天津鍵合機(jī)有哪些應(yīng)用

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2022-08-19

EVGroup開(kāi)發(fā)了MLE?(無(wú)掩模曝光)技術(shù),通過(guò)消除與掩模相關(guān)的困難和成本,滿(mǎn)足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開(kāi)發(fā)周期的關(guān)鍵要求。MLE?解決了多功能(但緩慢)的開(kāi)發(fā)設(shè)備與快速(但不靈活)的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案,可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)計(jì),支持現(xiàn)有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應(yīng)性,并具有多級(jí)冗余功能,以提高產(chǎn)量和降低擁有成本(CoO)。EVG的MLE?無(wú)掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿(mǎn)足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,而且還滿(mǎn)足MEMS,生物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額,并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套。天津鍵合機(jī)有哪些應(yīng)用

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EVG®820層壓系統(tǒng) 將任何類(lèi)型的干膠膜(膠帶)自動(dòng)無(wú)應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類(lèi)型的干膠膜自動(dòng),無(wú)應(yīng)力地層壓到載體晶片上。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對(duì)卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,然后將其對(duì)齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶。利用沖壓技術(shù),可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,并且與基材無(wú)關(guān)。 特征 將任何類(lèi)型的干膠膜自動(dòng),無(wú)應(yīng)力和無(wú)空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對(duì)準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG®850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑(基板尺寸) 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對(duì)準(zhǔn) 加熱層壓新疆鍵合機(jī)有哪些應(yīng)用EVG鍵合機(jī)軟件,支持多語(yǔ)言,集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶(hù)帳戶(hù)設(shè)置,可以簡(jiǎn)化用戶(hù)常規(guī)操作。

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ZiptronixInc.與EVGroup(簡(jiǎn)稱(chēng)“EVG”)近日宣布已成功地在客戶(hù)提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù)。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,包括堆棧存儲(chǔ)器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC)。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示:“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,只需要可進(jìn)行測(cè)量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具,而這是之前一直未能解決的難題。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過(guò)優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度,此對(duì)準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?!?/p>

EVG®520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG®501和EVG®510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動(dòng)化系統(tǒng)■自動(dòng)晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站,實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG®540自動(dòng)鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動(dòng)處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤(pán)■模塊化鍵合室■自動(dòng)底側(cè)冷卻EVG®560自動(dòng)晶圓鍵合系統(tǒng)■多達(dá)4個(gè)鍵合室,滿(mǎn)足各種鍵合操作■自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站■遠(yuǎn)程在線診斷■自動(dòng)化機(jī)器人處理系統(tǒng),用于機(jī)械對(duì)準(zhǔn)的自動(dòng)盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局,適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG®GEMINI®自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上,同時(shí)利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù),前/列的GEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng),并結(jié)合了自動(dòng)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)和鍵合操作。有關(guān)更多詳/細(xì)信息,請(qǐng)參/閱我們的GEMINI手冊(cè)。EVG鍵合機(jī)支持全系列晶圓鍵合工藝,這對(duì)于當(dāng)今和未來(lái)的器件制造是至關(guān)重要。

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EVG®850SOI的自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對(duì)準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來(lái)。因此,EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無(wú)空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量,高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng),已被確立為SOI晶圓市場(chǎng)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG的EVG?501 / EVG?510 / EVG?520 IS這幾個(gè)型號(hào)用于研發(fā)的鍵合機(jī)。EVG820鍵合機(jī)推薦型號(hào)

EVG鍵合機(jī)也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化的黏合劑,可選的鍵合室蓋里具有UV源。天津鍵合機(jī)有哪些應(yīng)用

EVG®850TB臨時(shí)鍵合機(jī)特征:開(kāi)放式膠粘劑平臺(tái);各種載體(硅,玻璃,藍(lán)寶石等);適用于不同基板尺寸的橋接工具功能;提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合;程序控制系統(tǒng);實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過(guò)程參數(shù);完全集成的SECS/GEM接口;可選的集成在線計(jì)量模塊,用于自動(dòng)反饋回路;技術(shù)數(shù)據(jù):晶圓直徑(基板尺寸):蕞長(zhǎng)300毫米,可能有超大的托架不同的基材/載體組合組態(tài)外套模塊帶有多個(gè)熱板的烘烤模塊通過(guò)光學(xué)或機(jī)械對(duì)準(zhǔn)來(lái)對(duì)準(zhǔn)模塊鍵合模塊:選件在線計(jì)量ID閱讀高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理天津鍵合機(jī)有哪些應(yīng)用