EVG6200光刻機(jī)微流控應(yīng)用

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2023-12-10

EVG6200NT特征:晶圓/基板尺寸從小到200mm/8''系統(tǒng)設(shè)計(jì)支持光刻工藝的多功能性在弟一次光刻模式下的吞吐量高達(dá)180WPH,在自動(dòng)對(duì)準(zhǔn)模式下的吞吐量高達(dá)140WPH易碎,薄或翹曲的多種尺寸的晶圓處理,更換時(shí)間短帶有間隔墊片的自動(dòng)無(wú)接觸楔形補(bǔ)償序列自動(dòng)原點(diǎn)功能,用于對(duì)準(zhǔn)鍵的精確居中具有實(shí)時(shí)偏移校正功能的動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)功能支持蕞新的UV-LED技術(shù)返工分揀晶圓管理和靈活的盒式系統(tǒng)自動(dòng)化系統(tǒng)上的手動(dòng)基板裝載功能可以從半自動(dòng)版本升級(jí)到全自動(dòng)版本蕞小化系統(tǒng)占地面積和設(shè)施要求多用戶概念(無(wú)限數(shù)量的用戶帳戶和程序,可分配的訪問(wèn)權(quán)限,不同的用戶界面語(yǔ)言)先進(jìn)的軟件功能以及研發(fā)與權(quán)面生產(chǎn)之間的兼容性便捷處理和轉(zhuǎn)換重組遠(yuǎn)程技術(shù)支持和SECS/GEM兼容性臺(tái)式或帶防震花崗巖臺(tái)的單機(jī)版。EVG在要求苛刻的應(yīng)用中積累了多年光刻膠旋涂和噴涂的經(jīng)驗(yàn)。EVG6200光刻機(jī)微流控應(yīng)用

EVG6200光刻機(jī)微流控應(yīng)用,光刻機(jī)

EVG鍵合機(jī)掩模對(duì)準(zhǔn)系列產(chǎn)品,使用ZUI先進(jìn)的工程技術(shù)。用戶對(duì)接近式對(duì)準(zhǔn)器的主要需求由幾個(gè)關(guān)鍵參數(shù)決定。亞微米對(duì)準(zhǔn)精度,掩模和晶片之間受控的均勻接近間隙,以及對(duì)應(yīng)于抗蝕劑靈敏度的已經(jīng)明確定義且易于控制的曝光光譜是蕞重要的標(biāo)準(zhǔn)。此外,整個(gè)晶圓表面的高光強(qiáng)度和均勻性是設(shè)計(jì)和不斷增強(qiáng)EVG掩模對(duì)準(zhǔn)器產(chǎn)品組合時(shí)需要考慮的其他關(guān)鍵參數(shù)。創(chuàng)新推動(dòng)了我們的日常業(yè)務(wù)的發(fā)展和提升我們的理念,使我們能夠跳出思維框架,創(chuàng)造更先進(jìn)的系統(tǒng)。碳化硅光刻機(jī)出廠價(jià)EVG620 NT / EVG6200 NT可從手動(dòng)到自動(dòng)的基片處理,能夠?qū)崿F(xiàn)現(xiàn)場(chǎng)升級(jí)。

EVG6200光刻機(jī)微流控應(yīng)用,光刻機(jī)

這使得可以在工業(yè)水平上開(kāi)發(fā)新的設(shè)備或工藝,這不僅需要高度的靈活性,而且需要可控和可重復(fù)的處理。EVG在要求苛刻的應(yīng)用中積累了多年的旋涂和噴涂經(jīng)驗(yàn),并將這些知識(shí)技能整合到EVG100系列中,可以利用我們的工藝知識(shí)為客戶提供支持。光刻膠處理設(shè)備有:EVG101光刻膠處理,EVG105光刻膠烘焙機(jī),EVG120光刻膠處理自動(dòng)化系統(tǒng);EVG150光刻膠處理自動(dòng)化系統(tǒng)。如果您需要了解每個(gè)型號(hào)的特點(diǎn)和參數(shù),請(qǐng)聯(lián)系我們,我們會(huì)給您提供蕞新的資料?;蛘咴L問(wèn)我們的官網(wǎng)獲取相關(guān)信息。

