進(jìn)口溫度傳感器

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-10-28

    再在高溫環(huán)境下進(jìn)行退火,由于高溫環(huán)境下硅原子會(huì)發(fā)生遷移,硅原子發(fā)生遷移后硅片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)會(huì)發(fā)生改變,之前的若干溝槽會(huì)相互連通以在硅片內(nèi)部形成一空腔結(jié)構(gòu)。氧化空腔上部的硅片部分可以得到所需的氧化硅薄膜,然后在氧化硅薄膜上淀積測(cè)溫材料形成測(cè)溫單元,測(cè)溫單元用于感測(cè)環(huán)境溫度,從而得到溫度傳感器。通過(guò)本方案得到的溫度傳感器,其基底包含一空腔以及位于空腔上部的氧化硅薄膜和位于空腔下部的硅,即氧化硅薄膜和硅通過(guò)空腔隔開(kāi),基底下部的硅不會(huì)影響上部氧化硅的隔熱效果,因此無(wú)需通過(guò)刻蝕工藝將基底下部的硅刻蝕掉,從而縮短產(chǎn)品制備的時(shí)間,且節(jié)約了成本。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述溝槽的寬度范圍為μm~1μm,所述溝槽的深度范圍為1μm~10μm,所述相鄰溝槽之間的間隔范圍為μm~1μm。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述熱退火具體為在氫氣環(huán)境中熱退火,所述熱退火的溫度為1000℃。在其中一個(gè)實(shí)施例中,在得到所述氧化硅薄膜后還包括在所述氧化硅薄膜上形成氮化硅薄膜或者聚酰亞胺薄膜。在其中一個(gè)實(shí)施例中,在所述氧化硅薄膜上形成測(cè)溫單元具體為:在所述氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。溫度傳感器好的供應(yīng)商,認(rèn)準(zhǔn)深圳美信美。進(jìn)口溫度傳感器

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    圖為與圖對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖;圖為另一實(shí)施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖為與圖對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。具體實(shí)施方式為了便于理解,下面將參照相關(guān)附圖對(duì)進(jìn)行更的描述。附圖中給出了的實(shí)施例。但是,可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn),并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地。提供這些實(shí)施例的目的是使對(duì)的公開(kāi)內(nèi)容更加透徹。除非另有定義。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司經(jīng)營(yíng)范圍包括:一般經(jīng)營(yíng)項(xiàng)目是:電子產(chǎn)品及其配件的技術(shù)開(kāi)發(fā)與銷售;國(guó)內(nèi)貿(mào)易等。本公司主營(yíng)推廣銷售AD(亞德諾),LINEAR。凌特)以及TI、MAXIM、NXP等國(guó)際品牌集成電路。產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于:汽車、通信、消費(fèi)電子、工業(yè)控制、醫(yī)療器械、儀器儀表、安防監(jiān)控等領(lǐng)域。本公司一直秉承優(yōu)勢(shì)服務(wù),誠(chéng)信合作的原則,以現(xiàn)代化管理以及優(yōu)勢(shì)的渠道價(jià)格、良好的信譽(yù)與廣大客戶建立了長(zhǎng)期友好的合作關(guān)系,為廣大廠商和市場(chǎng)客戶提供優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品服務(wù)。本文所使用的所有的技術(shù)和科學(xué)術(shù)語(yǔ)與屬于的技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員通常理解的含義相同。本文中在的說(shuō)明書(shū)中所使用的術(shù)語(yǔ)只是為了描述具體的實(shí)施例的目的,不是旨在于限制。本文所使用的術(shù)語(yǔ)“及/或”包括一個(gè)或多個(gè)相關(guān)的所列項(xiàng)目的任意的和所有的組合。廣東雙極型溫度傳感器精度哪家好深圳市美信美科技有限公司,只做靠譜的原裝進(jìn)口溫度傳感器。

