與三極管VT1基極，VT1是NPN型三極管，如果加到VT1基極的正半周交流信號幅度出現(xiàn)很大的現(xiàn)象，會使VT1的基極電壓很大而有燒壞VT1的危險。加到VT1基極的交流信號負半周信號幅度很大時，對VT1沒有燒壞的影響，因為VT1基極上負極性信號使VT1基極電流減小。5）通過上述電路分析思路可以初步判斷，電路中的VD1、VD2、VD3是限幅保護二極管電路，防止集成電路A1的①腳輸出的交流信號正半周幅度太大而燒壞VT1。從上述思路出發(fā)對VD1、VD2、VD3二極管電路進一步分析，分析如果符合邏輯，可以說明上述電路分析思路是正確的。2．二極管限幅電路分析各種限幅電路工作是有方法的，將信號的幅度分兩種情況：1）信號幅度比較小時的電路工作狀態(tài)。上海寅涵智能科技是西門康二極管進口廠商，種類齊全。
對于常用的硅二極管而言導通后正極與負極之間的電壓降為。根據(jù)二極管的這一特性，可以很方便地分析由普通二極管構(gòu)成的簡易直流穩(wěn)壓電路工作原理。3只二極管導通之后，每只二極管的管壓降是，那么3只串聯(lián)之后的直流電壓降是×3=。3．故障檢測方法檢測這一電路中的3只二極管為有效的方法是測量二極管上的直流電壓，如圖9-41所示是測量時接線示意圖。如果測量直流電壓結(jié)果是，說明3只二極管工作正常；如果測量直流電壓結(jié)果是0V，要測量直流工作電壓+V是否正常和電阻R1是否開路，與3只二極管無關(guān)，因為3只二極管同時擊穿的可能性較??；如果測量直流電壓結(jié)果大于，檢查3只二極管中有一只開路故障。圖9-41測量二極管上直流電壓接線示意圖4．電路故障分析如表9-40所示是這一二極管電路故障分析：表9-40二極管電路故障分析5．電路分析細節(jié)說明關(guān)于上述二極管簡易直流電壓穩(wěn)壓電路分析細節(jié)說明如下。1）在電路分析中，利用二極管的單向?qū)щ娦钥梢灾蓝O管處于導通狀態(tài)，但是并不能說明這幾只二極管導通后對電路有什么具體作用，所以只利用單向?qū)щ娞匦赃€不能夠正確分析電路工作原理。2）二極管眾多的特性中只有導通后管壓降基本不變這一特性能夠為合理地解釋這一電路的作用。IR二極管經(jīng)銷商找哪家，推薦咨詢上海寅涵智能科技。湖南宏微二極管廠家直供
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圖9-403只普通二極管構(gòu)成的簡易直流穩(wěn)壓電路1．電路分析思路說明分析一個從沒有見過的電路工作原理是困難的，對基礎(chǔ)知識不全的初學者而言就更加困難了。關(guān)于這一電路的分析思路主要說明如下。1）從電路中可以看出3只二極管串聯(lián)，根據(jù)串聯(lián)電路特性可知，這3只二極管如果導通會同時導通，如果截止會同時截止。2）根據(jù)二極管是否導通的判斷原則分析，在二極管的正極接有比負極高得多的電壓，無論是直流還是交流的電壓，此時二極管均處于導通狀態(tài)。從電路中可以看出，在VD1正極通過電阻R1接電路中的直流工作電壓+V，VD3的負極接地，這樣在3只串聯(lián)二極管上加有足夠大的正向直流電壓。由此分析可知，3只二極管VD1、VD2和VD3是在直流工作電壓+V作用下導通的。3）從電路中還可以看出，3只二極管上沒有加入交流信號電壓，因為在VD1正極即電路中的A點與地之間接有大容量電容C1，將A點的任何交流電壓旁路到地端。2．二極管能夠穩(wěn)定直流電壓原理說明電路中，3只二極管在直流工作電壓的正向偏置作用下導通，導通后對這一電路的作用是穩(wěn)定了電路中A點的直流電壓。眾所周知，二極管內(nèi)部是一個PN結(jié)的結(jié)構(gòu)，PN結(jié)除單向?qū)щ娞匦灾膺€有許多特性，其中之一是二極管導通后其管壓降基本不變。四川IXYS艾賽斯二極管電子元器件