規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5Z5V

     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計(jì)，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開(kāi)關(guān)、負(fù)載開(kāi)關(guān)和充電電路。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無(wú)鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計(jì)

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器、電磁鐵、電機(jī)、LED等的驅(qū)動(dòng)

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開(kāi)關(guān)

· 負(fù)載開(kāi)關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管是一種高性能、高效能的半導(dǎo)體器件，專(zhuān)為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開(kāi)關(guān)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計(jì)，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計(jì)使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱。同時(shí)，極低的閾值電壓保證了快速的開(kāi)關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 WD1502F-6/TR DC-DC電源芯片 封裝：TSOT-23-6L。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5Z5V

    ESD5304D是一個(gè)專(zhuān)為保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線(xiàn)的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過(guò)應(yīng)力而設(shè)計(jì)的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它結(jié)合了四對(duì)極低電容轉(zhuǎn)向二極管和一個(gè)TVS二極管，旨在提供優(yōu)異的ESD保護(hù)。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)的每線(xiàn)瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn)的EFT保護(hù)：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專(zhuān)為高速數(shù)據(jù)接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器，保護(hù)接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進(jìn)固態(tài)硅技術(shù)，結(jié)合極低電容轉(zhuǎn)向二極管和TVS二極管，提供優(yōu)異保護(hù)。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口，是電子設(shè)備中的關(guān)鍵保護(hù)組件。小巧封裝且環(huán)保，易于集成。如需更多信息，請(qǐng)查閱數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5681N12ESD5341N-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。

    ESD5641DXX是一款專(zhuān)為保護(hù)電源接口設(shè)計(jì)的瞬態(tài)電壓抑制器。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個(gè)離散組件。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計(jì)，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來(lái)保護(hù)USB電壓總線(xiàn)引腳。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

技術(shù)特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護(hù)10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 電源保護(hù)

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護(hù)能力和低鉗位電壓，為電源接口提供了可靠的防護(hù)。特別適合用于USB端口保護(hù)，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇。無(wú)論是在電源保護(hù)還是電源管理方面，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。

  BL1551B是一款模擬開(kāi)關(guān)，具體地說(shuō)：它是一個(gè)單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開(kāi)關(guān)。這種開(kāi)關(guān)特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號(hào)的切換。

  以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢(shì)：

高帶寬：BL1551B具有高達(dá)350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號(hào)切換，滿(mǎn)足許多高速應(yīng)用的需求。

低導(dǎo)通電阻：在5V工作電壓下，其導(dǎo)通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號(hào)在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的損失，保證信號(hào)的完整性。

高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達(dá)到-84dB，這意味著在開(kāi)關(guān)處于關(guān)閉狀態(tài)時(shí)，信號(hào)泄漏非常小，從而確保了良好的信號(hào)隔離效果。

寬工作電壓范圍：BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V，這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作，為設(shè)計(jì)者提供了更大的靈活性。

  此外，BL1551B的封裝類(lèi)型為SC-70-6，這有助于實(shí)現(xiàn)緊湊的電路設(shè)計(jì)和高效的熱性能。在實(shí)際應(yīng)用中，BL1551B可廣泛應(yīng)用于移動(dòng)電話(huà)、便攜式電子設(shè)備等領(lǐng)域。其出色的性能參數(shù)和廣泛的應(yīng)用范圍使得BL1551B在市場(chǎng)上具有一定的競(jìng)爭(zhēng)力。

  安美斯科技專(zhuān)注于國(guó)產(chǎn)電子元器件代理分銷(xiāo)，我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開(kāi)關(guān)，并提供樣品供您測(cè)試，如需更多信息或支持，請(qǐng)隨時(shí)聯(lián)系我們。 ESDA6V8AV6-6/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOT-563。

    WAS3157B是一款高性能的單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開(kāi)關(guān)，專(zhuān)為總線(xiàn)切換或音頻切換應(yīng)用設(shè)計(jì)。它具備高達(dá)400MHz的-3dB帶寬和低導(dǎo)通電阻（典型值為5.5Ω）。此外，其SEL引腳具有過(guò)壓保護(hù)功能，允許引腳上的電壓超過(guò)VCC，至高可達(dá)7.0V，而不會(huì)損壞部件或影響其操作，無(wú)論工作電壓如何。WAS3157B還配備了智能電路，以至小化VCC泄漏電流，即使在SEL控制電壓低于VCC電源電壓時(shí)也是如此。簡(jiǎn)而言之，在實(shí)際應(yīng)用中，無(wú)需額外的設(shè)備來(lái)使SEL電平與VCC電平保持一致。WAS3157B采用標(biāo)準(zhǔn)的SOT-363(SC-70-6L)封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無(wú)鉛和無(wú)鹵素。

特性：

· 電源電壓：1.5~5.5V

· 導(dǎo)通電阻：在VCC=4.5V時(shí)為5.5Ω-3dB

· 帶寬：在CL=5pF時(shí)為400MHz

· 斷開(kāi)隔離度：在10MHz時(shí)為-69dB

· 低靜態(tài)電流：<1uA

· 先斷后合功能ESD保護(hù)：HBM為±8000V，MM為±600V

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機(jī)

· MID（移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備）

· 其他便攜式設(shè)備

    WAS3157B是一款功能強(qiáng)大且易于集成的模擬開(kāi)關(guān)解決方案，適用于需要高效、可靠的切換功能的各種便攜式設(shè)備。其優(yōu)異的性能和多種保護(hù)功能使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備中的理想選擇。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系我們。 ESD54191CZ-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：DWN0603-2L。中文資料WILLSEMI韋爾WPM3005

ESD5311X-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：WBFBP-02C-C。規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5Z5V

ESD73011N：?jiǎn)尉€(xiàn)、雙向、極低電容瞬態(tài)電壓抑制器

     ESD73011N是一款極低電容的瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專(zhuān)為保護(hù)高速數(shù)據(jù)接口而設(shè)計(jì)。它特別用來(lái)保護(hù)連接到數(shù)據(jù)和傳輸線(xiàn)的敏感電子組件，以防止由靜電放電（ESD）引起的過(guò)度壓力。ESD73011N包含一個(gè)極低電容的轉(zhuǎn)向二極管對(duì)和一個(gè)TVS二極管。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，它可以提供高達(dá)±20kV（接觸放電）的ESD保護(hù)，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)5.5A（8/20μs）的峰值脈沖電流。ESD73011N采用DFN1006-2L封裝，為標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品，無(wú)鉛且不含鹵素。

其主要特性包括：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線(xiàn)瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：5.5A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.40pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=9.5V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域包括：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

     ESD73011N為需要高速數(shù)據(jù)傳輸和嚴(yán)格ESD防護(hù)的應(yīng)用提供了出色的保護(hù)。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請(qǐng)查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)或聯(lián)系制造商。 規(guī)格書(shū)WILLSEMI韋爾ESD5Z5V