3D IC鍵合機芯片堆疊應用

EVG®620BA自動鍵合對準系統(tǒng)：用于晶圓間對準的自動鍵合對準系統(tǒng)，用于研究和試生產(chǎn)。EVG620鍵合對準系統(tǒng)以其高度的自動化和可靠性而聞名，專為ZUI大150mm晶圓尺寸的晶圓間對準而設計。EVGroup的鍵合對準系統(tǒng)具有ZUI高的精度，靈活性和易用性，以及模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進行了認證。EVG的鍵對準系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應用等新興領域中ZUI苛刻的對準過程。特征：ZUI適合EVG®501，EVG®510和EVG®520是鍵合系統(tǒng)。支持ZUI大150mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵對準。手動或電動對準臺。全電動高份辨率底面顯微鏡?；赪indows的用戶界面。在不同晶圓尺寸和不同鍵合應用之間快速更換工具。旋涂模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB用于在晶圓鍵合之前施加粘合劑層。3D IC鍵合機芯片堆疊應用

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術進行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量，高產(chǎn)量環(huán)境中運行盒到盒的自動操作（錯誤加載，SMIF或FOUP）無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機械平整或缺口對準的預鍵合先進的遠程診斷技術數(shù)據(jù)：晶圓直徑（基板尺寸）100-200、150-300毫米全自動盒帶到盒帶操作預鍵合室對準類型：平面到平面或凹口到凹口對準精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1°結合力：ZUI高5N鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標準）和9x10-3mbar（渦輪泵選件）絕緣體上的硅鍵合機有哪些品牌EMINI FB XT適用于諸如存儲器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC），背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應用。

EVG®850TB 自動化臨時鍵合系統(tǒng) 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術數(shù)據(jù) 全自動的臨時鍵合系統(tǒng)可在一個自動化工具中實現(xiàn)整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加，烘焙，將設備晶圓與載體晶圓的對準和鍵合開始。與所有EVG的全自動工具一樣，設備布局是模塊化的，這意味著可以根據(jù)特定過程對吞吐量進行優(yōu)化?？蛇x的在線計量模塊允許通過反饋回路進行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺，因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶。

1)由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結果可以看出，該鍵合工藝在滿足實際應用所需鍵合強度的同時，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高、對環(huán)境要求苛刻的問題。2)由高低溫循環(huán)測試結果可以看出，該鍵合工藝可以適應復雜的實際應用環(huán)境，且具有工藝溫度低，容易實現(xiàn)圖形化，應力匹配度高等優(yōu)點。3)由破壞性試驗結果可以看出，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想，還需對工藝流程進一步優(yōu)化，對工藝參數(shù)進行改進，以期達到更高的鍵合強度與鍵合率。EVG鍵合機晶圓鍵合類型有：陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合等多類型。

對準晶圓鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝，工程襯底zhizao，晶圓級3D集成和晶圓減薄方面很有用的技術。反過來，這些工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長。這些工藝也能用于制造工程襯底，例如SOI（絕緣體上硅）。 主流鍵合工藝為：黏合劑，陽極，直接/熔融，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴散/熱壓縮。采用哪種鍵合工藝取決于應用。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。 鍵合機廠家EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經(jīng)驗，擁有累計2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗的員工。同時，EVG的GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標準。EVG501 晶圓鍵合機系統(tǒng)：真正的低強度晶圓楔形補償系統(tǒng)，可實現(xiàn)ZUI高產(chǎn)量；研發(fā)和試生產(chǎn)的醉低購置成本。絕緣體上的硅鍵合機有哪些品牌

EVG鍵合機的特征有：壓力高達100 kN、基底高達200mm、溫度高達550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar。3D IC鍵合機芯片堆疊應用

EVGroup開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術，通過消除與掩模相關的困難和成本，滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設備與快速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴展的解決方案，可同時進行裸片和晶圓級設計，支持現(xiàn)有材料和新材料，并以高可靠性提供高速適應性，并具有多級冗余功能，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求，而且還滿足MEMS，生物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求。3D IC鍵合機芯片堆疊應用

岱美儀器技術服務（上海）有限公司是我國半導體工藝設備，半導體測量設備，光刻機 鍵合機，膜厚測量儀專業(yè)化較早的其他有限責任公司之一，岱美中國是我國儀器儀表技術的研究和標準制定的重要參與者和貢獻者。岱美中國致力于構建儀器儀表自主創(chuàng)新的競爭力，多年來，已經(jīng)為我國儀器儀表行業(yè)生產(chǎn)、經(jīng)濟等的發(fā)展做出了重要貢獻。