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    鈍化層可為氧化硅層或氮化硅層,也可為疊設(shè)的氧化硅層和氮化硅層。上述溫度傳感器,測(cè)溫單元設(shè)于氧化硅薄膜上,氧化硅薄膜具有較低的導(dǎo)熱率,因此不會(huì)影響測(cè)溫單元的測(cè)溫效果。且氧化硅薄膜與硅之間形成有空腔,空腔下方的硅不會(huì)影響空腔上方的氧化硅的隔離效果,在溫度傳感器的制備過(guò)程中,無(wú)需通過(guò)深槽刻蝕工藝將多余的硅刻蝕掉,因此簡(jiǎn)化了溫度傳感器的制備時(shí)間,節(jié)約了成本。以上實(shí)施例的各技術(shù)特征可以進(jìn)行任意的組合,為使描述簡(jiǎn)潔,未對(duì)上述實(shí)施例中的各個(gè)技術(shù)特征所有可能的組合都進(jìn)行描述,然而,只要這些技術(shù)特征的組合不存在矛盾,都應(yīng)當(dāng)認(rèn)為是本說(shuō)明書(shū)記載的范圍。以上實(shí)施例表達(dá)了本發(fā)明的幾種實(shí)施方式,其描述較為具體和詳細(xì),但并不能因此而理解為對(duì)發(fā)明專利范圍的限制。應(yīng)當(dāng)指出的是,對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō),在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干變形和改進(jìn),這些都屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。因此,本發(fā)明專利的保護(hù)范圍應(yīng)以所附權(quán)利要求為準(zhǔn)。

    溫度傳感器通過(guò)該測(cè)溫單元感知溫度后形成電信號(hào)并輸出。在一實(shí)施例中,測(cè)溫單元為一熱電阻傳感結(jié)構(gòu),其具體形成過(guò)程為:步驟s:在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,金屬層為金屬鉑層,金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)。參考圖所示,在氧化硅薄膜上淀積一層金屬層,該金屬層可為金屬鉑層,即熱電阻傳感結(jié)構(gòu)選用鉑熱電阻。在另一實(shí)施例中,也可選用其他電阻溫度系數(shù)較高的材料如鎳、鐵等。為減小溫度傳感器的尺寸,在小尺寸的基底上增大鉑熱電阻的接觸面積,將鉑熱電阻做成連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu)(如圖所示)。步驟s:在所述金屬鉑層外側(cè)兩端各淀積一層第二金屬層,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。繼續(xù)參見(jiàn)圖和圖,在金屬鉑層外側(cè)兩端淀積一層第二金屬層,該第二金屬層可為金屬鋁層,從金屬鋁處引出該溫度傳感器的輸出端子,即溫度傳感器的輸出導(dǎo)線與鋁層連接以通過(guò)鋁層與金屬鉑層連接。上述鉑熱電阻傳感器。利用金屬鉑在溫度變化時(shí)自身電阻值也會(huì)隨著溫度改變的特性來(lái)測(cè)量溫度,溫度傳感器的輸出端子與顯示儀表連接,顯示儀表會(huì)顯示受溫度影響得到的鉑電阻對(duì)應(yīng)的溫度值。通常。形成測(cè)溫單元還包括鈍化步驟,即,步驟s:在金屬層上形成鈍化層。找不到好的溫度傳感器供應(yīng)?來(lái)找深圳美信美科技。

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    測(cè)溫單元形成于空腔上方的氧化硅薄膜后得到的溫度傳感器性能較好。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述測(cè)溫單元包括:金屬層,所述金屬層為金屬鉑層,所述金屬鉑層呈連續(xù)弓字形結(jié)構(gòu);和第二金屬層,位于所述金屬鉑層外側(cè)兩端,用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。在其中一個(gè)實(shí)施例中,所述測(cè)溫單元包括:多晶硅層,包括并排且間隔設(shè)置的n型多晶硅條和p型多晶硅條;和第三金屬層,所述第三金屬層包括位于相鄰多晶硅條之間的金屬結(jié)構(gòu),所述n型多晶硅條和p型多晶硅條通過(guò)所述金屬結(jié)構(gòu)串聯(lián),所述第三金屬層還包括位于所述多晶硅層外側(cè)兩端的第二金屬結(jié)構(gòu),用于引出所述溫度傳感器的輸出端子。附圖說(shuō)明圖1為一實(shí)施例中溫度傳感器制備方法的方法流程圖;圖2a~2c為一實(shí)施例中溫度傳感器制備方法各步驟對(duì)應(yīng)生成的結(jié)構(gòu)剖視圖。圖3為一實(shí)施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖4為與圖3對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖;圖5為另一實(shí)施例中溫度傳感器側(cè)視圖;圖6為與圖5對(duì)應(yīng)的溫度傳感器俯視圖。具體實(shí)施方式為了便于理解本發(fā)明,下面將參照相關(guān)附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更的描述。附圖中給出了本發(fā)明的優(yōu)先實(shí)施例。但是,本發(fā)明可以以許多不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn),并不限于本文所描述的實(shí)施例。相反地。進(jìn)口溫度傳感器

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