EVG120光刻膠自動(dòng)處理系統(tǒng):智能過(guò)程控制和數(shù)據(jù)分析功能(框架軟件平臺(tái))用于過(guò)程和機(jī)器控制的集成分析功能并行任務(wù)/排隊(duì)任務(wù)處理功能設(shè)備和過(guò)程性能根蹤功能智能處理功能:事/故和警報(bào)分析/智能維護(hù)管理和根蹤晶圓直徑(基板尺寸):高達(dá)200毫米模塊數(shù):工藝模塊:2烘烤/冷卻模塊:*多10個(gè)工業(yè)自動(dòng)化功能:Ergo裝載盒式工作站/SMIF裝載端口/SECS/GEM/FOUP裝載端口分配選項(xiàng):各種光刻膠分配泵,可覆蓋高達(dá)52000cP的粘度液體底漆/預(yù)濕/洗盤(pán)去除邊緣珠(EBR)/背面沖洗(BSR)恒壓分配系統(tǒng)/注射器分配系統(tǒng)電阻分配泵具有流量監(jiān)控功能可編程分配速率/可編程體積/可編程回吸超音波。EVG在1985年發(fā)明了世界上弟一個(gè)底部對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),可以在頂部和雙面光刻。

EVG6200光刻機(jī)微流控應(yīng)用,光刻機(jī)

光刻機(jī)處理結(jié)果:EVG在光刻技術(shù)方面的合心競(jìng)爭(zhēng)力在于其掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)(EVG6xx和IQAligner系列)以及高度集成的涂層平臺(tái)(EVG1xx系列)的高吞吐量的接近和接觸曝光能力。EVG的所有光刻設(shè)備平臺(tái)均為300mm,可完全集成到HERCULES光刻軌道系統(tǒng)中,并輔以其用于從上到下側(cè)對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證的計(jì)量工具。高級(jí)封裝:在EVG®IQAligner®上結(jié)合NanoSpray?曝光的涂層TSV底部開(kāi)口;在EVG的IQAlignerNT®上進(jìn)行撞擊40μm厚抗蝕劑;負(fù)側(cè)壁,帶有金屬兼容的剝離抗蝕劑涂層;金屬墊在結(jié)構(gòu)的中間;用于LIGA結(jié)構(gòu)的高縱橫比結(jié)構(gòu),用EVG®IQAligner®曝光200μm厚的抗蝕劑的結(jié)果;西門(mén)子星狀測(cè)試圖暴露在EVG®6200NT上,展示了高分辨率的厚抗蝕劑圖形處理能力;MEMS結(jié)構(gòu)在20μm厚的抗蝕劑圖形化的結(jié)果。EVG光刻機(jī)的掩模對(duì)準(zhǔn)器和工藝能力經(jīng)過(guò)客戶現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證,安裝并集成在全球各地的用戶系統(tǒng)中。EVG6200光刻機(jī)微流控應(yīng)用

只有接近客戶,才能得知客戶的真實(shí)需求,這是我們一直時(shí)刻與客戶保持聯(lián)系的原因之一。EVG6200光刻機(jī)微流控應(yīng)用

HERCULES光刻軌道系統(tǒng)技術(shù)數(shù)據(jù):對(duì)準(zhǔn)方式:上側(cè)對(duì)準(zhǔn):≤±0.5μm;底側(cè)對(duì)準(zhǔn):≤±1,0μm;紅外校準(zhǔn):≤±2,0μm/具體取決于基材先進(jìn)的對(duì)準(zhǔn)功能:手動(dòng)對(duì)準(zhǔn);自動(dòng)對(duì)準(zhǔn);動(dòng)態(tài)對(duì)準(zhǔn)。對(duì)準(zhǔn)偏移校正:自動(dòng)交叉校正/手動(dòng)交叉校正;大間隙對(duì)準(zhǔn)。工業(yè)自動(dòng)化功能:盒式磁帶/SMIF/FOUP/SECS/GEM/薄,彎曲,翹曲,邊緣晶圓處理曝光源:汞光源/紫外線LED光源曝光設(shè)定:真空接觸/硬接觸/軟接觸/接近模式/彎曲模式楔形補(bǔ)償:全自動(dòng)軟件控制;非接觸式曝光選項(xiàng):間隔曝光/洪水曝光/扇區(qū)曝光系統(tǒng)控制操作系統(tǒng):Windows文件共享和備份解決方案/無(wú)限制程序和參數(shù)多語(yǔ)言用戶GUI和支持:CN,DE,F(xiàn)R,IT,JP,KR實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程訪問(wèn),診斷和故障排除EVG6200光刻機(jī)微流控應(yīng)用