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WPM3401：單P溝道、-30V、-4.6A功率MOSFET

     WPM3401是一種P溝道邏輯增強型功率場效應晶體管，采用高單元密度、DMOS溝槽技術生產(chǎn)。這種高密度工藝特別定制于極小化導通電阻。這些器件特別適合低電壓應用、筆記本電腦的電源管理以及其他需要高側開關的電池供電電路。

其主要特性包括：

· 溝槽技術

· 超高密度的單元設計

· 優(yōu)異的導通電阻，適用于更高的直流電流

· 小型SOT-23-3L封裝

應用領域包括：

· 筆記本電腦的電源管理

· 便攜式設備

· 電池供電系統(tǒng)

· DC/DC轉換器

· 負載開關

      WPM3401是一種高性能的功率MOSFET，專為需要高效、緊湊和可靠功率管理的應用而設計。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNM4002-3/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：SOT-523-3。中文資料WILLSEMI韋爾WNMD9926

  BL1551B是一款模擬開關，具體地說：它是一個單通道、高帶寬的單刀雙擲（SPDT）模擬開關。這種開關特別適用于數(shù)據(jù)和音頻信號的切換。

  以下是BL1551B的主要特性和優(yōu)勢：

高帶寬：BL1551B具有高達350MHz的帶寬，這使得它能夠處理高速信號切換，滿足許多高速應用的需求。

低導通電阻：在5V工作電壓下，其導通電阻為2.7Ω，這有助于減少信號在開關過程中的損失，保證信號的完整性。

高效的隔離度：在1MHz的頻率下，BL1551B的隔離度達到-84dB，這意味著在開關處于關閉狀態(tài)時，信號泄漏非常小，從而確保了良好的信號隔離效果。

寬工作電壓范圍：BL1551B的工作電壓范圍從1.8V到5.5V，這意味著它可以在多種不同的電壓環(huán)境下工作，為設計者提供了更大的靈活性。

  此外，BL1551B的封裝類型為SC-70-6，這有助于實現(xiàn)緊湊的電路設計和高效的熱性能。在實際應用中，BL1551B可廣泛應用于移動電話、便攜式電子設備等領域。其出色的性能參數(shù)和廣泛的應用范圍使得BL1551B在市場上具有一定的競爭力。

  安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷，我們非常榮幸能為您推薦BL1551B這款模擬開關，并提供樣品供您測試，如需更多信息或支持，請隨時聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WNM6012WAS3157B-6/TR 模擬開關/多路復用器 封裝：SOT-363。

ESD5451N：雙向瞬態(tài)電壓保護神

     ESD5451N是一款高效的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，專為保護電子設備免受靜電放電、電氣快速瞬變和雷電等瞬態(tài)電壓侵害而設計。它能承受高達±30kV的接觸和空氣放電，以及峰值脈沖電流達8A（8/20μs），為低速數(shù)據(jù)線和控制線提供強大的保護

    這款抑制器采用DFN1006-2L封裝，具有無鉛和無鹵素等環(huán)保特性。其反向截止電壓為±5VMax，電容典型值為17.5pF，漏電流極低，典型值小于1nA。此外，其低鉗位電壓特性使其在電流脈沖下仍能保持穩(wěn)定的電壓輸出。

    ESD5451N適用于多種應用場景，包括手機、平板電腦、筆記本電腦等便攜式設備，以及網(wǎng)絡通信設備等。其出色的瞬態(tài)電壓抑制能力和穩(wěn)定性，為電子設備提供了可靠的保障。

    安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷，可以提供樣品供您測試。如有關于ESD5451N的進一步問題或需求，請隨時與我們聯(lián)系。我們期待與您合作，為您提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務。

WS3202E：過壓和過流保護IC

產(chǎn)品描述：

WS3202E是一款集過壓保護（OVP）和過流保護（OCP）功能于一體的保護設備。當輸入電壓或輸入電流超過閾值時，該設備會關閉內部MOSFET，斷開IN到OUT的連接，以保護負載。此外，過溫保護（OTP）功能會監(jiān)控芯片溫度，確保設備安全。封裝形式：SOT-23-6L

