中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2024-04-26

    RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管

特性:小型表面貼裝類(lèi)型、高可靠性低正向電壓、、無(wú)鉛器件

應(yīng)用:低電流整流

介紹:

    RB521S30是一款肖特基勢(shì)壘二極管,它具有一系列出色的特性,使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。首先,其小型表面貼裝類(lèi)型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝,同時(shí)確保了高效的熱量散發(fā)。其次,高可靠性確保了器件在長(zhǎng)時(shí)間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能,減少了維護(hù)和更換的頻率。

    此外,低正向電壓是肖特基勢(shì)壘二極管的一個(gè)關(guān)鍵特性,它允許在較低的電壓下實(shí)現(xiàn)高效的整流功能。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場(chǎng)合中表現(xiàn)出色,如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。

    值得注意的是,RB521S30是無(wú)鉛器件,符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識(shí)的日益增強(qiáng),無(wú)鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇。這使得RB521S30在追求高性能的同時(shí),也符合了環(huán)保要求。

    總的來(lái)說(shuō),RB521S30肖特基勢(shì)壘二極管以其小型化、高可靠性、低正向電壓和無(wú)鉛環(huán)保等特性,成為低電流整流應(yīng)用中的理想選擇。無(wú)論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計(jì)工程師,都能從中受益。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESDA6V8AV5-5/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOT-553。中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A

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ES9DN12BA瞬態(tài)電壓抑制器

    ES9DN12BA是一款瞬態(tài)電壓抑制器(TVS),專(zhuān)為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子元件免受靜電放電(ESD)、電氣快速瞬變(EFT)和雷電等過(guò)應(yīng)力影響而設(shè)計(jì)。封裝與環(huán)保特性:DFN1006-2L封裝:緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無(wú)鉛和無(wú)鹵素:符合環(huán)保要求,適用于對(duì)無(wú)鉛和無(wú)鹵素有需求的場(chǎng)合。

特性:

· 截止電壓:±12V。

· 按照IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的ESD保護(hù):±30kV(接觸放電)

· 按照IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù):5.5A(8/20μs)

· 典型電容:CJ=27pF

· 極低泄漏電流:IR=0.1nA

· 低鉗位電壓:在IPP=16A(TLP)時(shí),VCL=20V。

· 固態(tài)硅技術(shù):確保器件性能穩(wěn)定和長(zhǎng)壽命。

應(yīng)用:

· 計(jì)算機(jī)及其外設(shè):如鍵盤(pán)、鼠標(biāo)、顯示器等。

· 手機(jī)

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ES9DN12BA是一款高效、可靠的瞬態(tài)電壓抑制器,專(zhuān)為保護(hù)敏感電子元件免受靜電和電氣瞬變的影響而設(shè)計(jì)。其優(yōu)異的保護(hù)能力、緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為各種電子設(shè)備制造商的理想選擇。無(wú)論是計(jì)算機(jī)、手機(jī)還是便攜式電子設(shè)備,ES9DN12BA都能提供強(qiáng)大的保護(hù),確保設(shè)備的穩(wěn)定性和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 代理分銷(xiāo)商WILLSEMI韋爾SPD9105WWAS4642Q-24/TR 模擬開(kāi)關(guān)/多路復(fù)用器 封裝:QFN2534-24L。

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    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲(SPDT)CMOS模擬開(kāi)關(guān),專(zhuān)為總線切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻(典型值為5.5Ω)。此外,其SEL引腳具有過(guò)壓保護(hù)功能,允許引腳上的電壓超過(guò)VCC,至高可達(dá)7.0V,而不會(huì)損壞部件或影響其操作,無(wú)論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路,以小化VCC泄漏電流,即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡(jiǎn)而言之,在實(shí)際應(yīng)用中,無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝,標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

特性:

· 電源電壓:1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻:在VCC=4.5V時(shí)為5.5Ω-3dB

· 帶寬:在CL=5pF時(shí)為400MHz

· 斷開(kāi)隔離度:在10MHz時(shí)為-69dB

· 低靜態(tài)電流:<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù):HBM為±8000V,MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域:

· 手機(jī)

· MID(移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備)

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開(kāi)關(guān)解決方案,適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

WD3133高效率、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述:

