陜西RF濾波器鍵合機(jī)

ZiptronixInc.與EVGroup（簡(jiǎn)稱(chēng)“EVG”）近日宣布已成功地在客戶(hù)提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路，包括堆棧存儲(chǔ)器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制，只需要可進(jìn)行測(cè)量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具，而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過(guò)優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度，此對(duì)準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?！?nbsp;EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對(duì)應(yīng)，鍵合方法一般分類(lèi)頁(yè)是有或沒(méi)有夾層的鍵合操作。陜西RF濾波器鍵合機(jī)

根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn)、研發(fā)，并且可以通過(guò)簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn)，因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空，快速加熱和冷卻。通過(guò)控制溫度，壓力，時(shí)間和氣體，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程。也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)力溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下，可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。 湖北鍵合機(jī)圖像傳感器應(yīng)用EVG501晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)醉高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購(gòu)置成本。

焊使用工具將導(dǎo)線(xiàn)施加到微芯片上時(shí)對(duì)其產(chǎn)生壓力。將導(dǎo)線(xiàn)牢固地固定到位后，將超聲波能量施加到表面上，并在多個(gè)區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時(shí)間幾乎是類(lèi)似球形鍵合所需時(shí)間的兩倍，但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來(lái)完成。不建議業(yè)余愛(ài)好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進(jìn)行球焊或楔焊，因?yàn)楹妇€(xiàn)的敏感性和損壞電路的風(fēng)險(xiǎn)。已開(kāi)發(fā)的技術(shù)使這兩個(gè)過(guò)程都可以完全自動(dòng)化，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€(xiàn)鍵合。蕞終結(jié)果是實(shí)現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線(xiàn)鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。 

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時(shí)甚至可以達(dá)到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時(shí)將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點(diǎn)的溫度，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來(lái)的雜質(zhì)對(duì)于金硅二相系的形成有很大的影響。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點(diǎn)。EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)可以通過(guò)遠(yuǎn)程進(jìn)行通信。

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開(kāi)室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），其他清潔介質(zhì)（可選）旋轉(zhuǎn)卡盤(pán)：真空卡盤(pán)（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤(pán)（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）超音速?lài)娮祛l率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：?4.0mm材質(zhì)：聚四氟乙烯兆聲區(qū)域傳感器頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石刷子材質(zhì)：PVA可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）可調(diào)參數(shù)（刷壓縮，介質(zhì)分配） LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB等離子基活，用于PAWB（等離子基活的晶圓鍵合）。湖北鍵合機(jī)圖像傳感器應(yīng)用

EVG鍵合機(jī)軟件，支持多語(yǔ)言，集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶(hù)帳戶(hù)設(shè)置，這樣可以簡(jiǎn)化用戶(hù)常規(guī)操作。陜西RF濾波器鍵合機(jī)

Smart View NT鍵合機(jī)特征 適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560®，GEMINI ® 200和300mm配置） 用于3D互連，晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對(duì)準(zhǔn)器（面對(duì)面，背面，紅外和透明對(duì)準(zhǔn)） 無(wú)需Z軸運(yùn)動(dòng)，也無(wú)需重新聚焦 基于Windows的用戶(hù)界面 將鍵對(duì)對(duì)準(zhǔn)并夾緊，然后再裝入鍵合室手動(dòng)或全自動(dòng)配置（例如：在GEMINI系統(tǒng)上集成） Smart View ® NT選件 可以與EVG組合® 500系列晶圓鍵合系統(tǒng)，EVG ® 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ®有帶盒對(duì)盒操作完全自動(dòng)化的晶圓到晶圓對(duì)準(zhǔn)動(dòng)作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：150-200、200-300毫米 厚度：0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 標(biāo)準(zhǔn) 處理系統(tǒng) 3個(gè)紙盒站（蕞/大200毫米）或2個(gè)FOUP加載端口（300毫米）陜西RF濾波器鍵合機(jī)