熔融鍵合鍵合機聯(lián)系電話

來源: 發(fā)布時間:2023-05-29

鍵合機特征 高真空,對準,共價鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合,包括金屬(鋁) 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數(shù)據 真空度 處理:<7E-8mbar 處理:<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊:蕞小3個,蕞/大6個 加載:手動,卡帶,EFEM 可選的過程模塊: 鍵合模塊 ComBond®基活模塊(CAM) 烘烤模塊 真空對準模塊(VAM) 晶圓直徑 高達200毫米EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產系統(tǒng),同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能。熔融鍵合鍵合機聯(lián)系電話

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從表面上看,“引線鍵合”似乎只是焊接的另一個術語,但由于涉及更多的變量,因此該過程實際上要復雜得多。為了將各種組件長久地連接在一起,在電子設備上執(zhí)行引線鍵合過程,但是由于項目的精致性,由于它們的導電性和相對鍵合溫度,通常jin應用金,鋁和銅。通過使用球形鍵合或楔形鍵合可完成此方法結合了低熱量,超聲波能量和微量壓力的技術,可避免損壞電子電路。如果執(zhí)行不當,很容易損壞微芯片或相應的焊盤,因此強烈建議在以前損壞或一次性使用的芯片上進行練習,然后再嘗試進行引線鍵合。CMOS鍵合機三維芯片應用EVG鍵合機頂部和底部晶片的獨li溫度控制補償了不同的熱膨脹系數(shù),實現(xiàn)無應力鍵合和出色的溫度均勻性。

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半導體晶圓(晶片)的直徑為4到10英寸(10.16到25.4厘米)的圓盤,在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正(P)型半導體或負(N)型半導體的臨時形式。硅晶片是非常常見的半導體晶片,因為硅是當夏流行的半導體,這是由于其在地球上的大量供應。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果,它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃,以用于切割或切割單個裸片或方形子組件,這些單個裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導體材料或多達整個電路,例如集成電路計算機處理器。

該技術用于封裝敏感的電子組件,以保護它們免受損壞,污染,濕氣和氧化或其他不良化學反應。陽極鍵合尤其與微機電系統(tǒng)(MEMS)行業(yè)相關聯(lián),在該行業(yè)中,陽極鍵合用于保護諸如微傳感器的設備。陽極鍵合的主要優(yōu)點是,它可以產生牢固而持久的鍵合,而無需粘合劑或過高的溫度,而這是將組件融合在一起所需要的。陽極鍵合的主要缺點是可以鍵合的材料范圍有限,并且材料組合還存在其他限制,因為它們需要具有類似的熱膨脹率系數(shù)-也就是說,它們在加熱時需要以相似的速率膨脹,否則差異膨脹可能會導致應變和翹曲。而EVG的鍵合機所提供的技術能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,如果需要了解,請點擊:鍵合機。EVG鍵合機晶圓鍵合類型有:陽極鍵合、瞬間液相鍵合、共熔鍵合、黏合劑鍵合、熱壓鍵合等多類型。

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EVG®850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統(tǒng) 用途:自動化生產鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數(shù)據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查-。因此,經過實踐檢驗的行業(yè)標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,高產量生產工藝。EVG鍵合機可使用適合每個通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝。貴州EVG805鍵合機

鍵合機供應商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機制造經驗,擁有累計2000多年晶圓鍵合經驗的員工。熔融鍵合鍵合機聯(lián)系電話

EVG®301單晶圓清洗系統(tǒng),屬于研發(fā)型單晶圓清洗系統(tǒng)。 技術數(shù)據 EVG301半自動化單晶片清洗系統(tǒng)采用一個清洗站,該清洗站使用標準的去離子水沖洗以及超音速,毛刷和稀釋化學藥品作為附加清洗選項來清洗晶片。EVG301具有手動加載和預對準功能,是一種多功能的研發(fā)型系統(tǒng),適用于靈活的清潔程序和300mm的能力。EVG301系統(tǒng)可與EVG的晶圓對準和鍵合系統(tǒng)結合使用,以消除晶圓鍵合之前的任何顆粒。旋轉夾頭可用于不同的晶圓和基板尺寸,從而可以輕松設置不同的工藝。熔融鍵合鍵合機聯(lián)系電話

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