成都大規(guī)模集成電路工藝

    下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1示出依據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的單芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)；圖2示出依據(jù)本申請(qǐng)另一實(shí)施例的雙芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)。具體實(shí)現(xiàn)方式為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本申請(qǐng)方案，下面將結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例中的附圖，對(duì)本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本申請(qǐng)一部分的實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒旧暾?qǐng)中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本申請(qǐng)保護(hù)的范圍。下面結(jié)合本申請(qǐng)實(shí)施例的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案描述如下。圖1示出依據(jù)本申請(qǐng)一實(shí)施例的單芯片集成電路封裝結(jié)構(gòu)101，包括上基板1、元件3及下基板2，上基板1上的上層金屬層4、下層金屬層5以及下層金屬層5上的聯(lián)結(jié)pad6、7、8，下基板2上的上層金屬層9、下層金屬層10以及上層金屬層9上聯(lián)結(jié)pad11、12，下層金屬層10上的聯(lián)結(jié)pad13、14、15、16。上基板1與下基板2聯(lián)結(jié)用的沉金17、18。集成電路產(chǎn)業(yè)它不僅包含集成電路市場(chǎng)，也包括IP核市場(chǎng)、EDA市場(chǎng)、芯片代工市場(chǎng)、封測(cè)市場(chǎng)。成都大規(guī)模集成電路工藝

    與集成電路204熱耦聯(lián)的第二熱接口材料層206；以及與第二熱接口材料層206熱耦聯(lián)的能夠移除的散熱器208，所述散熱器208具有越過(guò)印刷電路板202的與連接側(cè)304相對(duì)的側(cè)延伸的頂表面302。在906處，將兩個(gè)印刷電路裝配件相對(duì)地放置在一起，使得所述印刷電路裝配件400中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器208的頂表面302與另一個(gè)印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)。在908處，流程900包括將每個(gè)冷卻管406的端部耦聯(lián)至分流管606a，以及將每個(gè)冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至第二分流管606b。在910處，流程900包括將泵110、熱交換器112和儲(chǔ)液器114與分流管606a和第二分流管606b流體流通地耦聯(lián)。流程900包括操作泵110以將液體傳送通過(guò)各冷卻管406。如本文所使用的，術(shù)語(yǔ)“或”可以解釋為包含性或排除性的意義兩者。此外，以單數(shù)形式對(duì)資源、操作或結(jié)構(gòu)的描述不應(yīng)解讀為排除復(fù)數(shù)形式。其中，諸如“能夠”、“可以”、“可能”、或“可”的條件語(yǔ)句，除非另有明確說(shuō)明，或在所使用的上下文中另有理解，一般旨在傳達(dá)某些實(shí)施例包含特定特征、元素和/或步驟，而其他實(shí)施例不包含這些特定特征、元素和/或步驟。除非另有特別說(shuō)明。成都大規(guī)模集成電路工藝深圳美信美集成電路測(cè)試嚴(yán)格過(guò)關(guān)。

    上層基板可選的可以只有一層金屬層，此金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱。上層基板可選的可以有上下兩層金屬層，內(nèi)層金屬層通過(guò)聯(lián)結(jié)pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱。上層基板可選的可以有多層金屬層，除了上下兩層金屬層的內(nèi)層金屬層通過(guò)聯(lián)接pad與元件聯(lián)結(jié)，外層金屬層直接暴露在外，加強(qiáng)導(dǎo)熱以外，上層基板內(nèi)部還有一層或者多層金屬層，并通過(guò)開(kāi)孔沉金，以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)。下層基板可選的一定有一層金屬層，此金屬層上的聯(lián)結(jié)pad就是此集成電路的聯(lián)結(jié)pad，留待pcb應(yīng)用。下層基板可選的可以有多層金屬層，除了外層金屬層用作此集成電路的聯(lián)結(jié)pad外，下層基板還可以有多層金屬層，并通過(guò)開(kāi)孔沉金互聯(lián)，以完成復(fù)雜的集成電路互聯(lián)。可選的中間基板可選的具有上層基板和下層基板的所有特點(diǎn)，通過(guò)聯(lián)結(jié)pad與元件和其他基板聯(lián)結(jié)。本申請(qǐng)實(shí)施例中，集成電路封裝結(jié)構(gòu)內(nèi)部聯(lián)結(jié)線路短，導(dǎo)流能力強(qiáng)，導(dǎo)熱能力強(qiáng)，寄生電參數(shù)小，可以滿足市場(chǎng)上對(duì)集成電路更小型化，更高功率密度的要求。附圖說(shuō)明為了更清楚地說(shuō)明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案。深圳市美信美科技有限公司于年月日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括：一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是：電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售。

