河南鍵合機(jī)美元價(jià)格

GEMINI ® FB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺(tái)可實(shí)現(xiàn)高精度對(duì)準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn)，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)度和覆蓋精度，適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器，該鍵合對(duì)準(zhǔn)器是專(zhuān)門(mén)為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開(kāi)發(fā)的。EVG鍵合可選功能：陽(yáng)極，UV固化，650℃加熱器。河南鍵合機(jī)美元價(jià)格

EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）50-200、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）真空系統(tǒng)：9x10-2mbar腔室的打開(kāi)/關(guān)閉：自動(dòng)化腔室的加載/卸載：手動(dòng)（將晶圓/基板放置在加載銷(xiāo)上）可選功能：卡盤(pán)適用于不同的晶圓尺寸無(wú)金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)Si：Si/Si，Si/Si（熱氧化，Si（熱氧化）/Si（熱氧化）TEOS/TEOS（熱氧化）絕緣體鍺（GeOI）的Si/GeSi/Si3N4玻璃（無(wú)堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃化合物半導(dǎo)體：GaAs，GaP，InP聚合物：PMMA，環(huán)烯烴聚合物用戶可以使用上述和其他材料的“ZUI佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）微流控鍵合機(jī)售后服務(wù)EVG鍵合機(jī)鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過(guò)控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程。也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)li溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。 

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝，如陽(yáng)極，玻璃料，焊料，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì)，讓用戶能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM（量產(chǎn)）工具上是相同的，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移，這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。 EVG服務(wù)：高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合、集體D2W鍵合、臨時(shí)鍵合和熱、混合鍵合、機(jī)械或者激光剖離、黏合劑鍵合。

EVG®520IS晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：?jiǎn)吻换螂p腔晶圓鍵合系統(tǒng)，用于小批量生產(chǎn)。EVG520IS單腔單元可半自動(dòng)操作ZUI大200mm的晶圓，適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用。EVG520IS根據(jù)客戶反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)行了重新設(shè)計(jì)，具有EVGroup專(zhuān)有的對(duì)稱快速加熱和冷卻卡盤(pán)設(shè)計(jì)。諸如獨(dú)LI的頂側(cè)和底側(cè)加熱器，高壓鍵合能力以及與手動(dòng)系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢(shì)，為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻(xiàn)。特征：全自動(dòng)處理，手動(dòng)裝卸，包括外部冷卻站兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器單室或雙室自動(dòng)化系統(tǒng)全自動(dòng)的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動(dòng)集成式冷卻站可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量選項(xiàng)：高真空能力（1E-6毫巴）可編程質(zhì)量流量控制器集成冷卻技術(shù)數(shù)據(jù)ZUI大接觸力10、20、60、100kN加熱器尺寸150毫米200毫米ZUI小基板尺寸單芯片100毫米真空標(biāo)準(zhǔn)：1E-5mbar可選：1E-6mbar EVG鍵合機(jī)軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì)，注重用戶友好性，可輕松引導(dǎo)操作員完成每個(gè)流程步驟。江西EVG540鍵合機(jī)

EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的zhuyao市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套。河南鍵合機(jī)美元價(jià)格

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開(kāi)研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。 河南鍵合機(jī)美元價(jià)格