山西EVG鍵合機(jī)

來源: 發(fā)布時間:2024-09-13

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,每個平臺針對不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準(zhǔn)精度的應(yīng)用,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū)。特征:在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),N&P堆棧,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑(基板尺寸):200、300毫米ZUI高數(shù)量或過程模塊8通量每小時ZUI多40個晶圓處理系統(tǒng)4個裝載口特征:多達(dá)八個預(yù)處理模塊,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,對準(zhǔn)驗證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過EFEM(設(shè)備前端模塊)實現(xiàn)ZUI高吞吐量光學(xué)邊緣對準(zhǔn)模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ 晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS,擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能;200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng)。山西EVG鍵合機(jī)

山西EVG鍵合機(jī),鍵合機(jī)

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究,以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量,以微裝配平臺與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度,使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火,解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,環(huán)境要求苛刻等問題。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時,具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點。EVG鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用EVG鍵合機(jī)提供的加工服務(wù)。

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引線鍵合主要用于幾乎所有類型的半導(dǎo)體中,這是因為其成本效率高且易于應(yīng)用。在ZUI佳環(huán)境中,每秒ZUI多可以創(chuàng)建10個鍵。該方法因所用每種金屬的元素性質(zhì)不同而略有不同。通常使用的兩種引線鍵合是球形鍵合和楔形鍵合。盡管球形鍵合的ZUI佳選擇是純金,但由于銅的相對成本和可獲得性,銅已成為一種流行的替代方法。此過程需要一個類似于裁縫的針狀裝置,以便在施加極高電壓的同時將電線固定在適當(dāng)?shù)奈恢?。沿表面的張力使熔融金屬形成球形,因此得名。?dāng)銅用于球焊時,氮氣以氣態(tài)形式使用,以防止在引線鍵合過程中形成氧化銅。 

業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮。采用哪種黏合工藝取決于應(yīng)用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗,擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工,同時,GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。根據(jù)型號和加熱器尺寸,EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā),并且可以通過簡單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),因為鍵合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。 晶圓級涂層、封裝,工程襯底知造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。

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晶圓級封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進(jìn)行測試之前應(yīng)用封裝和引線,而是用于集成多個步驟。在晶片切割之前,將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見的組件封裝類型一樣,用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球,將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面。晶圓級組件通??梢耘c其他表面貼裝設(shè)備類似地使用。例如,它們通??梢栽诰韼C(jī)上購買,以用于稱為拾取和放置機(jī)器的自動化組件放置系統(tǒng)。 晶圓級涂層、封裝,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,如SOI(絕緣體上硅)。EVG鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用

EVG501鍵合機(jī):桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄。山西EVG鍵合機(jī)

EVG501晶圓鍵合機(jī),先進(jìn)封裝,TSV,微流控加工?;竟δ埽河糜趯W(xué)術(shù)和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合系統(tǒng)。適用于:微流體芯片,半導(dǎo)體器件處理,MEMS制造,TSV制作,晶圓先進(jìn)封裝等。一、簡介:EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),可處理從單芯片到150mm(200mm鍵合室的情況下為200mm)的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,玻璃料,焊料,共晶,瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計,讓用戶能快速,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘。這種多功能性適合大學(xué),研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計在EVG的HVM(量產(chǎn))工具上是相同的,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。二、特征:帶有150mm或200mm加熱器的鍵合室獨特的壓力和溫度均勻性與EVG的機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器兼容靈活的設(shè)計和研究配置從單芯片到晶圓各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合)可選渦輪泵(<1E-5mbar)可升級陽極鍵合開放式腔室設(shè)計,便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)試生產(chǎn)需求:同類產(chǎn)品中比較低擁有成本開放式腔室設(shè)計,便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)ZUI小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng)程序與EVGHVM鍵合系統(tǒng)完全兼容。三、參數(shù):ZUI大鍵合力:20kN,加熱器尺寸:150mm。山西EVG鍵合機(jī)