上海超大規(guī)模溫度傳感器精度

來源: 發(fā)布時間:2023-10-31

    顯示儀表會顯示熱電偶受當前環(huán)境溫度影響得到的電勢所對應的熱端溫度,即當前環(huán)境溫度。因上述熱電偶傳感器中上層有金屬結構,對于直接暴露在空氣中時容易氧化的金屬層,其上還需形成有一層鈍化層,可對金屬結構進行保護。同時,需要在對應溫度傳感器引出端子處開設有通孔,通過通孔可引出輸出端子。在本實施例中,是在外側多晶硅端部的金屬鋁上方的鈍化層開設有通孔。鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器,測溫單元設于氧化硅薄膜上,氧化硅薄膜具有較低的導熱率,因此不會影響測溫單元的測溫效果。且氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下方的硅不會影響空腔上方的氧化硅的隔離效果。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括:一般經營項目是:電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售;國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。好的溫度傳感器供應,深圳美信美科技就是牛。上海超大規(guī)模溫度傳感器精度

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    即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開,基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產品制備的時間,且節(jié)約了成本。在其中一個實施例中,所述溝槽的寬度范圍為μm~μm,所述溝槽的深度范圍為μm~μm,所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為μm~μm。在其中一個實施例中,所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火,所述熱退火的溫度為℃。在其中一個實施例中,在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個實施例中,在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為:在所述氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結構。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括:一般經營項目是:電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售;國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際有名品牌集成電路。產品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。在所述金屬鉑層外側兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個實施例中。上海超大規(guī)模溫度傳感器精度靠譜的深圳市美信美科技有限公司,只做原裝進口溫度傳感器。

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    為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產品服務。n型多晶硅條和p型多晶硅條通過金屬結構串聯(lián),第三金屬層還包括位于多晶硅層外側兩端的第二金屬結構,用于引出溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖和圖,在多晶硅層上淀積第三金屬層,第三金屬層包括金屬結構和第二金屬結構。金屬結構位于相鄰多晶硅條之間以連接該多晶硅條,具體為位于相鄰多晶硅條端部位置,所有n型多晶硅條和p型多晶硅條通過該金屬結構形成一串聯(lián)結構,因此,當具有m個多晶硅條時。需要m-個金屬結構使多晶硅條串聯(lián)起來。一個n型多晶硅條與一個p型多晶硅條串聯(lián)形成一個塞貝克(seebeck)結構,在本方案中,是多個塞貝克結構串聯(lián)形成一個測溫單元,因此,m需為偶數(shù)。第二金屬結構淀積于多晶硅層外側的兩端,以便于引出溫度傳感器的輸出端子。在本實施例中,第三金屬層為金屬鋁層。上述熱電偶傳感結構,利用半導體兩端的溫度不同時。會在半導體內部產生溫差電動勢,不同類型的半導體其溫差電動勢不同,將兩種半導體兩端連接形成閉合回路時,在回路中有電流產生,半導體兩端的溫差不同時,所產生的電動勢不同。在本方案中。采用n型半導體和p型半導體構成塞貝克結構且多個塞貝克結構串聯(lián),可以增強溫度傳感器的靈敏度。

    使氧化硅薄膜結構更加穩(wěn)定。步驟s130:在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元,所述測溫單元用于感測環(huán)境溫度。在溫度傳感器基作完成后,需要做基底上形成測溫單元,測溫單元是溫度傳感器的工作單元,溫度傳感器通過該測溫單元感知溫度后形成電信號并輸出。在一實施例中,測溫單元為一熱電阻傳感結構,其具體形成過程為:步驟s131:在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結構。參考圖3所示,在氧化硅薄膜23上淀積一層金屬層30,該金屬層30可為金屬鉑層,即熱電阻傳感結構選用鉑熱電阻。在另一實施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結構(如圖4所示)。步驟s132:在所述金屬鉑層外側兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見圖3和圖4,在金屬鉑層30外側兩端淀積一層第二金屬層40,該第二金屬層40可為金屬鋁層,從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子,即溫度傳感器的輸出導線與鋁層連接以通過鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。深圳美信美科技有限公司是靠譜的溫度傳感器現(xiàn)貨供應商。

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    再在高溫環(huán)境下進行退火,由于高溫環(huán)境下硅原子會發(fā)生遷移,硅原子發(fā)生遷移后硅片內部的結構會發(fā)生改變,之前的若干溝槽會相互連通以在硅片內部形成一空腔結構。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀積測溫材料形成測溫單元,測溫單元用于感測環(huán)境溫度,從而得到溫度傳感器。通過本方案得到的溫度傳感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅,即氧化硅薄膜和硅通過空腔隔開,基底下部的硅不會影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無需通過刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產品制備的時間,且節(jié)約了成本。在其中一個實施例中,所述溝槽的寬度范圍為μm~1μm,所述溝槽的深度范圍為1μm~10μm,所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為μm~1μm。在其中一個實施例中,所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火,所述熱退火的溫度為1000℃。在其中一個實施例中,在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個實施例中,在所述氧化硅薄膜上形成測溫單元具體為:在所述氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結構。靠譜溫度傳感器,找深圳美信美科技幫你解決。上海超大規(guī)模溫度傳感器精度

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    可以時刻提醒你所居住環(huán)境或者辦公室的溫度、濕度、空氣質量、何時需要睡覺、何時需要通風換氣,是不是非常的科學又貼心?這款名叫CubeSensors的傳感器便可以實現(xiàn)以上功能。自動門遙控器是什么自動門遙控器優(yōu)點自動門遙控器(AutodoorRemoteController)是利用無線電信號對遠方的各種機構進行控制的遙控設備。這些信號被遠方的接收設備接收后,可以指令或驅動其它各種相應的機械或者電子設備,去完成各種操作,如閉合電路、移動手柄、開動電機,之后再由這些機械進行需要的操作。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經營范圍包括:一般經營項目是:電子產品及其配件的技術開發(fā)與銷售;國內貿易等。本公司主營推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR(凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國際品牌集成電路。產品廣泛應用于:汽車、通信、消費電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領域。本公司一直秉承優(yōu)勢服務,誠信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢的渠道價格、良好的信譽與廣大客戶建立了長期友好的合作關系,為廣大廠商和市場客戶提供優(yōu)勢的產品服務。上海超大規(guī)模溫度傳感器精度