MEMS鍵合機(jī)國(guó)內(nèi)代理

EVG®850鍵合機(jī) EVG®850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作 無(wú)污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對(duì)準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口 對(duì)準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：ZUI高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)），超音速噴嘴，超音速面積傳感器，噴嘴，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（ZUI大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：ZUI高3000rpm（5s）EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的zhuyao市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套。MEMS鍵合機(jī)國(guó)內(nèi)代理

鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個(gè)雙面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明，EVG革新了MEMS技術(shù)，并通過(guò)分離對(duì)準(zhǔn)和鍵合工藝在對(duì)準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性。EVG的鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度，靈活性和易用性以及模塊化升級(jí)功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對(duì)準(zhǔn)器的精度可滿足蕞苛刻的對(duì)準(zhǔn)過(guò)程。包含以下的型號(hào)：EVG610BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG620BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG6200BA鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)；晶片鍵合機(jī)國(guó)內(nèi)用戶在不需重新配置硬件的情況下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。

一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具，以便于視覺隔離。典型的目標(biāo)是在100萬(wàn)個(gè)管芯中，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的。還需要考慮其他因素，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為了稍微簡(jiǎn)化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法，不對(duì)邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本。半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī)。

什么是YONG久鍵合系統(tǒng)呢？EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對(duì)準(zhǔn)與鍵合步驟分離開來(lái)，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場(chǎng)GEMING。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準(zhǔn)，EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500個(gè)。EVG的晶圓鍵合機(jī)可提供ZUI佳的總擁有成本（TCO），并具有多種設(shè)計(jì)功能，可優(yōu)化鍵合良率。針對(duì)MEMS，3D集成或高級(jí)封裝的不同市場(chǎng)需求，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)模塊。下面是EVG的鍵合機(jī)EVG500系列介紹。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套。

焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時(shí)對(duì)其產(chǎn)生壓力。將導(dǎo)線牢固地固定到位后，將超聲波能量施加到表面上，并在多個(gè)區(qū)域中建立牢固的結(jié)合。楔形鍵合所需的時(shí)間幾乎是類似球形鍵合所需時(shí)間的兩倍，但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來(lái)完成。不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進(jìn)行球焊或楔焊，因?yàn)楹妇€的敏感性和損壞電路的風(fēng)險(xiǎn)。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個(gè)過(guò)程都可以完全自動(dòng)化，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合。蕞終結(jié)果是實(shí)現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久。我們?cè)诓恍柚匦屡渲糜布那闆r下，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。中國(guó)臺(tái)灣鍵合機(jī)有誰(shuí)在用

EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng)，擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn)，并擁有更高的生產(chǎn)率，更高的對(duì)準(zhǔn)和涂敷精度。MEMS鍵合機(jī)國(guó)內(nèi)代理

Abouie M 等人［4］針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大?？蹬d華等人［5］加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝，故其鍵合工藝限制較大。MEMS鍵合機(jī)國(guó)內(nèi)代理

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司是以提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x內(nèi)的多項(xiàng)綜合服務(wù)，為消費(fèi)者多方位提供半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x，公司成立于2002-02-07，旗下EVG,Filmetrics,MicroSense,Herz,Film Sense,Polyteknik,4D,Nanotronics,Subnano,Bruker,FSM,SHB,ThetaMetrisi，已經(jīng)具有一定的業(yè)內(nèi)水平。岱美中國(guó)以半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x為主業(yè)，服務(wù)于儀器儀表等領(lǐng)域，為全國(guó)客戶提供先進(jìn)半導(dǎo)體工藝設(shè)備，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x。多年來(lái)，已經(jīng)為我國(guó)儀器儀表行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟(jì)等的發(fā)展做出了重要貢獻(xiàn)。