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    MOSFET存在導(dǎo)通電阻高的缺點(diǎn)，但I(xiàn)GBT克服了這一缺點(diǎn)，在高壓時(shí)IGBT仍具有較低的導(dǎo)通電阻?？偟膩?lái)說(shuō)，MOSFET優(yōu)點(diǎn)是高頻特性好，可以工作頻率可以達(dá)到幾百kHz、上MHz，缺點(diǎn)是導(dǎo)通電阻大在高壓大電流場(chǎng)合功耗較大；而IGBT在低頻及較大功率場(chǎng)合下表現(xiàn)，其導(dǎo)通電阻小，耐壓高。選擇MOS管還是IGBT？在電路中，選用MOS管作為功率開(kāi)關(guān)管還是選擇IGBT管，這是工程師常遇到的問(wèn)題，如果從系統(tǒng)的電壓、電流、切換功率等因素作為考慮，可以總結(jié)出以下幾點(diǎn)：人們常問(wèn)：“是MOSFET好還是IGBT好？”其實(shí)兩者沒(méi)有什么好壞之分，i主要的還是看其實(shí)際應(yīng)用情況。關(guān)于MOSFET與IGBT的區(qū)別，您若還有疑問(wèn)，可以詳詢冠華偉業(yè)。深圳市冠華偉業(yè)科技有限公司，主要代理WINSOK微碩中低壓MOS管產(chǎn)品，產(chǎn)品用于、LED/LCD驅(qū)動(dòng)板、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)板、快充、、液晶顯示器、電源、小家電、醫(yī)療產(chǎn)品、藍(lán)牙產(chǎn)品、電子秤、車載電子、網(wǎng)絡(luò)類產(chǎn)品、民用家電、電腦周邊及各種數(shù)碼產(chǎn)品。 IHV,IHM,PrimePACK封裝(俗稱“黑模塊”):這類模塊的封裝顏色是黑色的，屬于大功率模塊。新疆哪里有英飛凌infineonIGBT模塊廠家電話

    公共柵極單元100與第1發(fā)射極單元101和第二發(fā)射極單元201之間通過(guò)刻蝕方式進(jìn)行隔開(kāi)；第二表面上設(shè)有工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20的公共集電極單元200；接地區(qū)域30則設(shè)置于第1發(fā)射極單元101內(nèi)的任意位置處；電流檢測(cè)區(qū)域20和接地區(qū)域30分別用于與檢測(cè)電阻40連接，以使檢測(cè)電阻40上產(chǎn)生電壓，并根據(jù)電壓檢測(cè)工作區(qū)域10的工作電流。具體地，工作區(qū)域10和電流檢測(cè)區(qū)域20具有公共柵極單元100和公共集電極單元200，此外，電流檢測(cè)區(qū)域20還具有第二發(fā)射極單元201和第三發(fā)射極單元202，檢測(cè)電阻40則分別與第二發(fā)射極單元201和接地區(qū)域30連接。此時(shí)，在電流檢測(cè)過(guò)程中，工作區(qū)域10由公共柵極單元100提供驅(qū)動(dòng)，以使公共集電極單元200上的電流ic通過(guò)第二發(fā)射極單元201達(dá)到檢測(cè)電阻40，從而可以在檢測(cè)電阻40上產(chǎn)生測(cè)試電壓vs，進(jìn)而可以根據(jù)該測(cè)試電壓vs檢測(cè)工作區(qū)域10的工作電流。因此，在上述電流檢測(cè)過(guò)程中，電流檢測(cè)區(qū)域20的第二發(fā)射極單元201相當(dāng)于沒(méi)有公共柵極單元100提供驅(qū)動(dòng)，即對(duì)于igbt芯片的電子和空穴兩種載流子形成的電流，電流檢測(cè)區(qū)域20的第二發(fā)射極單元201只獲取空穴形成的電流作為檢測(cè)電流，從而避免了檢測(cè)電流受公共柵極單元100的電壓的影響。 遼寧英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足6單元的三項(xiàng)全橋IGBT拓?fù)?以FS開(kāi)頭。

