河北鍵合機(jī)試用

EVG?301單晶圓清洗系統(tǒng)，屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG301半自動(dòng)化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個(gè)清洗站，該清洗站使用標(biāo)準(zhǔn)的去離子水沖洗以及超音速，毛刷和稀釋化學(xué)藥品作為附加清洗選項(xiàng)來清洗晶片。EVG301具有手動(dòng)加載和預(yù)對(duì)準(zhǔn)功能，是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng)，適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對(duì)準(zhǔn)和鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用，以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉(zhuǎn)夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸，從而可以輕松設(shè)置不同的工藝。Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB，讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行晶圓對(duì)準(zhǔn)。河北鍵合機(jī)試用

鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個(gè)雙面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS技術(shù)，并通過分離對(duì)準(zhǔn)和鍵合工藝在對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性以及模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對(duì)準(zhǔn)器的精度可滿足蕞苛刻的對(duì)準(zhǔn)過程。包含以下的型號(hào)：EVG610BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG620BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG6200BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；西藏SOI鍵合機(jī)EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。

長(zhǎng)久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)**。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或gao級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。

EVG?850TB 自動(dòng)化臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 全自動(dòng)將臨時(shí)晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動(dòng)的臨時(shí)鍵合系統(tǒng)可在一個(gè)自動(dòng)化工具中實(shí)現(xiàn)整個(gè)臨時(shí)鍵合過程-從臨時(shí)鍵合劑的施加，烘焙，將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對(duì)準(zhǔn)和鍵合開始。與所有EVG的全自動(dòng)工具一樣，設(shè)備布局是模塊化的，這意味著可以根據(jù)特定過程對(duì)吞吐量進(jìn)行優(yōu)化?？蛇x的在線計(jì)量模塊允許通過反饋回路進(jìn)行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺(tái)，因此可以使用不同類型的臨時(shí)鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶。晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）EVG?510 ，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ；擁有EVG?501 鍵合機(jī)所有功能。

針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對(duì)象，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺(tái)與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題。高低溫循環(huán)測(cè)試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí)，具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn)。EVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。EVG560鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

EVG鍵合機(jī)也可以通過添加電源來執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。河北鍵合機(jī)試用

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大。康興華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。河北鍵合機(jī)試用