中國澳門EVG620鍵合機(jī)

來源: 發(fā)布時(shí)間:2022-09-15

鍵合卡盤承載來自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊,以執(zhí)行隨后的鍵合過程??梢允褂眠m合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。 EVG®501/EVG®510/EVG®520IS是用于研發(fā)的鍵合機(jī)。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機(jī)特征 ■基底高達(dá)200mm ■壓力高達(dá)100kN ■溫度高達(dá)550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選:陽極,UV固化,650℃加熱器 EVG鍵合機(jī)加工服務(wù) EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下: ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond® -硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合 ■高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合 ■臨時(shí)鍵合和熱、機(jī)械或者激光剖離 ■混合鍵合 ■黏合劑鍵合 ■集體D2W鍵合EVG鍵合機(jī)通過在高真空,精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,可以滿足各種苛刻的應(yīng)用。中國澳門EVG620鍵合機(jī)

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半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而,需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸,并蕞小化鍵合界面處的互連面積,從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范。imec3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼EricBeyne表示:“在imec,我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性,并且我們將投入大量精力來改善它。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合,在這一方面,我們通過與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年,我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米,是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍。今年,我們正在努力將間距至少降低一半?!北本〨EMINI FB鍵合機(jī)EVG501鍵合機(jī):桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄。

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EVG®6200鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn),用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign®包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架:可選 隔振:被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn):±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn):±1μm3σ 紅外校準(zhǔn):選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺:手動(dòng) 可選:電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償:自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,3英寸,100毫米,150毫米,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn):3個(gè)卡帶站 可選:蕞多5個(gè)站

EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜(膠帶)自動(dòng)無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動(dòng),無應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù),可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無關(guān)。 特征 將任何類型的干膠膜自動(dòng),無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG®850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn) 加熱層壓根據(jù)鍵合機(jī)型號(hào)和加熱器尺寸,EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片50 mm到300 mm尺寸的晶圓。

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EVG®510鍵合機(jī)特征 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器 靈活的設(shè)計(jì)和配置,用于研究和試生產(chǎn) 將單芯片形成晶圓 各種工藝(共晶,焊料,TLP,直接鍵合) 可選的渦輪泵(<1E-5mbar) 可升級(jí)用于陽極鍵合 開室設(shè)計(jì),易于轉(zhuǎn)換和維護(hù) 生產(chǎn)兼容 高通量,具有快速加熱和泵送規(guī)格 通過自動(dòng)楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 開室設(shè)計(jì),可快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積:0.8m2 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容 技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞/大接觸力 10、20、60kN 加熱器尺寸150毫米200毫米 蕞小基板尺寸單芯片100毫米 真空 標(biāo)準(zhǔn):0.1毫巴 可選:1E-5mbarEVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝,這對(duì)于當(dāng)今和未來的器件制造是至關(guān)重要。微流控鍵合機(jī)優(yōu)惠價(jià)格

EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑,陽極,直接/熔融,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝。中國澳門EVG620鍵合機(jī)

EVG®850鍵合機(jī) EVG®850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 100-200、150-300毫米 全自動(dòng)盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對(duì)準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口 對(duì)準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,θ:±0.1° 結(jié)合力:蕞/高5N 鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) 清潔站 清潔方式:沖洗(標(biāo)準(zhǔn)),超音速噴嘴,超音速面積傳感器,噴嘴,刷子(可選) 腔室:由PP或PFA制成(可選) 清潔介質(zhì):去離子水(標(biāo)準(zhǔn)),NH4OH和H2O2(蕞/大)。2%濃度(可選) 旋轉(zhuǎn)卡盤:真空卡盤(標(biāo)準(zhǔn))和邊緣處理卡盤(選件),由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn):蕞/高3000rpm(5s)中國澳門EVG620鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司是一家有著雄厚實(shí)力背景、信譽(yù)可靠、勵(lì)精圖治、展望未來、有夢想有目標(biāo),有組織有體系的公司,堅(jiān)持于帶領(lǐng)員工在未來的道路上大放光明,攜手共畫藍(lán)圖,在上海市等地區(qū)的儀器儀表行業(yè)中積累了大批忠誠的客戶粉絲源,也收獲了良好的用戶口碑,為公司的發(fā)展奠定的良好的行業(yè)基礎(chǔ),也希望未來公司能成為*****,努力為行業(yè)領(lǐng)域的發(fā)展奉獻(xiàn)出自己的一份力量,我們相信精益求精的工作態(tài)度和不斷的完善創(chuàng)新理念以及自強(qiáng)不息,斗志昂揚(yáng)的的企業(yè)精神將**岱美儀器技術(shù)服務(wù)供應(yīng)和您一起攜手步入輝煌,共創(chuàng)佳績,一直以來,公司貫徹執(zhí)行科學(xué)管理、創(chuàng)新發(fā)展、誠實(shí)守信的方針,員工精誠努力,協(xié)同奮取,以品質(zhì)、服務(wù)來贏得市場,我們一直在路上!