    少數(shù)載流子）對(duì)N-區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-區(qū)的電阻RN，使高耐壓的IGBT也具有很小的通態(tài)壓降。當(dāng)柵射極間不加信號(hào)或加反向電壓時(shí)，MOSFET內(nèi)的溝道消失，PNP型晶體管的基極電流被切斷，IGBT即關(guān)斷。由此可知，IGBT的驅(qū)動(dòng)原理與MOSFET基本相同。①當(dāng)UCE為負(fù)時(shí)：J3結(jié)處于反偏狀態(tài)，器件呈反向阻斷狀態(tài)。②當(dāng)uCE為正時(shí)：UC<UTH，溝道不能形成，器件呈正向阻斷狀態(tài)；UG>UTH，絕緣門(mén)極下形成N溝道，由于載流子的相互作用，在N-區(qū)產(chǎn)生電導(dǎo)調(diào)制，使器件正向?qū)ā?)導(dǎo)通IGBT硅片的結(jié)構(gòu)與功率MOSFET的結(jié)構(gòu)十分相似，主要差異是JGBT增加了P+基片和一個(gè)N+緩沖層(NPT-非穿通-IGBT技術(shù)沒(méi)有增加這個(gè)部分)，其中一個(gè)MOSFET驅(qū)動(dòng)兩個(gè)雙極器件（有兩個(gè)極性的器件）。基片的應(yīng)用在管體的P、和N+區(qū)之間創(chuàng)建了一個(gè)J，結(jié)。當(dāng)正柵偏壓使柵極下面反演P基區(qū)時(shí)，一個(gè)N溝道便形成，同時(shí)出現(xiàn)一個(gè)電子流，并完全按照功率MOSFET的方式產(chǎn)生一股電流。如果這個(gè)電子流產(chǎn)生的電壓在，則J1將處于正向偏壓，一些空穴注入N-區(qū)內(nèi)，并調(diào)整N-與N+之間的電阻率，這種方式降低了功率導(dǎo)通的總損耗，并啟動(dòng)了第二個(gè)電荷流。的結(jié)果是在半導(dǎo)體層次內(nèi)臨時(shí)出現(xiàn)兩種不同的電流拓?fù)洌阂粋€(gè)電子流（MOSFET電流）。

    所有人都知道IGBT的標(biāo)準(zhǔn)定義，但是很少有人詳細(xì)地、系統(tǒng)地從這句話抽絲剝繭，一層一層地分析為什么定義里說(shuō)IGBT是由BJT和MOS組成的，它們之間有什么區(qū)別和聯(lián)系，在應(yīng)用的時(shí)候，什么時(shí)候能選擇IGBT、什么時(shí)候選擇BJT、什么時(shí)候又選擇MOSFET管。這些問(wèn)題其實(shí)并非很難，你跟著我看下去，就能窺見(jiàn)其區(qū)別及聯(lián)系。為什么說(shuō)IGBT是由BJT和MOSFET組成的器件？要搞清楚IGBT、BJT、MOSFET之間的關(guān)系，就必須對(duì)這三者的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理有大致的了解。BJT：雙極性晶體管，俗稱三極管。內(nèi)部結(jié)構(gòu)（以PNP型BJT為例）如下圖所示。BJT內(nèi)部結(jié)構(gòu)及符號(hào)如同我上篇文章（IGBT這玩意兒——從名稱入手）講的，雙極性即意味著器件內(nèi)部有空穴和電子兩種載流子參與導(dǎo)電，BJT既然叫雙極性晶體管，那其內(nèi)部也必然有空穴和載流子，理解這兩種載流子的運(yùn)動(dòng)是理解BJT工作原理的關(guān)鍵。由于圖中e（發(fā)射極）的P區(qū)空穴濃度要大于b（基極）的N區(qū)空穴濃度，因此會(huì)發(fā)生空穴的擴(kuò)散，即空穴從P區(qū)擴(kuò)散至N區(qū)。同理，e（發(fā)射極）的P區(qū)電子濃度要小于b（基極）的N區(qū)電子濃度，所以電子也會(huì)發(fā)生從N區(qū)到P區(qū)的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)。這種運(yùn)動(dòng)終會(huì)造成在發(fā)射結(jié)上出現(xiàn)一個(gè)從N區(qū)指向P區(qū)的電場(chǎng)，即內(nèi)建電場(chǎng)。 4單元的全橋IGBT拓?fù)?以F4開(kāi)頭。這個(gè)目前已經(jīng)停產(chǎn)，大家不要選擇。