    圖a示出了具有調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置的存儲(chǔ)器電路的一些額外實(shí)施例的示意圖，調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置包括調(diào)節(jié)mtj器件、調(diào)節(jié)mtj器件和第三調(diào)節(jié)mtj器件。調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，調(diào)節(jié)mtj器件連接在字線(例如，wl)和偏置電壓線(例如，bvl)之間，第三調(diào)節(jié)mtj器件連接在偏置電壓線(例如，bvl)和工作mtj器件之間。工作mtj器件連接在第三調(diào)節(jié)mtj器件和位線(例如，bl)之間。包含第三調(diào)節(jié)mtj器件在產(chǎn)生不同的電阻來(lái)控制相關(guān)的工作mtj器件內(nèi)的電流方面賦予調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置更大的靈活性。圖b示出了對(duì)應(yīng)于圖a的存儲(chǔ)器電路的集成電路的一些實(shí)施例的截面圖。雖然關(guān)于具有調(diào)節(jié)mtj器件的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置描述了圖至圖b中示出的操作和/或裝置，但是應(yīng)該理解，公開(kāi)的存儲(chǔ)單元不限于這樣的實(shí)施例。而且，在可選實(shí)施例中，圖至圖b的操作和/或裝置可以實(shí)施和/或包括具有調(diào)節(jié)薄膜電阻器(例如，包括鉭、氮化鉭、鈦、鎢等)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。圖至出了形成具有存儲(chǔ)器電路的集成芯片的方法的一些實(shí)施例的截面圖至，該存儲(chǔ)器電路包括存儲(chǔ)單元(例如。mram單元)，各存儲(chǔ)單元具有被配置為選擇性地對(duì)工作mtj器件提供訪問(wèn)的調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置。雖然關(guān)于方法描述了圖至圖，但是應(yīng)該理解。德州的集成電路渠道，找什么深圳市美信美科技。

    所述印刷電路裝配件400中的每個(gè)印刷電路裝配件上的散熱器208a、208b的頂表面302與另一個(gè)印刷電路裝配件400上的熱接口材料層408接觸，并且與該熱接口材料層408熱耦聯(lián)，如在410a和410b處所指示的那樣。在這種配置中，每個(gè)印刷電路裝配件400上的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200由另一個(gè)印刷電路裝配件400的冷卻管406冷卻。圖5是移除了雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200的印刷電路裝配件400的圖。參考圖5，可以清楚地看到印刷電路板插座404、鄰接并且平行的冷卻管406以及布置在平行的冷卻管406上的熱接口材料層408。圖6是帶有已安裝在印刷電路板插座404中的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件200并且?guī)в幸迅浇拥姆至鞴艿挠∷㈦娐费b配件400的圖。參考回圖5，每個(gè)冷卻管406的端部耦聯(lián)至輸入分流管606a，并且每個(gè)冷卻管406的第二端部耦聯(lián)至輸出分流管606b。在操作中，冷卻液體通過(guò)輸入分流管606a進(jìn)入各冷卻管，并且被加熱的液體通過(guò)輸出分流管606b離開(kāi)各冷卻管。圖7a和圖7b示出了根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的、特征在于外部鉸鏈的雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件。圖7b示出了分解圖，而圖7a示出了裝配圖。雙列直插式存儲(chǔ)模塊組件700包括印刷電路板702，在印刷電路板702上安裝有一個(gè)或多個(gè)集成電路(一般地以704示出)。美信美科技是公認(rèn)的好的供貨商。武漢特大規(guī)模集成電路技術(shù)

集成電路行業(yè)的常用封裝主要包括BGA封裝、BQFP封裝、碰焊PGA封裝等在內(nèi)的40余種封裝類型。成都大規(guī)模集成電路工藝

    的實(shí)施例總體涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，更具體地，涉及集成電路及其形成方法。背景技術(shù)：許多現(xiàn)代電子器件包含配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電子存儲(chǔ)器。電子存儲(chǔ)器可以是易失性存儲(chǔ)器或非易失性存儲(chǔ)器。易失性存儲(chǔ)器在上電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，而非易失性存儲(chǔ)器能夠在斷開(kāi)電源時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。磁阻式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(mram)是用于下一代非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)的一種有前景的候選。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：根據(jù)的一個(gè)方面，提供了一種集成芯片，包括：工作磁隧道結(jié)(mtj)器件，連接至位線，其中，所述工作磁隧道結(jié)器件被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)；以及調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置，連接在所述工作磁隧道結(jié)器件和字線之間，其中，所述調(diào)節(jié)訪問(wèn)裝置包括被配置為控制提供給所述工作磁隧道結(jié)器件的電流的一個(gè)或多個(gè)調(diào)節(jié)磁隧道結(jié)器件。根據(jù)的另一個(gè)方面，提供了一種集成電路，包括：互連層，布置在襯底上方的介電結(jié)構(gòu)內(nèi)，其中，所述互連層通過(guò)所述介電結(jié)構(gòu)與所述襯底分隔開(kāi)；以及工作mtj器件，布置在所述互連層正上方并且被配置為存儲(chǔ)數(shù)據(jù)狀態(tài)，其中，所述工作mtj器件通過(guò)包括多個(gè)互連層且不延伸穿過(guò)所述襯底的連續(xù)導(dǎo)電路徑電連接在位線和字線之間。根據(jù)的又一個(gè)方面，提供了一種形成集成電路的方法。包括：在襯底上方形成互連層。成都大規(guī)模集成電路工藝