     WD3133是一款高效率、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,小電流限制為1A。對(duì)于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備,WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制(PWM)模式,固定開(kāi)關(guān)頻率為1.2MHz,以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率。它還允許使用小型外部組件。在輕負(fù)載電流下,轉(zhuǎn)換器進(jìn)入跳過(guò)模式,以在絕大部分的負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率。內(nèi)置的軟啟動(dòng)電路可以小化啟動(dòng)時(shí)的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛且無(wú)鹵素。

產(chǎn)品特性:

寬輸入電壓范圍:2.7V至5.5V1.25V(±2%)

高精度參考電壓1.2MHz開(kāi)關(guān)頻率

高達(dá)93%的效率

超過(guò)1A(小值)的功率開(kāi)關(guān)電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動(dòng)


應(yīng)用領(lǐng)域:

智能手機(jī)

平板電腦

便攜式游戲機(jī)

平板電腦(PADs)

      WD3133是專(zhuān)為便攜式設(shè)備設(shè)計(jì)的高效升壓轉(zhuǎn)換器,1.2MHz開(kāi)關(guān)頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場(chǎng)景,如智能手機(jī)、平板電腦和游戲機(jī)等。其軟啟動(dòng)電路和電流限制功能增強(qiáng)了安全性和可靠性,是電源管理的理想選擇。如需更多信息,請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5302F-3/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:SOT-23。

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    WNM2030是一種N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管,采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì),以提供出色的RDS(ON)與低柵極電荷。這款器件適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2030為無(wú)鉛產(chǎn)品。小型SOT-723封裝。

主要特性:

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 優(yōu)異的開(kāi)啟電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域:

· DC/DC轉(zhuǎn)換器

· 電源轉(zhuǎn)換器電路

· 便攜式設(shè)備的負(fù)載/電源切換

   WNM2030是專(zhuān)為現(xiàn)代電子系統(tǒng)電源管理設(shè)計(jì)的高性能MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管。其RDS(ON)和低柵極電荷特性使其在DC-DC轉(zhuǎn)換、電源開(kāi)關(guān)和充電電路中表現(xiàn)出色。采用先進(jìn)溝槽技術(shù),提供高密度和低功耗??焖匍_(kāi)關(guān)操作適用于高頻電源管理。小型SOT-723封裝適合便攜式設(shè)備,且無(wú)鉛設(shè)計(jì)滿足環(huán)保要求。WNM2030為現(xiàn)代電源管理提供高效、可靠和環(huán)保的解決方案。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD5451Z-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)(TVS/ESD)封裝:DFN0603-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WPM2083

WS4508E-5/TR 電池管理 封裝:SOT-23-5L。中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A

    WL2811EA系列是一款高精度、低噪聲、高速、高電源抑制比(PSRR)、低壓降的CMOS線性穩(wěn)壓器,具有出色的紋波抑制能力。該系列為手機(jī)、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了具有成本效益的新一代性能。所有標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品均不含鉛和鹵素,符合環(huán)保要求。

特點(diǎn)與優(yōu)勢(shì):

· 輸出電流折返

· 寬輸入電壓范圍:2V至5.5V

· 可調(diào)輸出電壓:0.8V至5V

· 輸出電流:300mA

· 低功耗:靜態(tài)電流典型值為75μA,關(guān)機(jī)電流小于1μA

· 低壓降:在輸出電流為0.3A時(shí),壓降為141mV。

· 電源抑制比:在1kHz、輸出電壓為3V時(shí),PSRR高達(dá)70dB

· 低輸出電壓噪聲:典型值為12μVRMS

· 輸出電壓容差:±2%

· 推薦電容器:建議使用1μF的電容器以優(yōu)化性能

· 封裝與環(huán)保:SOT-23-5L

應(yīng)用領(lǐng)域:

· MP3/MP4播放器

· 手機(jī)、無(wú)線電話、數(shù)碼相機(jī)

· 藍(lán)牙、無(wú)線手持設(shè)備

· 其他便攜式電子設(shè)備

    WL2811EA系列以其出色的性能、靈活的輸出電壓調(diào)整、高效的電流管理以及環(huán)保的封裝特性,成為便攜式電子設(shè)備的理想電源解決方案。無(wú)論是音頻播放、通信還是無(wú)線連接,它都能為設(shè)備提供穩(wěn)定、高效的電源支持。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WPM3035A