產(chǎn)品特性：

· 高壓技術

· 輸入電壓：25V

· 輸出上電時間：8ms（典型值）

· OVP閾值：6.1V（典型值）

· OVP響應時間：<1us

· OCP閾值：2A（最小值）

· 輸出放電功能

應用領域：

· GPS設備

· PMP（便攜式媒體播放器）

· MID（移動互聯(lián)網(wǎng)設備）

· PAD（平板電腦）

· 數(shù)碼相機

· 數(shù)字攝像機

     WS3202E是一款功能強大的過壓和過流保護IC，為電子設備提供了雙重安全保障。其高壓技術、快速響應時間和靈活的輸出放電功能使其在各種應用場合中表現(xiàn)出色，特別適用于需要高穩(wěn)定性和可靠性的電子設備，如GPS、PMP、MID、PAD以及數(shù)碼相機和攝像機等。WS3202E采用SOT-23-6L封裝，方便集成到各種電路板中，同時其無鉛和無鹵素特性也符合環(huán)保要求。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WD3100B-6/TR LED驅動 封裝：SC-70-6（SOT-363）。

    ESD5304D是一個專為保護連接到數(shù)據(jù)和傳輸線的敏感電子組件免受靜電放電（ESD）引起的過應力而設計的極低電容瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）陣列。它結合了四對極低電容轉向二極管和一個TVS二極管，旨在提供優(yōu)異的ESD保護。

特性：

· 截止電壓：5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標準的每線瞬態(tài)保護：±20kV（接觸放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4標準的EFT保護：40A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5標準的浪涌保護：4A（8/20μs）

· 極低電容：CJ=0.4pF（典型值）

· 極低漏電流：IR<1nA（典型值）

· 低箝位電壓：VCL=14V（典型值）@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3、HDMI1.4和HDMI2.0

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

    ESD5304D是專為高速數(shù)據(jù)接口設計的瞬態(tài)電壓抑制器，保護接口免受靜電放電和其他瞬態(tài)事件損害。利用先進固態(tài)硅技術，結合極低電容轉向二極管和TVS二極管，提供優(yōu)異保護。能承受±20kV接觸放電和其他瞬態(tài)事件。極低電容和漏電流不影響數(shù)據(jù)傳輸。適用于USB、HDMI、SATA等接口，是電子設備中的關鍵保護組件。小巧封裝且環(huán)保，易于集成。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS742133H-14/TR 音頻功率放大器 封裝：TSSOP-14。代理分銷商WILLSEMI韋爾ESD56381D22

WS4603E-5/TR 功率電子開關 封裝：TSOT-25。中文資料WILLSEMI韋爾WNMD9926

ESD56151Wxx：電源保護新選擇

     ESD56151Wxx雙向瞬態(tài)電壓抑制器，是為現(xiàn)代電子設備中的電源接口設計。它的反向截止電壓范圍是4.5V至5V，有效保護電路免受過高電壓的損害。這款抑制器符合IEC61000-4-5標準，為電路提供強大的浪涌保護，同時遵循IEC61000-4-2標準，提供±30kV的ESD保護。 

     ESD56151Wxx的特點在于其低鉗位電壓設計，能迅速將電壓限制在安全范圍內，減少對敏感電子元件的損害。其采用的固態(tài)硅技術確保了出色的穩(wěn)定性和可靠性，確保在長期使用中仍能保持優(yōu)異的性能。 

     這款ESD適用于各種需要電源保護和管理的應用場景，如便攜式電子設備、通信設備、醫(yī)療設備以及工業(yè)控制系統(tǒng)等。它能從各方面保護電源接口，提高設備穩(wěn)定性和可靠性，延長使用壽命，降低維修和更換成本。 

     安美斯科技專注于國產(chǎn)電子元器件代理分銷。我們非常榮幸能為您推薦ESD56151Wxx這款ESD，并愿意提供樣品供您測試。如需更多信息或技術支持，請隨時聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNMD9926