    IGBT裸片是硅基的絕緣柵雙極晶體管芯片。裸片和晶圓級(jí)別的芯片可幫助模塊制造商提高產(chǎn)品集成度和功率密度，并有效節(jié)約電路板空間。另外，英飛凌還提供完善的單獨(dú)塑封IGBT系列：IGBT單管。該系列芯片包括單片IGBT，以及和續(xù)流二極管集成封裝的產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于通用逆變器、太陽(yáng)能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應(yīng)加熱設(shè)備、大型家電、焊接以及開(kāi)關(guān)電源（SMPS）等領(lǐng)域。單管IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統(tǒng)成本。功率模塊是比分立式IGBT規(guī)模稍大的產(chǎn)品類型，用于構(gòu)造電力電子設(shè)備的基本單元。這類模塊通常由IGBT和二極管組成，可有多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。而即用型組件模塊則于滿足大功率應(yīng)用的需求。這些組件常被稱作系統(tǒng)，根據(jù)具體應(yīng)用領(lǐng)域采用IGBT功率模塊或單管進(jìn)行構(gòu)造。從具有整流器、制動(dòng)斬波器和逆變器的一體化功率集成模塊，到大功率的組件，英飛凌的產(chǎn)品覆蓋了幾百瓦到幾兆瓦的功率范圍。這些產(chǎn)品高度可靠，性能、效率和使用壽命均很出色，有利于通用驅(qū)動(dòng)器、伺服單元和可再生能源應(yīng)用（如太陽(yáng)能逆變器和風(fēng)力發(fā)電應(yīng)用）的設(shè)計(jì)。HybridPACK?系列專為汽車類應(yīng)用研發(fā)，可助力電動(dòng)交通應(yīng)用的設(shè)計(jì)。為更好地支持汽車類應(yīng)用。 普通的交流220V供電，使用600V的IGBT。遼寧英飛凌infineonIGBT模塊貨源充足

這些IGBT是汽車級(jí)別的，屬于特種模塊，價(jià)格偏貴。新疆哪里有英飛凌infineonIGBT模塊廠家電話

    因?yàn)楦咚匍_(kāi)斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓,及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。(3)IGBT開(kāi)通后，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過(guò)載情況下不致退出飽和而損壞。(4)IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻RG對(duì)工作性能有較大的影響，RG較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會(huì)增加IGBT的開(kāi)關(guān)時(shí)間和開(kāi)關(guān)損耗；RG較小，會(huì)引起電流上升率增大，使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。RG的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐～幾十歐,小容量的IGBT其RG值較大。(5)驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IG2BT的保護(hù)功能。IGBT的控制、驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開(kāi)關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G—E斷不能開(kāi)路。四、IGBT的結(jié)構(gòu)IGBT是一個(gè)三端器件，它擁有柵極G、集電極c和發(fā)射極E。IGBT的結(jié)構(gòu)、簡(jiǎn)化等效電路和電氣圖形符號(hào)如圖所示。如圖所示為N溝道VDMOSFFT與GTR組合的N溝道IGBT(N-IGBT)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)斷面示意圖。IGBT比VDMOSFET多一層P+注入?yún)^(qū)，形成丁一個(gè)大面積的PN結(jié)J1。由于IGBT導(dǎo)通時(shí)由P+注入?yún)^(qū)向N基區(qū)發(fā)射少子，因而對(duì)漂移區(qū)電導(dǎo)率進(jìn)行調(diào)制，可仗IGBT具有很強(qiáng)的通流能力。介于P+注入?yún)^(qū)與N-漂移區(qū)之間的N+層稱為緩沖區(qū)。 新疆哪里有英飛凌infineonIGBT模塊廠家電話