代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2836D

     WNM6002是一種N型增強型MOS場效應晶體管，利用先進的溝槽和電荷控制設計，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷。這款器件適用于電源開關、負載開關和充電電路。標準產品WNM6002為無鉛且不含鹵素。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術

· 超高密度單元設計

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導通電阻

· 極低的閾值電壓

應用領域：

· 繼電器、電磁鐵、電機、LED等的驅動

· DC-DC轉換器電路

· 電源開關

· 負載開關

· 充電電路

    WNM6002N型增強型MOS場效應晶體管是一種高性能、高效能的半導體器件，專為現(xiàn)代電子設備中的電源管理和開關應用而設計。其采用先進的溝槽技術和電荷控制設計，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設計使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導通電阻，確保了高效的能量轉換和散熱。同時，極低的閾值電壓保證了快速的開關響應和穩(wěn)定的性能。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 ESD5305F-6/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOT-23-6。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2836D

    ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子組件提供高水平的保護。它被設計用于替代多層變阻器（MLV），并廣泛應用于消費設備，如手機、筆記本電腦、平板電腦、機頂盒、LCD電視等。

特性：

· 極低電容：CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術

· 根據IEC61000-4-2標準，每條線提供±20kV（接觸和空氣放電）的瞬態(tài)保護

· 根據IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據IEC61000-4-5標準，可承受4A（8/20μs）的浪涌電流

應用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉向二極管和一個TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護，使其免受靜電放電的損害。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比，ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流，以及更低的箝位電壓，從而提供了更好的性能。此外，其固態(tài)硅技術確保了高效、可靠的電源保護。無論是用于USB、HDMI、SATA還是其他接口，ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設備提供堅實的ESD防護屏障。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 中文資料WILLSEMI韋爾WNM3062AWPM1481-6/TR 場效應管(MOSFET) 封裝：DFN-6L(2x2)。

WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產品，不含鉛和鹵素。

· 快速開關和低正向電壓降

· 反向阻斷

應用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設備保護

    總之，WSB5546N是一款具有低反向電流、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管。它為各種應用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點。肖特基二極管具有快速開關能力和低正向電壓降，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此，WSB5546N結合了這些特點，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。

    ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為保護連接到電源線、低速數據線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應力影響而設計。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據IEC61000-4-2標準，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

· 根據IEC61000-4-4標準，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據IEC61000-4-5標準，提供10A（8/20μs）的浪涌保護

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時，典型值為8V。

· 固態(tài)硅技術

應用：

· 手機

· 計算機和外設：為計算機主板、顯示器、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電、電氣瞬變等過應力而設計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色，封裝緊湊，環(huán)保特性強，廣泛應用于手機、計算機和便攜式設備，確保設備穩(wěn)定運行和數據安全。如需詳細信息，請查閱數據手冊或聯(lián)系我們。 WS4612EAA-5/TR 模擬開關/多路復用器 封裝：SOT-23-5L。

    WL2801E系列是一款高精度、低噪聲、高速、低壓差CMOS線性穩(wěn)壓器，具有優(yōu)異的紋波抑制能力。該系列為手機、筆記本電腦和其他便攜式設備提供了經濟高效的新一代性能。其電流限制器的折回電路不止作為短路保護，還在輸出引腳處作為輸出電流限制器。

產品特點：

· 輸入電壓范圍：2.7V至5.5V

· 輸出電壓范圍：1.2V至3.3V

· 輸出電流：在輸出電壓小于2V時，典型值為200mA；在輸出電壓大于2V時，典型值為300mA。

· 電源抑制比（PSRR）：在217Hz時達到75dB

· 壓差電壓：在輸出電流為200mA時，壓差為170mV

· 靜態(tài)電流：典型值為70μA

· 關斷電流：小于0.1μA

· 推薦電容器：1uF

應用領域：

· MP3/MP4播放器

· 手機和無線電話

· 數碼相機

· 藍牙和無線手持設備

· 其他便攜式電子設備

    WL2801E系列以其高精度、低噪聲和高效能的特點，為現(xiàn)代便攜式設備提供了理想的電源管理解決方案。無論是手機、筆記本電腦還是MP3播放器，它都能確保設備在長時間使用中保持出色的性能和穩(wěn)定的電力供應。如需更詳細的信息或技術規(guī)格，請查閱相關的數據手冊或聯(lián)系我們。 ESD73034D-10/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN2510-10。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WL2805N

WD3139F-6/TR LED驅動 封裝：TSOT-23-6。代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2836D

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。它特別設計用于保護連接到電源線、低速數據線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應力影響。根據IEC61000-4-2標準，ESD5471X可用于提供高達±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護，并根據IEC61000-4-5標準承受高達6A的峰值脈沖電流（8/20μs）。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標準產品為無鉛且無鹵素。

產品特性：

反向截止電壓：±5V

根據IEC61000-4-2（ESD）標準，每條線路的瞬態(tài)保護：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術

應用領域：

手機

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設備

網絡通信設備

     ESD5471X是專為保護敏感電子組件設計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應力。其優(yōu)越的保護能力和低漏電流特性使其成為手機、平板、筆記本等便攜式設備及網絡通信設備的理想保護元件。采用固態(tài)硅技術，既高性能又緊湊，方便集成。詳情請查閱數據手冊或聯(lián)系我們。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WL2836D

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