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WPM3401：單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優(yōu)異的導通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS4508E-5/TR 電池管理 封裝：SOT-23-5L。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56181W20

    WAS7227Q是一款高性能、雙刀雙擲（DPDT）CMOS模擬開關，可在+2.5V至+5.5V的單一電源供電下工作。它專為在手持設備和消費電子產品中切換高速USB2.0信號而設計，如手機、數(shù)碼相機和帶有集線器或有限USBI/O控制器的筆記本電腦。WAS7227Q具有低比特間偏斜和高通道間噪聲隔離，并與各種標準兼容，如高速USB2.0（480Mbps）。每個開關都是雙向的，對高速信號的輸出衰減很小。其帶寬足以傳遞高速USB2.0差分信號（480Mbps）并保持信號完整性。

特性：

D+/D-上的特殊電路設計，使設備能夠承受VBUS短路到D+或D-，無論USB設備是關閉還是開啟。

SEL/OE引腳具有過壓保護，允許電壓高于VCC，高達7.0V存在于引腳上，而不會損壞或中斷部件的操作，無論工作電壓如何。

還具有智能電路，用于至小化VCC泄漏電流，即使SEL/OE控制電壓低于VCC電源電壓也是如此。換句話說，在實際應用中，無需額外設備將SEL/OE電平與VCC電平相同。

應用：

· 手機

· MID（移動設備）

· 路由器

· 其他電子設備

    WAS7227Q是專為高速USB2.0設計的穩(wěn)定、高效CMOS開關，適用于手持和消費電子產品，確保數(shù)據(jù)傳輸順暢。獨特電路和過壓保護增強其可靠性，環(huán)保封裝易集成。是高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)睦硐脒x擇。詳情請查數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾ESD56181W12WS72551EA-5/TR 運算放大器 封裝：SOT-23-5L。

WL2803E：極低壓差、500mA、CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器

產品描述

     WL2803E系列是一款具有極低壓差、低靜態(tài)電流和高電源抑制比（PSRR）的CMOSLDO。在500mA負載電流下，其壓差電壓典型值為130mV。由于采用CMOS結構，WL2803E在整個輸入電壓范圍內的靜態(tài)電流典型值為150μA，使其成為需要高輸出電流的消費者和網絡應用的理想選擇。

     WL2803E系列提供從1.2V到3.3V的寬輸出電壓范圍版本，步長為0.1V。WL2803E系列還提供了過熱保護（OTP）和限流功能，以確保在錯誤條件下芯片和電源系統(tǒng)的穩(wěn)定性，并使用微調技術保證輸出電壓精度在±2%以內。

    封裝與環(huán)保信息：WL2803E穩(wěn)壓器采用SOT-23-5L封裝，并符合無鉛和無鹵素環(huán)保要求。

產品特性

輸入電壓：2.5V~5.5V

輸出電壓：1.2V~3.3V

輸出電流：500mA

PSRR：65dB@1KHz

壓差電壓：130mV@IOUT=0.5A

輸出噪聲：100uV

靜態(tài)電流：150μA（典型值）

應用領域

LCD電視

機頂盒（STB）

計算機和圖形卡

網絡通信設備

其他便攜式電子設備  

      WL2803E是一款高性能LDO，壓差低、PSRR高、靜態(tài)電流低。適用于消費電子產品和網絡應用，輸出電壓準確穩(wěn)定。具備過熱保護和限流功能，增強可靠性。您如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

    ESD5431Z-2/TR：電子設備的瞬態(tài)電壓守護神

    ESD5431Z-2/TR是一款高效、可靠的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓威脅而設計。其獨特的雙向保護機制，確保在數(shù)據(jù)線和控制線受到過應力時，能夠迅速抑制電壓波動，保護敏感電子元件免受損壞。 

    這款ESD具有出色的截止電壓和瞬態(tài)保護能力，根據(jù)IEC61000-4-2標準，它能承受高達±30kV的接觸放電，確保在極端情況下仍能有效保護電路，能夠承受高達40A（5/50ns）的EFT和10A（8/20μs）的浪涌電流。其小型DFN0603-2L封裝設計使得集成更為便捷，同時無鉛和不含鹵素的標準也符合環(huán)保要求。

    無論是手機、計算機還是微處理器，它都能為這些設備提供堅實的電壓保護，確保它們在各種惡劣環(huán)境下都能穩(wěn)定運行。應用在工業(yè)、醫(yī)療還是消費電子領域等。

    安美斯科技專注于國產電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD5431Z-2/TR這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 ESD5471Z-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN0603-2L。

ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±12V。

· 按照IEC61000-4-2標準的ESD保護：±30kV（接觸放電）

· 按照IEC61000-4-5標準的浪涌保護：5.5A（8/20μs）

· 典型電容：CJ=27pF

· 極低泄漏電流：IR=0.1nA

· 低鉗位電壓：在IPP=16A（TLP）時，VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術：確保器件性能穩(wěn)定和長壽命。

應用：

· 計算機及其外設：如鍵盤、鼠標、顯示器等。

· 手機

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設計。其優(yōu)異的保護能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設備制造商的理想選擇。無論是計算機、手機還是便攜式電子設備，ES9DN12BA都能提供強大的保護，確保設備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD54191CZ-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DWN0603-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5503W

WNM6002-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-323-3。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56181W20

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應晶體管。它采用了先進的溝槽技術和設計，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉換、電源開關和充電電路。標準產品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應晶體管，專為高效率的電源管理應用而設計。其采用的先進溝槽技術使得該晶體管在導通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率。同時，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應柵極驅動信號，進一步提高了開關速度。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉換器，其中高效率的電源開關是至關重要的。

    此外，它還可以用于各種充電電路，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉換和利用。作為一款標準產品，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴格的市場中具有廣的適用性?？傊?，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應用。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56181W20